半導(dǎo)體復(fù)習(xí)提綱(文件)
【正文】 12 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)是由于粒子濃度不均勻引起的擴(kuò)散：由于濃度不均勻而導(dǎo)致載流子（電子或空穴）從高濃度處向低濃度處擴(kuò)散的過(guò)程。材料的擴(kuò)散系數(shù)有標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)，擴(kuò)散長(zhǎng)度測(cè)量是測(cè)量壽命方法之一。第6章 PN結(jié)1空間電荷區(qū)：通常把在pn結(jié)附近的電離施主和電離受主所帶電荷稱為空間電荷，它們所存在的區(qū)域稱為空間電荷區(qū)，空間電荷區(qū)又叫勢(shì)壘區(qū)。在擴(kuò)散區(qū),少子電流只需考慮擴(kuò)散 ?③忽略耗盡層中的產(chǎn)生,復(fù)合 通過(guò)耗盡層時(shí),可認(rèn)為電子電流和空穴電流均保持不變 ?④玻耳茲曼邊界條件 7 理想pn結(jié)的電流電壓方程計(jì)算?。。?！8 電容效應(yīng)：pn結(jié)有存儲(chǔ)和釋放電荷的能力。反向時(shí)，反向電流隨反向偏壓增大而迅速增加，由重?fù)诫s的p區(qū)和重?fù)诫s的n區(qū)形成的pn結(jié)稱為隧道結(jié)。在空間電荷區(qū)中，電子濃度要比體內(nèi)大得多，因此它是一個(gè)高電導(dǎo)的區(qū)域，稱為反阻擋層 反阻擋層薄, 高電導(dǎo), 對(duì)接觸電阻影響小 阻擋層具有整流作用 電子的阻擋層就是空穴的積累層。正向?qū)〞r(shí)，從半導(dǎo)體中越過(guò)界面進(jìn)入金屬的電子并不發(fā)生積累，而是直接形成漂移電流而流走。 11歐姆接觸：接觸本身不產(chǎn)生明顯的附加阻抗，而且不會(huì)使半導(dǎo)體內(nèi)部的平衡載流子濃度發(fā)生顯著的變化。2理想表面：是指表面層中原子排列的對(duì)稱性與體內(nèi)原子完全相同，且表面上不附著任何原子或分子的半無(wú)限晶體表面?？蓺w納為多子積累，耗盡，反型，深耗盡四種情況 CV曲線 存在一些因素影響著MIS的CV特性，如：金屬和半導(dǎo)體之間的功函數(shù)的差、絕緣層中的電荷等。 反型異質(zhì)結(jié)：導(dǎo)電類型相反的兩種不同的半導(dǎo)體單晶材料所形成的異質(zhì)結(jié)。 激子：半導(dǎo)體中電子和空穴因庫(kù)侖力相互作用可形成束縛的電子空穴對(duì)，稱為激子。多量子阱是指多個(gè)量子阱組合在一起的系統(tǒng)。1 導(dǎo)帶極小值和價(jià)帶極大值對(duì)應(yīng)于相同的波矢k，常稱為直接帶隙半導(dǎo)體。電子可以吸收光子躍遷到導(dǎo)帶能級(jí)，空穴也可以吸收光子而躍遷到價(jià)帶，這種光吸收稱為雜質(zhì)吸收。1 光電導(dǎo)靈敏度一般定義為單位光照度所引起的光電導(dǎo)。2 非晶態(tài)半導(dǎo)體特點(diǎn)：長(zhǎng)程無(wú)序，短程有序；亞穩(wěn)性2 SW效應(yīng)：a—Si：H樣品在長(zhǎng)時(shí)間的光照后其光電導(dǎo)和暗電導(dǎo)都顯著減小，將光照后的樣品置于150oC下退火30分鐘，再冷卻到室溫，樣品又恢復(fù)到原來(lái)狀態(tài)，這一現(xiàn)象稱為SW效應(yīng)。 光生伏特效應(yīng)：當(dāng)適當(dāng)波長(zhǎng)的光照射非均勻半導(dǎo)體時(shí)，由于內(nèi)建電場(chǎng)的作用，半導(dǎo)體內(nèi)部產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)，這種由內(nèi)建電場(chǎng)引起的光電效應(yīng)，稱為光生伏特效應(yīng)。本征吸收引起的光電導(dǎo)稱為本征光電導(dǎo)。1 激子吸收：光子能量不足以使價(jià)帶電子受激進(jìn)入導(dǎo)帶成為自由電子，而仍然受到空穴的庫(kù)倫場(chǎng)作用，形成新的系統(tǒng)——激子，這樣的光吸收稱為激子吸收1 自由載流子吸收：光子能量不足以使電子處帶與帶之間躍遷或形成激子時(shí)，仍然存在著吸收，自由載流子在同一帶內(nèi)的躍遷所引起的吸收稱為自由載流子吸收。多量子阱結(jié)構(gòu)主要應(yīng)用于其光學(xué)特性。11 調(diào)制摻雜：在形成異質(zhì)結(jié)是一邊摻雜一邊不摻雜的摻雜方式。 異質(zhì)結(jié)也可以分為突變型異質(zhì)結(jié)和緩變型異質(zhì)結(jié)。 [111 110 100]晶面的比較 ？？？ 第9章 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu) 考概念 Pn結(jié)是由導(dǎo)電類型相反的同一種半導(dǎo)體單晶材料組成的，通常稱為同質(zhì)結(jié)。退火可以有效降低界面態(tài)密度。形成金屬—n+n或金屬p+p結(jié)構(gòu)。 10跟普通二極管的相同與不同，實(shí)際應(yīng)用？？？？都有單向?qū)щ娦浴?熱電子發(fā)射理論得到的伏－安特性與擴(kuò)散理論的一致6. 四種接觸方式？？？ ：在半導(dǎo)體表面，費(fèi)米能級(jí)的位置由表面態(tài)決定，而與半導(dǎo)體摻雜濃度無(wú)關(guān)的現(xiàn)象。 Wm=E0EFm 表示一個(gè)起始能量等于費(fèi)米能級(jí)的電子，由金屬內(nèi)部逸出到真空中所需要的最小能量。（雪崩擊穿、隧道擊穿、熱電擊穿） pn結(jié)擊穿的基本原因: 載流子數(shù)目的突然增加..11電容擊穿原理 ？？？？12擊穿機(jī)理: ?雪崩擊穿—強(qiáng)電場(chǎng)下的碰撞電離, 使載流子倍增 ?隧道擊穿—
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