半導(dǎo)體復(fù)習(xí)提綱(文件)
【正文】 12 擴散運動是由于粒子濃度不均勻引起的擴散：由于濃度不均勻而導(dǎo)致載流子（電子或空穴）從高濃度處向低濃度處擴散的過程。材料的擴散系數(shù)有標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)，擴散長度測量是測量壽命方法之一。第6章 PN結(jié)1空間電荷區(qū)：通常把在pn結(jié)附近的電離施主和電離受主所帶電荷稱為空間電荷，它們所存在的區(qū)域稱為空間電荷區(qū)，空間電荷區(qū)又叫勢壘區(qū)。在擴散區(qū),少子電流只需考慮擴散 ?③忽略耗盡層中的產(chǎn)生,復(fù)合 通過耗盡層時,可認(rèn)為電子電流和空穴電流均保持不變 ?④玻耳茲曼邊界條件 7 理想pn結(jié)的電流電壓方程計算！?。?！8 電容效應(yīng)：pn結(jié)有存儲和釋放電荷的能力。反向時，反向電流隨反向偏壓增大而迅速增加，由重?fù)诫s的p區(qū)和重?fù)诫s的n區(qū)形成的pn結(jié)稱為隧道結(jié)。在空間電荷區(qū)中，電子濃度要比體內(nèi)大得多，因此它是一個高電導(dǎo)的區(qū)域，稱為反阻擋層 反阻擋層薄, 高電導(dǎo), 對接觸電阻影響小 阻擋層具有整流作用 電子的阻擋層就是空穴的積累層。正向?qū)〞r，從半導(dǎo)體中越過界面進(jìn)入金屬的電子并不發(fā)生積累，而是直接形成漂移電流而流走。 11歐姆接觸：接觸本身不產(chǎn)生明顯的附加阻抗，而且不會使半導(dǎo)體內(nèi)部的平衡載流子濃度發(fā)生顯著的變化。2理想表面：是指表面層中原子排列的對稱性與體內(nèi)原子完全相同，且表面上不附著任何原子或分子的半無限晶體表面?？蓺w納為多子積累，耗盡，反型，深耗盡四種情況 CV曲線 存在一些因素影響著MIS的CV特性，如：金屬和半導(dǎo)體之間的功函數(shù)的差、絕緣層中的電荷等。 反型異質(zhì)結(jié)：導(dǎo)電類型相反的兩種不同的半導(dǎo)體單晶材料所形成的異質(zhì)結(jié)。 激子：半導(dǎo)體中電子和空穴因庫侖力相互作用可形成束縛的電子空穴對，稱為激子。多量子阱是指多個量子阱組合在一起的系統(tǒng)。1 導(dǎo)帶極小值和價帶極大值對應(yīng)于相同的波矢k，常稱為直接帶隙半導(dǎo)體。電子可以吸收光子躍遷到導(dǎo)帶能級，空穴也可以吸收光子而躍遷到價帶，這種光吸收稱為雜質(zhì)吸收。1 光電導(dǎo)靈敏度一般定義為單位光照度所引起的光電導(dǎo)。2 非晶態(tài)半導(dǎo)體特點：長程無序，短程有序；亞穩(wěn)性2 SW效應(yīng)：a—Si：H樣品在長時間的光照后其光電導(dǎo)和暗電導(dǎo)都顯著減小，將光照后的樣品置于150oC下退火30分鐘，再冷卻到室溫，樣品又恢復(fù)到原來狀態(tài)，這一現(xiàn)象稱為SW效應(yīng)。 光生伏特效應(yīng)：當(dāng)適當(dāng)波長的光照射非均勻半導(dǎo)體時，由于內(nèi)建電場的作用，半導(dǎo)體內(nèi)部產(chǎn)生電動勢，這種由內(nèi)建電場引起的光電效應(yīng)，稱為光生伏特效應(yīng)。本征吸收引起的光電導(dǎo)稱為本征光電導(dǎo)。1 激子吸收：光子能量不足以使價帶電子受激進(jìn)入導(dǎo)帶成為自由電子，而仍然受到空穴的庫倫場作用，形成新的系統(tǒng)——激子，這樣的光吸收稱為激子吸收1 自由載流子吸收：光子能量不足以使電子處帶與帶之間躍遷或形成激子時，仍然存在著吸收，自由載流子在同一帶內(nèi)的躍遷所引起的吸收稱為自由載流子吸收。多量子阱結(jié)構(gòu)主要應(yīng)用于其光學(xué)特性。11 調(diào)制摻雜：在形成異質(zhì)結(jié)是一邊摻雜一邊不摻雜的摻雜方式。 異質(zhì)結(jié)也可以分為突變型異質(zhì)結(jié)和緩變型異質(zhì)結(jié)。 [111 110 100]晶面的比較 ？？？ 第9章 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu) 考概念 Pn結(jié)是由導(dǎo)電類型相反的同一種半導(dǎo)體單晶材料組成的，通常稱為同質(zhì)結(jié)。退火可以有效降低界面態(tài)密度。形成金屬—n+n或金屬p+p結(jié)構(gòu)。 10跟普通二極管的相同與不同，實際應(yīng)用？？？？都有單向?qū)щ娦浴?熱電子發(fā)射理論得到的伏－安特性與擴散理論的一致6. 四種接觸方式？？？ ：在半導(dǎo)體表面，費米能級的位置由表面態(tài)決定，而與半導(dǎo)體摻雜濃度無關(guān)的現(xiàn)象。 Wm=E0EFm 表示一個起始能量等于費米能級的電子，由金屬內(nèi)部逸出到真空中所需要的最小能量。（雪崩擊穿、隧道擊穿、熱電擊穿） pn結(jié)擊穿的基本原因: 載流子數(shù)目的突然增加..11電容擊穿原理 ？？？？12擊穿機理: ?雪崩擊穿—強電場下的碰撞電離, 使載流子倍增 ?隧道擊穿—
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