半導(dǎo)體材料報告-文庫吧資料
2024-08-18 03:43本頁面
【正文】 中P型和N型之間的界面形成PN結(jié)，它是半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)和工作基礎(chǔ)。當硅中摻入微量的電活性雜質(zhì)，其電導(dǎo)率將會顯著增加,例如,向硅中摻入億分之一的硼，其電阻率就降為原來的千分之一。[5]硅的特性 、電學特性半導(dǎo)體材料的電學性質(zhì)特點：一是導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間,其電阻率約在104－；二是電導(dǎo)率和導(dǎo)電型號對雜質(zhì)和外界因素(光\熱\磁)高度敏感。此法由于受熱場的影響，所得晶錠材質(zhì)不如定向凝固法所得。[4,7]定向凝固法是將硅料放在坩堝中熔融，然后將坩堝從熱場逐漸下降或從坩堝底部通冷源，以造成一定的溫度梯度，固液界面則從坩堝底部向上移動而形成晶錠。根據(jù)其純度的不同，大體可分為電子級多晶硅和太陽能級多晶硅兩大類，電子級多晶硅一般要求硅含量至少在6N以上，最高甚至可達11N，太陽能級多晶硅純度則稍低，處于冶金級與電子級之間。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來，就結(jié)晶成多晶硅。硅單晶多年來一直圍繞著純度、物理性質(zhì)的均勻性、結(jié)構(gòu)完整性及降低成本這些問題而進行研究與開發(fā)。[8]世界上直拉硅單晶和區(qū)熔硅單晶的用量約為9：1，直拉硅主要用于集成電路和晶體管，其中用于集成電路的直拉硅單晶由于其有明確的規(guī)格，且其技術(shù)要求嚴格，成為單獨一類稱集成電路用硅單晶。近年來，各種晶體材料特別是以單晶硅為代表的高科技附加值材料及其相關(guān)高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，成為當代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的支柱，并使信息產(chǎn)業(yè)成為全球經(jīng)濟發(fā)展中增長最快的先導(dǎo)產(chǎn)業(yè)．單晶硅作為一種極具潛能、亟待開發(fā)利用的高科技資源，正引起越來越多的關(guān)注．當今世界超過2 000億美元的電子通信半導(dǎo)體市場中，95％以上的半導(dǎo)體器件和99％以上的集成電路應(yīng)用單晶硅。在開發(fā)能源方面是一種很有前途的材料。在單晶硅中摻入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半導(dǎo)體；摻入微量的第VA族元素，形成n型半導(dǎo)體。硅烷中混入含有P或B的PH，、B：H6氣體，町得到N型或P型非晶硅。此外還有反應(yīng)濺射法、電子束蒸發(fā)法和熱分解硅烷法等等。現(xiàn)已工業(yè)應(yīng)用，主要用于提煉純硅，制造太陽電池、薄膜晶體管、復(fù)印鼓、光電傳感器等。非晶硅在太陽輻射峰附近的光吸收系數(shù)比晶體硅大一個數(shù)量級。在70年代確實有過制備非晶硅的沸沸揚
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