半導(dǎo)體材料報告-在線瀏覽
2024-09-15 03:43本頁面
【正文】 輻射能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔?。另外廣泛應(yīng)用的二極管、三極管、晶閘管、場效應(yīng)管和各種集成電路（包括人們計算機內(nèi)的芯片和CPU）都是用硅做的原材料。[3]近幾年，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展給國內(nèi)硅材料產(chǎn)業(yè)帶來了前所未有的機遇，單晶硅產(chǎn)量明顯穩(wěn)步增長．單晶硅品種有區(qū)熔單晶硅和直拉單晶硅。區(qū)熔硅主要用于制作電力電子元件，純度極高的區(qū)熔硅還用于射線探測器。多晶硅，是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。多晶硅是由冶金級硅(硅含量為95％～99％)經(jīng)一系列化學(xué)物理提純而得到的半導(dǎo)體材料。[9]多晶硅錠的制備工藝主要包括定向凝固法及澆鑄法。澆鑄法是將熔化后的硅液從坩堝中導(dǎo)入另一模具中形成晶錠。[4]目前，市場上超過50％的多晶硅片均是由定向凝固法生長所得。無缺陷半導(dǎo)體的導(dǎo)電性很差，稱為本征半導(dǎo)體。當硅中摻雜以施主雜質(zhì)(Ⅴ族元素:磷、砷、銻等)為主時，以電子導(dǎo)電為主，成為N型硅；當硅中摻雜以受主雜質(zhì)（Ⅲ族元素：硼、鋁、鎵等）為主時，以空穴導(dǎo)電為主，成為P型硅。 硅也存在不足之處，硅的電子遷移率比鍺小。所以簡單的硅器件在高頻下工作時其性能不如鍺或GaAs高頻器件。 、光學(xué)特性 自從1990年L．T．Canham發(fā)現(xiàn)了多孔硅在室溫下的光致發(fā)光現(xiàn)象后，由于硅材料在光電子、微電子和生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用前景，使得硅材料的研究引起了科學(xué)晃的極大興趣。主要原因之一是多孔硅的內(nèi)表面非常大很容易被電解液或空氣中的不純物質(zhì)污染，這些不純物質(zhì)對多孔硅的光學(xué)和電學(xué)特性都有影響，也影響了發(fā)光機理的分析。數(shù)十年來，硅表面一直是基礎(chǔ)研究的熱點?；诠璨牧显诠I(yè)中的重要性，如能克服這些缺點，硅材料將得到更多的應(yīng)用。此外，其光電效率會隨著光照時間的延續(xù)而衰減，即所謂的光致衰退S一W效應(yīng)，使得電池性能不穩(wěn)定。疊層太陽能電池提高轉(zhuǎn)換效率、解決單結(jié)電池不穩(wěn)定性的關(guān)鍵問題在于：①它把不同禁帶寬度的材科組臺在一起，提高了光譜的響應(yīng)范圍。③底電池產(chǎn)生的載流子約為單電池的一半，光致衰退效應(yīng)減小。多晶硅（1）晶硅產(chǎn)能逐步釋放，供給短缺現(xiàn)象明顯緩解．得益于全球光伏產(chǎn)業(yè)的井噴式發(fā)展，旺盛的市場需求極大地推動了我國多晶硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展．隨著全球多晶硅產(chǎn)能的逐步釋放，多晶硅短缺現(xiàn)象將得到有效緩解．(2)多晶硅產(chǎn)能利用率偏低，進口規(guī)模依然偏高．多晶硅價格走高，催生
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