半導(dǎo)體材料報(bào)告-閱讀頁(yè)
2024-08-24 03:43本頁(yè)面
【正文】 了國(guó)內(nèi)多晶硅的投資熱．由于工藝尚不成熟，達(dá)產(chǎn)進(jìn)度緩慢，產(chǎn)能利用率偏低，遠(yuǎn)低于80％的國(guó)際水平．尤其應(yīng)進(jìn)一步提高多晶硅質(zhì)量，以滿足半導(dǎo)體及高效太陽(yáng)能單晶制備需求．單晶硅(1)微型化．半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，對(duì)硅片的尺寸規(guī)格和質(zhì)量提出更高的要求，適合微細(xì)加工的大直徑硅片在市場(chǎng)中的需求比例將日益加大．(2)國(guó)際化、集團(tuán)化、集約化．研發(fā)及建廠成本的日漸增高，加之現(xiàn)有營(yíng)銷(xiāo)與品牌的優(yōu)勢(shì)，使硅材料產(chǎn)業(yè)形成“大者恒大”的局面，少數(shù)集約化的大型集團(tuán)壟斷材料市場(chǎng)．(3)發(fā)展硅基材料．隨著光電子和通信產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，硅基材料成為硅材料工業(yè)發(fā)展的重要方向．主要的硅基材料包括SOI(絕緣體上硅)、應(yīng)變硅、GeSi．S01技術(shù)已開(kāi)始在世界廣泛應(yīng)用，SOI材料在整個(gè)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)中的比例增大．(4)硅片制造技術(shù)進(jìn)一步升級(jí)．世界普遍采用先進(jìn)的切、磨、拋和潔凈封裝工藝，硅片制造技術(shù)取得明顯進(jìn)展；最新尖端技術(shù)的導(dǎo)入，SOI等高功能晶片的試制開(kāi)發(fā)進(jìn)入批量生產(chǎn)階段；硅片生產(chǎn)企業(yè)增加300 mm硅片設(shè)備的投資；針對(duì)設(shè)計(jì)規(guī)則的進(jìn)一步細(xì)化，開(kāi)發(fā)高平坦度的硅片和無(wú)缺陷的硅片．[1]朱黎輝 中國(guó)半導(dǎo)體硅(多晶、單晶)材料發(fā)展60年[期刊論文]新材料產(chǎn)業(yè) 2009(12)[2]靳曉宇 半導(dǎo)體材料的應(yīng)用與發(fā)展研究[期刊論文]大眾商務(wù)（投資版） 2009(6)[3] Xingzhang 國(guó)內(nèi)外硅半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及發(fā)展[期刊論文]上海有色金屬 2013(3)[4]劉秋娣；林安中；林喜斌 多晶硅錠的制備及其形貌組織的研究[期刊論文]稀有金屬 2002,26（6）[5]BUONASSISI T。PICKETT M D Transition metals in photovoltaicgrade ingotcast multicrystalline silicon:Assessing the role of impurities in silicon nitride crucible lining material[外文期刊]2006(02)[6][期刊論文]光源與照明 2010(1)[7]MOLLERT H J。RINIO M。KOBSAK
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