半導(dǎo)體材料報告-全文預(yù)覽
【正文】 術(shù)要求嚴格，成為單獨一類稱集成電路用硅單晶。在開發(fā)能源方面是一種很有前途的材料。硅烷中混入含有P或B的PH，、B：H6氣體，町得到N型或P型非晶硅?，F(xiàn)已工業(yè)應(yīng)用，主要用于提煉純硅，制造太陽電池、薄膜晶體管、復(fù)印鼓、光電傳感器等。在70年代確實有過制備非晶硅的沸沸揚揚的高潮。硅在宇宙中的儲量排在第八位。[2]半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可用于制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料．硅材料是當(dāng)今產(chǎn)量最大、應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料，是集成電路產(chǎn)業(yè)和光伏產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。本文就半導(dǎo)體硅材料作了簡單介紹。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路，促進了現(xiàn)代信息社會的飛速發(fā)展。[1]20世紀中葉，單晶硅和半導(dǎo)體晶體管的發(fā)明及其硅集成電路的研制成功，導(dǎo)致了電子工業(yè)革命，隨著科技的發(fā)展，半導(dǎo)體材料越來越多。然而它極少以單質(zhì)的形式在自然界出現(xiàn)，而是以復(fù)雜的硅酸鹽或二氧化硅的形式，廣泛存在于巖石、砂礫、塵土之中。無定型硅又稱非晶硅，非晶硅是一種直接能帶半導(dǎo)體，它的結(jié)構(gòu)內(nèi)部有許多所謂的“懸鍵”，也就是沒有和周圍的硅原子成鍵的電子，這些電子在電場作用下就可以產(chǎn)生電流，并不需要聲子的幫助，因而非晶硅可以做得很薄，還有制作成本低的優(yōu)點。～，而遷移率和少子壽命遠比晶體硅低。非晶硅產(chǎn)業(yè)化是利用化學(xué)氣相沉積法制造的，硅烷氣體流入真空反應(yīng)器，利用高頻放電等方法分解硅烷，使非晶硅沉積在基板上。p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體結(jié)合在一起形成pn結(jié)，就可做成太陽能電池，將輻射能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔?。[3]近幾年，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展給國內(nèi)硅材料產(chǎn)業(yè)帶來了前所未有的機遇，單晶硅產(chǎn)量明顯穩(wěn)步增長．單晶硅品種有區(qū)熔單晶硅和直拉單晶硅。多晶硅，是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。[9]多晶硅錠的制備工藝主要包括定向凝固法及澆鑄法。[4]目前，市場上超過50％的多晶硅片均是由定向凝固法生長所得。當(dāng)硅中摻雜以施主雜質(zhì)(Ⅴ族元素:磷、砷、銻等)為主時，以電子導(dǎo)電為主，成為N型硅；當(dāng)硅中摻雜以受主雜質(zhì)（Ⅲ族元素：硼、鋁、鎵等）為主時，以空穴導(dǎo)電為主，成為P型硅。所以簡單的硅器件在高頻下工作時其性能不如鍺或GaAs高頻器件。主要原因之一是多孔硅的內(nèi)表面非常大很容易被電解液或空氣中的不純物質(zhì)污染，這些不純物質(zhì)對多孔硅的光學(xué)和電學(xué)特性都有影響，也影響了發(fā)光機理的分
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