固體與半導(dǎo)體物理平衡狀態(tài)下的半導(dǎo)體-全文預(yù)覽
【正文】 FE（ 1）電中性條件 0D0 Pnn ?? ?00( ) 0Dq n P n? ? ? ?e xp( ) e xp( )1 2 e xp( )C F F V DcvDFBBBE E E E NNNEEK T K TKT??? ? ? ????(2) 低溫弱電離區(qū) 電中性條件 ?? D0 nn )2l n()2(2CDBDCF NNTKEEE ???0: lim 2CDFTKEEAE???:BT ? ? ?F從 0K Ta ,T ,E( 0)FdEdT ?: , 0FdEC T Ta dT?? ?:, FD T T a T E? ? ?( 0)FdEdT?: DFE N E越 大 ， 達(dá) 到 極 值 的 溫 度 越 高 。 r? 施主能級和施主電離 DEDE?402208mqEh???氫原子基態(tài)電子的電離能 *42 2 208nDrmqEh????施主雜質(zhì)的電離能 P As Sb Si Ge 雜質(zhì) 晶體 2. P型半導(dǎo)體 主要依靠價帶空穴導(dǎo)電的半導(dǎo)體 (1) 受主雜質(zhì) 在 Si、 Ge Ⅳ 族元素中摻入 B、 Al、 Ga、 In等 Ⅲ 元素 形成一個負(fù)電中心和一個空穴 提供價帶空穴－受主雜質(zhì) (2) 受主雜質(zhì)能級 (3) 受主雜質(zhì)電離能 受主能級和受主電離 *42 2 208PArmqEh???? B Al Ga Si Ge 雜質(zhì) 晶體 In AE?AE 摻入 GaAs中的 Si或 Ge是受主雜質(zhì)還是施主雜質(zhì)？ 硅或鍺中同時摻入施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)，半導(dǎo)體呈哪種類型？ (1) DANN?DN ? 施 主 雜 質(zhì) 濃 度AN ? 受 主 雜 質(zhì) 濃 度半導(dǎo)體呈 n型 ( 2) DANN?半導(dǎo)體呈 P型 ( 3 ) DANN?雜質(zhì)很多，但導(dǎo)帶電子和價帶空穴很少，電學(xué)性質(zhì)很差。 0k 等能面是一系列環(huán)繞 的球面。我的信息 最高能帶填滿，再高的各能帶是空的 5 ~ 7gE e V? 2gE ev? 由于熱激發(fā)，滿帶電子躍遷到上面的空帶， 兩個能帶都成了不滿帶，具備導(dǎo)電能力。 (2)能帶有交迭 堿土金屬 Be， Mg， Ca， Sr， Ba等 堿金屬 Li， Na， K 等， 為什么是金屬導(dǎo)體？ 歸納： 每個原子的價電子是奇數(shù)：金屬導(dǎo)體 每個原子的價電子是偶數(shù)：能帶獨立－絕緣體 能帶交迭－導(dǎo)體 { 半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu) . ( )Ek一 函 數(shù)第四章 平衡狀態(tài)下的半導(dǎo)體 22220000()( ) ( )( ) ( ) [ ]2yyx x z zx y zkkk k k kE k E km m m? ? ????? ? ? ? 等能面是一系列環(huán)繞 的橢球面。 0nmm? ?B: 雜質(zhì)處于晶體中，考慮晶體介電常數(shù) 的影響。( ) ( )D b D aNN? Tb Ta?() DDa n N? ?? 0( ) 0bp ?1 20 ( ) e x p ( )22DC DBNN EnkT???
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