固體與半導(dǎo)體物理半導(dǎo)體的導(dǎo)電性-全文預(yù)覽
【正文】 E E k TVp N e ??? 相對 ,tE 使 上電子增加的過程是： 甲和丁 使 上電子減少的過程是 : 乙和丙 tEtE穩(wěn)定時 甲＋?。揭遥? 甲－乙＝丙－丁 u?)nnp()pp(r)nn(r rrNu 2i1p1npnt ?????討論： （ 1）間接復(fù)合率大于直接復(fù)合率 非子的直接復(fù)合率 2()iu r np n??11( ) ( )t n pnpN r rrr n n r p p? ? ? ?)nnp()pp(r)nn(r rrNu 2i1p1npnt ?????n型 11n n p p n、 、 、 中 ， 最 大tpNrn? tNn??? pr??（ 2）熱平衡 200 inp n p n?? 0u?A:非子的復(fù)合率 熱平衡時，無非子 B:載流子的凈復(fù)合率 熱平衡時，產(chǎn)生率＝復(fù)合率 非子的間接復(fù)合率 （ 3） 00np n p? 0u?存在凈復(fù)合 非子的復(fù)合過程 00np n p?（ 4） 0u?存在凈產(chǎn)生 非子的產(chǎn)生過程 從非平衡態(tài)向平衡態(tài)過渡過程 200 inp n p n?? )ppn(rrN)ppp(r)pnn(rup00pnt10p10n?????????????? （ 1）最有效的復(fù)合中心位于禁帶中線附近的深能級 nprr?（ 2）小注入 p? 忽 略0 1 0 1: : : e x p ( ) : e x p ( ) : e x p ( ) : e x p ( )c F c t F v t vB B B BE E E E E E E En n p pk T k T k T k T? ? ? ?? ? ? ? ?0 1 0 100( ) ( )()npt n pr n n r p pN r r n p?? ? ???A:強 n型區(qū) 00np??0 1 1n n p?? 或1tpNr??B: n型高阻區(qū) 0 0 1 1 1p n p nn 、 、 、 中 ， 最 大00pn ??101tpnN r n? ??C:強 p型區(qū) D:p型高阻區(qū) 00p n?? 0 1 1p p n?? 和1tnNr? ?1n最 大 00p n??101tpnN r p? ?? 對于兩個高阻區(qū)，若 靠近價帶頂，壽命的表達(dá)式有何不同？ tEn型高阻區(qū) p型高阻區(qū) 1p最 大 00pn ?? 101tnpN r n? ??1p最 大 00p n?? 101tnpN r p? ??（ 3）大注入 0 1 0 1p n n p p? ?? 、 、 、11npt n t pN r N r? ? ?? ? ?＋ 陷阱效應(yīng) 一 .陷阱 只對一種載流子有很大俘獲幾率的雜質(zhì)能級 （ 1）電子陷阱 nprrpnrr（ 2）空穴陷阱 二 .少數(shù)載流子陷阱效應(yīng)顯著 穩(wěn)定時 : tn ? tn?雜質(zhì)能級上的電子數(shù) 積累電子 1 201()ttNnnnnn? ? ??01nn? tn? m a x 0() 4 ttNnnn? ? ?時 , 最大 , 0n430 10n cm ?? 10 11 310 10tN c m ??FtEE?0tNn0tNn要使陷阱效應(yīng)顯著 A: 是多子 , 需重?fù)诫s . 一般情況 B: 是少子 , 0n 0tNn 很容易滿足 . P型半導(dǎo)體 ,電子陷阱效應(yīng)顯著 n型半導(dǎo)體 ,空穴陷阱效應(yīng)顯著 三 .具有顯著陷阱效應(yīng)的雜質(zhì)能級的位置 01nn? tn?時 , 最大 , 1201()ttNnnnnn? ? ?? 非平衡載流子的擴散、漂移運動和愛因斯坦關(guān)系式 一 .非子的擴散 載流子濃度不均勻產(chǎn)生擴散運動 電子陷阱效應(yīng)最顯著 FtEE?tE? 1n? 1 ns n r? ??對于電子陷阱 , 以上越接近 ，越顯著 . FE FE對于空穴陷阱 , 以下越接近 ，越顯著 . FE FE ()()nnd n xS x Ddx??
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