現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝-全文預(yù)覽
【正文】 VD 2 3 24 6 4 12A s G aCl H G aA s H C l? ? ? ?As4是有砷烷分解而來(lái) 3 4 246AsH As H??氯化鎵是由下來(lái)反應(yīng)而來(lái) 326 2 2 3H C l G a G aCl H? ? ?現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長(zhǎng)和外延 42 反應(yīng)物和載氣（如 H2）一起被引入反應(yīng)器中，而砷化鎵的晶片一般維持 在 650℃ 到 850℃ 的范圍。襯底晶片可以作為晶體籽 晶，與先前描述的單晶生長(zhǎng)不同在于外延生長(zhǎng)溫度低于熔點(diǎn)許多（ 30~50 %），常見(jiàn)的外延工藝有： CVD和 MBE。 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長(zhǎng)和外延 35 材料特性 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長(zhǎng)和外延 36 另外，因固溶度造成析出的氧，可利用來(lái)吸雜。 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長(zhǎng)和外延 32 線缺陷，亦稱位錯(cuò)－刃形和螺旋。 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長(zhǎng)和外延 29 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長(zhǎng)和外延 30 磨光、標(biāo)識(shí)后的晶錠切割。然后，沿著晶錠長(zhǎng)度方向磨出一個(gè)或數(shù)個(gè)平面。當(dāng)爐管向右移動(dòng)時(shí)，融體的一端會(huì)冷卻，通常在左 端放置晶仔以建立特定的晶體生長(zhǎng)方向。一般用液體氧化硼（ B2O3）將融體密封起來(lái)。二來(lái)可以防止在爐管形成的砷化鎵再次分解。在氣相中砷以 兩種主要形式存在： As2及 As4。 31 31 3114 14 15S i 2 .62h PSi ??? ? ? ?中 子此過(guò)程中部分硅嬗變成為磷而得到 n型摻雜的硅 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長(zhǎng)和外延 22 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長(zhǎng)和外延 23 砷化鎵晶體的生長(zhǎng)技術(shù)－起始材料 砷化鎵的起始材料是以物理特性和化學(xué)特性均很純的砷和鎵元素和合成 的多晶砷化鎵。 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長(zhǎng)和外延 17 從積分式可得 000/e xp( )/e d edek x C A k S LL C A k S L?????或 /0 [ 1 ( 1 ) ]ek x LdeeC A LSkk? ?? ? ?/( )s e dC k S A L??因?yàn)? ，因此 /0 [ 1 ( 1 ) ]ek x LseC C k ?? ? ?現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長(zhǎng)和外延 18 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長(zhǎng)和外延 19 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長(zhǎng)和外延 20 如果需要的是摻雜而非提純時(shí)，摻雜劑引入第一個(gè)熔區(qū)中 S0＝ ClAρdL， 且初始濃度 C0小到幾乎可以忽略，由前面的積分式可得 0 e xpekxSSL??? ????因?yàn)? ，從上式可得 sedSCkAL?? /ek x Ls e lC k C e ??因此，如果 Kex
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