n結(jié)半導(dǎo)體物理第七-全文預(yù)覽
【正文】 別求得，其中在 N型區(qū)一側(cè)的擴(kuò)展寬度為： 當(dāng) PN結(jié)外加的反向偏壓改變時(shí)， PN結(jié)中耗盡區(qū)的寬度發(fā)生變化，因此 PN結(jié)兩側(cè)耗盡區(qū)中的電荷也會(huì)隨之而發(fā)生改變，這種充放電作用就是 PN結(jié)的 電容效應(yīng) 。 反向偏置 : PN結(jié)的 N型區(qū)相對(duì)于 P型區(qū)外加一個(gè)正電壓 VR。 在 PN結(jié)界面處電場(chǎng)達(dá)到最大，最大電場(chǎng)為： 內(nèi)建電勢(shì)： 將內(nèi)建電場(chǎng)對(duì)空間電荷區(qū)進(jìn)行積分，即可求得空間電荷區(qū)中的電勢(shì)分布。 從能量的角度來(lái)看，在 N型區(qū)和 P型區(qū)之間建立了一個(gè)內(nèi)建勢(shì)壘，阻止電子進(jìn)一步向 P型區(qū)擴(kuò)散，該內(nèi)建勢(shì)壘的高度即為內(nèi)建電勢(shì)差，用 Vbi 表示。 ? 整個(gè) pn結(jié)具有統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)。 空間電荷區(qū) : 半導(dǎo)體帶電的區(qū)域。 2. 制造 PN結(jié)的方法： （ 1）外延方法：突變 PN結(jié)； （ 2）擴(kuò)散方法：緩變 PN結(jié)； （ 3）離子注入方法：介于突變結(jié)與緩變結(jié)之間； 為簡(jiǎn)單起見(jiàn)，首先討論突變結(jié)。 PN結(jié)的基本結(jié)構(gòu) 1. PN結(jié)的基本結(jié)構(gòu) PN結(jié)是由一個(gè) N型摻雜區(qū)和一個(gè) P型摻雜區(qū)緊密接觸所構(gòu)成的，其接觸界面稱為冶金結(jié)界面。 離化的雜質(zhì)中心固定不動(dòng)，出現(xiàn)凈正、負(fù)電荷，該區(qū)域即為 空間電荷區(qū) 。 空間電荷區(qū)及內(nèi)建電場(chǎng)的形成過(guò)程示意圖 達(dá)到熱平衡狀態(tài)時(shí)，擴(kuò)散流等于漂移流 平衡 PN結(jié)的特點(diǎn)： ? 勢(shì)壘區(qū)內(nèi)電子（空穴）的擴(kuò)散和漂移抵消。 零偏狀態(tài)下的 PN結(jié) 零偏狀態(tài) :V外 =0 1. 內(nèi)建電勢(shì)差 由 PN結(jié)空間電荷區(qū)的形成過(guò)程可知，在達(dá)到平衡狀態(tài)時(shí)， PN結(jié)空間電荷區(qū)中形成了一個(gè)內(nèi)建電場(chǎng)，該電場(chǎng)在空間電荷區(qū)中的 積分 就形成了一個(gè) 內(nèi)建電勢(shì)差 。
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