半導體材料復習-文庫吧資料
2025-01-21 01:43本頁面
【正文】 本制備的優(yōu)點；重摻雜的多晶硅薄膜作為電容器的極板、浮柵、電極等；輕摻雜的多晶硅薄膜常用于MOS存儲器的負載電阻和其他電阻器；多晶硅薄膜由于具有比非晶硅TFT更高的載流子遷移率、更快的開關速度、更高的電流驅動能力、可與CMOS工藝兼容等特點；非晶Si的優(yōu)點：非晶硅薄膜是器件和電路加工所用表面鈍化膜材料之一；對活性半導體表面進行鈍化對提供器件性能、增強器件和電路的穩(wěn)定性、可靠性；提高其封裝成品率等有重要作用。固溶體基本性質：半導體的重要參數(shù)，如晶格常數(shù)和帶隙等隨組分變化而發(fā)生連續(xù)變化。第五章 固溶體半導體材料 凡在固體條件下，一種組分（溶劑）內“溶解”了其它組分（溶質）而形成的單一、均勻的晶態(tài)固體稱為固溶體。N型雜質和P型雜質先相互補償，稱為自補償效應。III族雜質在硅中電離時，能夠釋放空穴而產生導電空穴并形成負電中心，稱為受主雜質。V族雜質在硅中電離時，能夠釋放電子而產生導電電子并形成正電中心，稱為施主雜質。（1）禁帶寬度的不同，又可分為：窄帶隙半導體材料，Si，Ge；寬帶隙半
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