第七章半導(dǎo)體存儲(chǔ)器-文庫(kù)吧資料
2025-07-26 15:06本頁(yè)面
【正文】 大部分降在隧道區(qū)，有利于隧道區(qū)導(dǎo)通。 使用浮柵隧道氧化層 MOS管 Flotox(Floating gate Tunnel Oxide) 10 寫(xiě)入（寫(xiě) 0） 擦除（寫(xiě) 1） 讀出 特點(diǎn)：浮柵與漏區(qū)間的氧化物層極薄（ 20納米以下），稱為隧道區(qū)。 二、 EEPROM 用紫外線擦除操作復(fù)雜，速度很慢。 構(gòu)造： 9 這是一種雙譯碼方式，行地址譯碼器和列地址譯碼器共同選中一個(gè)單元。 256字 X1位。注入電荷后其開(kāi)啟電壓達(dá) 7V，不能正常導(dǎo)通。 注入電荷：在 DS間加高電壓，同時(shí)在控制柵加 25V、50mS寬的脈沖。 8 MOS管 SIMOS (Stackedgate Injuction MOS) 用 N溝道管；增加控制柵。 存儲(chǔ)單元如圖。需 20~30分鐘。在漏源之間加上較高電壓后（如 20V），漏極 PN結(jié)雪崩擊穿，部分高速電子積累在浮柵上，使 MOS管導(dǎo)通。 7 （ EPROM） 一、 EPROM（ UVEPROM） MOS管（ Floatinggate AvalancheInjuction MOS，簡(jiǎn)稱 FAMOS管。 寫(xiě)入時(shí)，在位線輸入編程脈沖使寫(xiě)入放大器工作，且輸出低電平，同時(shí)相應(yīng)的字線和 VCC提高到編程電平，將對(duì)應(yīng)的熔絲燒斷。寫(xiě)入時(shí)設(shè)法在熔絲上通入較大的電流將熔絲燒斷。但
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