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n結(jié)半導(dǎo)體物理第七-在線瀏覽

2025-02-23 14:47本頁(yè)面
  

【正文】 零偏狀態(tài) :V外 =0 1. 內(nèi)建電勢(shì)差 由 PN結(jié)空間電荷區(qū)的形成過(guò)程可知,在達(dá)到平衡狀態(tài)時(shí), PN結(jié)空間電荷區(qū)中形成了一個(gè)內(nèi)建電場(chǎng),該電場(chǎng)在空間電荷區(qū)中的 積分 就形成了一個(gè) 內(nèi)建電勢(shì)差 。 內(nèi)建勢(shì)壘的高度: 影響勢(shì)壘高度的因素: 摻雜濃度; 溫度; 電場(chǎng)強(qiáng)度 耗盡區(qū)電場(chǎng)的產(chǎn)生是由于正負(fù)電荷的相互分離。 結(jié)論: 1) E≤0 ; 2)電場(chǎng)強(qiáng)度為直線分布 3)電場(chǎng)強(qiáng)度最大值在 x=0處; 結(jié)論: 1) E≤0 ; 2)電場(chǎng)強(qiáng)度為直線分布 3)電場(chǎng)強(qiáng)度最大值在 x=0處; 最大電場(chǎng)強(qiáng)度 由 PN結(jié)界面處電場(chǎng)連續(xù)可得: 結(jié)論: 在 PN結(jié)界面兩側(cè), N型區(qū)中單位面積的正電荷與 P型區(qū)中點(diǎn)位面積的負(fù)電荷相等。在 P型區(qū)一側(cè)有: 設(shè)置電勢(shì)零點(diǎn)為: 由此可得: P型區(qū)中一側(cè)空間電荷區(qū)中的電勢(shì)分布為: PN結(jié)空間電荷中電勢(shì)分布: 電子的電勢(shì)能可表示為: 可見(jiàn),電子的電勢(shì)能與電勢(shì)的 變化類似。 反偏狀態(tài)下的 PN結(jié) 當(dāng)在 PN結(jié)的兩邊外加一個(gè)電壓時(shí),此時(shí)整個(gè) PN結(jié)就不再處于熱平衡狀態(tài),因此整個(gè) PN結(jié)系統(tǒng)中也就不再具有統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)。 外加反偏電壓 VR時(shí)的 PN結(jié)的能帶圖 外加電場(chǎng)存在將會(huì)使得能帶圖中 N型區(qū)的費(fèi)米能級(jí)往下拉,下拉的幅度等于外加電壓引起的電子勢(shì)能變化量。 利用前面推導(dǎo)出的 空間電荷區(qū)寬度 公式,只需將公式中的 PN結(jié)內(nèi)建勢(shì)壘代換為反偏 PN結(jié)上總的勢(shì)壘高度,即: 結(jié)論: PN結(jié)中總的空間電荷區(qū)寬度隨著外加反向偏置電壓
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