【摘要】現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理天津工業(yè)大學(xué)雙極型晶體管及相關(guān)器件1雙極型晶體管及相關(guān)器件現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理PhysicsofModernSemiconductorDevices2022,7,30現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理天津工業(yè)大學(xué)雙極型晶體管及相關(guān)器件2本章內(nèi)容?雙極型晶體管的工作原理?雙極型晶體管的靜態(tài)特性
2025-03-02 12:25
【摘要】半導(dǎo)體物理學(xué)主講人:代國(guó)章物理樓110室,13786187882Email:?課程代碼:14010022?課程性質(zhì):專業(yè)課程/選修課學(xué)分:?時(shí)間:周二(7,8)、(單周)周三(1,2)?教室:D座103?課程特點(diǎn):內(nèi)容廣、概念多,理論和系統(tǒng)性較強(qiáng)。?課程要求:著重物理概念及物理
2025-03-02 12:27
【摘要】現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝天津工業(yè)大學(xué)光電器件1光電器件現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝PhysicsandTechnologyofModernSemiconductorDevices現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝天津工業(yè)大學(xué)光電器件2本章內(nèi)容?輻射躍遷與光的吸收?發(fā)光二極管?半導(dǎo)體激光?光
2025-03-03 10:23
【摘要】noneguilibriumcarriersG-R(非平衡載流子的產(chǎn)生與復(fù)合)Chapter5NoneguilibriumCarriers(非平衡載流子)產(chǎn)生率G復(fù)合率R如果在外界作用下,平衡條件破壞,偏離了熱平衡的狀態(tài)非平衡狀態(tài)。外界作用光
2025-06-23 12:47
【摘要】第八章發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器●輻射復(fù)合與非輻射●LED的基本結(jié)構(gòu)和工作過(guò)程●LED的特性參數(shù)發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器-五族化合物中觀察到輻射復(fù)合PN結(jié)發(fā)光1962年砷化鎵發(fā)光二極管和激光器研制成功1970年砷化鎵-鋁鎵砷激光器實(shí)現(xiàn)室溫連續(xù)引言發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器
2025-06-23 12:46
【摘要】我的信息最高能帶填滿,再高的各能帶是空的5~7gEeV?2gEev?由于熱激發(fā),滿帶電子躍遷到上面的空帶,兩個(gè)能帶都成了不滿帶,具備導(dǎo)電能力。為什么Si、Ge是半導(dǎo)體而金剛石是絕緣體?Ge的4個(gè)價(jià)電子Si的4個(gè)價(jià)電子金剛石的4個(gè)價(jià)電子134,
2024-10-13 06:42
【摘要】金屬半導(dǎo)體和半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)?9.1肖特基勢(shì)壘二極管?9.2金屬.半導(dǎo)體的歐姆接觸?9.3異質(zhì)結(jié)?9.4小結(jié)1概念:同質(zhì)結(jié)、異質(zhì)結(jié)、金半結(jié)、歐姆接觸?同質(zhì)結(jié):同材料PN結(jié)?異質(zhì)結(jié):不同材料PN結(jié)?金半結(jié):金屬與半導(dǎo)體接觸(肖特基勢(shì)壘二極管)?歐姆接觸:沒(méi)有整流效應(yīng)的接觸?功函
2025-06-17 12:24
【摘要】上海電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院半導(dǎo)體器件物理第一章半導(dǎo)體特性上海電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院第1章半導(dǎo)體特性半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶半導(dǎo)體中的雜質(zhì)與缺陷載流子的運(yùn)動(dòng)非平衡載流子習(xí)題上海電子信息職業(yè)
2025-03-02 12:12
【摘要】半導(dǎo)體物理與器件第四章第二講邱偉彬§非本征半導(dǎo)體?非本征半導(dǎo)體:摻入定量的特定的雜質(zhì)原子(施主或受主),從而熱平衡電子和空穴濃度不同于本征載流子濃度的半導(dǎo)體材料。–摻入的雜質(zhì)原子會(huì)改變電子和空穴的分布。費(fèi)米能級(jí)偏離禁帶中心位置。–摻入施主雜質(zhì),雜質(zhì)電離形成導(dǎo)帶電子和正電中心(施主離子),而不產(chǎn)生空穴
2025-02-23 14:50
【摘要】導(dǎo)體,絕緣體和半導(dǎo)體物體的導(dǎo)電能力,一般用材料電阻率的大小來(lái)衡量。電阻率越大,說(shuō)明這種材料的導(dǎo)電能力越弱。表1-1給出以電阻率來(lái)區(qū)分導(dǎo)體,絕緣體和半導(dǎo)體的大致范圍。物體電阻率導(dǎo)體半導(dǎo)體絕緣體Ω·CM10e9
2025-03-02 12:26
【摘要】1第一章迄今大約有60種主要的器件以及100種與主要器件相關(guān)的變異器件。4種基本半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。金屬-半導(dǎo)體接觸(1874):整流接觸,歐姆接觸。金半場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MESFET):整流接觸,柵極;歐姆接觸,漏極、源極。微波器件。p-n結(jié):半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵基礎(chǔ)結(jié)構(gòu);p-n-p雙極型晶體管(1947),p-n-p-n結(jié)構(gòu)的可控硅器件。
2025-06-24 12:40
【摘要】南京工業(yè)大學(xué)課程教學(xué)進(jìn)程表課程半導(dǎo)體物理學(xué)時(shí)56院(系)別理專業(yè)應(yīng)物年級(jí)20082010—2011學(xué)年第二學(xué)期教師陳愛(ài)平日期2011/2/21教研室負(fù)責(zé)人蔡永明日期2011/2/21周次及起訖日期講課
2024-07-20 23:36
【摘要】第三章雙極結(jié)型晶體管●雙極結(jié)型晶體管的結(jié)構(gòu)●基本工作原理●理想雙極結(jié)型晶體管中的電流傳輸●愛(ài)伯斯-莫爾方程●緩變基區(qū)晶體管●基區(qū)擴(kuò)展電阻和電流密聚●基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)●晶體管的頻率響應(yīng)●混接型等效電路●晶體管的開關(guān)特性●擊穿電壓●P-N-P-N結(jié)構(gòu)●異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
【摘要】第四章金屬-半導(dǎo)體結(jié)●肖特基勢(shì)壘●界面態(tài)對(duì)勢(shì)壘高度的影響●鏡像力對(duì)勢(shì)壘高度的影響●肖特基勢(shì)壘二極管的電流-電壓特性●肖特基勢(shì)壘二極管的結(jié)構(gòu)●金屬-絕緣體-半導(dǎo)體肖特基勢(shì)壘二極管●肖特基勢(shì)壘二極管和PN結(jié)二極管之間的比較●肖特基勢(shì)壘二極管的應(yīng)用●歐姆接觸金屬-半導(dǎo)體結(jié)引言?金屬-半
【摘要】半導(dǎo)體物理與器件?電導(dǎo)率和電阻率?電流密度:?對(duì)于一段長(zhǎng)為l,截面面積為s,電阻率為ρ的均勻?qū)w,若施加以電壓V,則導(dǎo)體內(nèi)建立均勻電場(chǎng)E,電場(chǎng)強(qiáng)度大小為:對(duì)于這一均勻?qū)w,有電流密度:IJs???IVEl?//ElIVJssElsRs?????