半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)ppt課件-在線瀏覽
2025-06-23 12:47本頁面
【正文】 ntpn??????????????)()()(001010pnccNppncUppntpn????????小注入條件下 )()()(001010ppnccNpppcpnncUppntpn??????????????分析討論 : FE~.1 ?(設(shè) EtEi) (1)強(qiáng) n型 )()()(001010pnccNppncUppntpn????????ppt cN?? ??1N0n1 P0,p1可以省略 (2)弱 n型 )()()(001010pnccNppncUppntpn????????01011nnnncN ppt?? ???可以省略 p0， p1 N1n0 (3)弱 p型 )()()(001010pnccNppncUppntpn????????0101 11pnpncN ppt ?? ???P0》 n0 ???? (4)強(qiáng) p型 )()()(001010pnccNppncUppntpn????????nnT cN?? ??1tE~.2 ?)(1)(1112ppNcnnNcnnpUtntpi????????????? ?????TkEEchnpnnnpcNUitiit022)(???????? ?????TkEEchnpnnnpCNUitiit022)(若 Et靠近 EC：俘獲電子的能力增強(qiáng) 不利于復(fù)合 Et處禁帶中央，復(fù)合率最大。 （ 1）表面復(fù)合 表面氧化層、水汽、雜質(zhì)的污染、表面缺陷或損傷。 俘獲電子和俘獲空穴的能力相差太大 產(chǎn)生原因： 電子陷阱 空穴陷阱 例題 1 )()()(001010pnccNppncUppntpn????????化 例 2 在一塊 p型半導(dǎo)體中，有一種復(fù)合 產(chǎn)生中心，小注入時被這些中心俘獲的電子發(fā)射回導(dǎo)帶的過程和它與空穴復(fù)合的過程有相同的幾率。1中積累的電子數(shù) 擴(kuò)散定律 ? ? ? ? ? ?dxxdSxxxSxS nnn??????l i m0??x 在 x附近，單位時間、單位體積中積累的電子數(shù) 穩(wěn)態(tài)時，積累 =損失 ? ? ? ?nn xndxxdS?
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