極型半導(dǎo)體器ppt課件(編輯修改稿)
2025-02-10 21:42 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 E內(nèi) E外相反：正向偏置 相同：反向偏置 FVRV ( )DDqV q V V ?? BBqq??FM FSEE?? ? ? ?A l Si n?電 子 能 量 電 子 能 量勢 壘 FM FSEE?電阻高 電阻低 動力 ：外加電源提供 凈電流流動 黃君凱 教授 黃君凱 教授 2. 電容效應(yīng) 類似于 結(jié)，外偏壓下半導(dǎo)體耗盡層寬度 W 將改 變，空間電荷也將改變，故存在勢壘電容。由式 （ 2 36） （ 2 37） 易證明， MS 結(jié) 單位面積勢壘電容 可寫成： （ 3 7） 這里： （ 3 8） 因此，通過實驗測量的 曲線，依據(jù)式 （ 2 39） （ 2 40） 便可求出半導(dǎo)體勢壘高度 及其體內(nèi)的雜質(zhì)濃 度分布。 pn?TC12[]2 ( ) ( )S D STDqNCV V W V???????122 ( )( ) [ ]2SDDVVWVN??? ??21 ~TVC ?DV黃君凱 教授 [ 例題 8 ] 金屬 a， b分別與等面積的兩種 （且遷移率 相同） A 和 B 形成肖特基整流接觸，這兩個 MS 結(jié) 的實驗曲線如下圖，判斷哪種半導(dǎo)體硅的電阻率較 大？哪種金屬的功函數(shù)較高？ [ 解 ] 對 MS 結(jié)，因 成立，對右圖有 : 故 ，又電阻率 故 。 Sin?2
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