【正文】 cIII兩者的關(guān)系 ecii??????? 1共發(fā)射極直流放大系數(shù)和交流放大系數(shù) ?0、 ? bcII?0?bcii??? 導(dǎo)論 ? 半導(dǎo)體及其基本特性 ? 半導(dǎo)體中的載流子 ? 半導(dǎo)體的電導(dǎo)率和載流子輸運(yùn) ? PN結(jié) ? 雙極晶體管 ? MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 第二章 半導(dǎo)體物理與器件 晶體管的直流特性曲線 工作壓降： 硅管UBE?~,鍺管UBE?~。 BJT主要用途是對(duì)變化的電流、電壓信號(hào)進(jìn)行放大， 飽和模式和截止模式主要用于數(shù)字電路中。 當(dāng) EB結(jié) 加零偏或反偏、 CB結(jié)加反偏時(shí) ,BJT處于截止模式。 ? 導(dǎo)論 ? 半導(dǎo)體及其基本特性 ? 半導(dǎo)體中的載流子 ? 半導(dǎo)體的電導(dǎo)率和載流子輸運(yùn) ? PN結(jié) ? 雙極晶體管 ? MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 雙極晶體管的兩種形式 第二章 半導(dǎo)體物理與器件 (a)PNP型結(jié)構(gòu)與符號(hào) (b)NPN型結(jié)構(gòu)與符號(hào) B E C IB IE IC B E C IB IE IC 制成晶體管的材料可以為 Si或 Ge。電路表示符號(hào)： BJT。 ? 試比較平衡 pn結(jié) ,正向偏置 pn結(jié) ,反向偏置 pn結(jié)的特點(diǎn) .說(shuō)明其單向?qū)щ娦阅堋Ｊ惯吔缣幍纳僮訚舛鹊陀隗w內(nèi)，產(chǎn)生了少子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，所以反向電流又稱為 反向擴(kuò)散電流 。 第二章 半導(dǎo)體物理與器件 ? 導(dǎo)論 ? 半導(dǎo)體及其基本特性 ? 半導(dǎo)體中的載流子 ? 半導(dǎo)體的電導(dǎo)率和載流子輸運(yùn) ? PN結(jié) ? 雙極晶體管 ? MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 晶體結(jié)構(gòu) 硅晶體的立體結(jié)構(gòu) 金剛石結(jié)構(gòu) Si、 Ge 硅晶體的平面結(jié)構(gòu) 第二章 半導(dǎo)體物理與器件 ? 導(dǎo)論 ? 半導(dǎo)體及其基本特性 ? 半導(dǎo)體中的載流子 ? 半導(dǎo)體的電導(dǎo)率和載流子輸運(yùn) ? PN結(jié) ? 雙極晶體管 ? MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 半導(dǎo)體的摻雜 ?雜 質(zhì) ？好 /壞 替位雜質(zhì)原子 間隙雜質(zhì)原子 個(gè)頭比較大 個(gè)頭比較小 要避免 Cu、 Na等 可利用 P、 B、 As等 第二章 半導(dǎo)體物理與器件 ? 導(dǎo)論 ? 半導(dǎo)體及其基本特性 ? 半導(dǎo)體中的載流子 ? 半導(dǎo)體的電導(dǎo)率和載流子輸運(yùn) ? PN結(jié) ? 雙極晶體管 ? MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 受 主 摻 雜 施 主 摻 雜 與硅結(jié)合后，剩一個(gè)施主電子，可提供為載流子（ donor） 與硅結(jié)合后少一個(gè)電子，從鄰近原子中奪一個(gè)價(jià)電子（ acceptor），硅晶體中產(chǎn)生了空穴載流子 P型半導(dǎo)體和 N型半導(dǎo)體 第二章 半導(dǎo)體物理與器件 ? 導(dǎo)論 ? 半導(dǎo)體及其基本特性 ? 半導(dǎo)體中的載流子 ? 半導(dǎo)體的電導(dǎo)率和載流子輸運(yùn) ? PN結(jié) ? 雙極晶體管 ? MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 電子和空穴 電子： Electron，帶負(fù)電的導(dǎo)電載流子，是價(jià)電子脫離原子束縛 后形成的自由電子，對(duì)應(yīng)于導(dǎo)帶中占據(jù)的電子 空穴： Hole，帶正電的導(dǎo)電載流子，是價(jià)電子脫離原子束縛 后形成的電子空位，對(duì)應(yīng)于價(jià)帶中的電子空位 室溫下： GaAs Si Ge 36 cm/102 ?310 cm/101 ?313 cm/101 ?第二章 半導(dǎo)體物理與器件 ? 導(dǎo)論 ? 半導(dǎo)體及其基本特性 ? 半導(dǎo)體中的載流子 ? 半導(dǎo)體的電導(dǎo)率和載流子輸運(yùn) ? PN結(jié) ? 雙極晶體管 ? MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 小結(jié) 半導(dǎo)體材料 半導(dǎo)體特性 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體摻雜 電子與空穴 施主與受主、 P型與 N型半導(dǎo)體 第二章 半導(dǎo)體物理與器件 ? 導(dǎo)論 ? 半導(dǎo)體及其基本特性 ? 半導(dǎo)體中的載流子 ? 半導(dǎo)體的電導(dǎo)率和載流子輸運(yùn) ? PN結(jié) ? 雙極晶體管 ? MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 半導(dǎo)體中的能帶 原子緊密結(jié)合在一起形成晶體時(shí)，由于相互作用，能級(jí)會(huì)交叉，展寬形成能帶。 微電子學(xué)概論 第二章 半導(dǎo)體物理與器件 (Semiconductor Physics And Device) ? 《 半導(dǎo)體物理學(xué) 》 劉恩科等著 國(guó)防工業(yè)出版社 ? 《 半導(dǎo)體物理學(xué) 》 葉良修 高等教育出版社 ? 《 半導(dǎo)體物理與器件 》 (第 3版 )(美 )Donald A. Neamen著，趙毅強(qiáng)等譯 ? 《 半導(dǎo)體器件物理與工藝 》 (美 )施敏 ()著，王陽(yáng)元等譯 ? 導(dǎo)論 ? 半導(dǎo)體及其基本特性 ? 半導(dǎo)體中的載流子 ? 半導(dǎo)體的電導(dǎo)率和載流子輸運(yùn) ? PN結(jié) ? 雙極晶體管 ? MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 參考書(shū) 第二章 半導(dǎo)體物理與器件 在微電子教學(xué)中的作用 橋梁 基礎(chǔ)課 （高等數(shù)學(xué)、普通物理） 專業(yè)課 （集成電路設(shè)計(jì)、工藝） 集成電路（ 1958年）發(fā)明； 研究半導(dǎo)體表面、界面等物理問(wèn)題； 研究集成電路的穩(wěn)定性、可靠性等； 研究納電子器件、量子器件等未來(lái)半導(dǎo)體器件。 理論支持 ? 導(dǎo)論 ? 半導(dǎo)體及其基本特性 ? 半導(dǎo)體中的載流子 ? 半導(dǎo)體的電導(dǎo)率和載流子輸運(yùn) ? PN結(jié) ? 雙極晶體管 ? MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 第二章 半導(dǎo)體物理與器件 第二章 半導(dǎo)體物理與器件 ? 半導(dǎo)體及其基本特性 ? 半導(dǎo)體中的載流子 ? 半導(dǎo)體的電導(dǎo)率和載流子輸運(yùn) ? PN結(jié) ? 雙極晶體管 ? MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 特性、晶格、材料、摻雜 載流子濃度、能帶、費(fèi)米能級(jí)，熱平衡 能帶圖、 IV特性、擊穿、電容 器件結(jié)構(gòu)、 IV特性、放大原理、擊穿 ? 導(dǎo)論 ? 半導(dǎo)體及其基本特性 ? 半導(dǎo)體中的載流子 ? 半導(dǎo)體的電導(dǎo)率和載流子輸運(yùn) ? PN結(jié) ? 雙極晶體管 ? MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 主要內(nèi)容 電阻率、遷移率、過(guò)剩載流子 結(jié)構(gòu)、原理、閾值電壓、特性、種類、電容 ? 導(dǎo)論 ? 半導(dǎo)體及其基本特性 ? 半導(dǎo)體中的載流子 ? 半導(dǎo)體的電導(dǎo)率和載流子輸運(yùn) ? PN結(jié) ? 雙極晶體管 ? MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 金屬 半導(dǎo)體 絕緣體 固體材料：超導(dǎo)體 : 大于 106(?cm)1 導(dǎo) 體 : 106~104(?cm)1 半導(dǎo)體 : 104~1010(?cm)1 絕緣體 : 小于 1010(?cm)1 半導(dǎo)體：電導(dǎo)率介于導(dǎo)體和絕緣體之間，電導(dǎo)率受溫度、摻雜及光照等因素影響，跨度很大，簡(jiǎn)單可調(diào)。 能級(jí) 能帶 第二章 半導(dǎo)體物理與器件 ? 導(dǎo)論 ? 半導(dǎo)體及其基本特性 ? 半導(dǎo)體中的載流子 ? 半導(dǎo)體的電導(dǎo)率和載流子輸運(yùn) ? PN結(jié) ? 雙極晶體管 ? MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 半導(dǎo)