復(fù)旦大學(xué)(微電子)半導(dǎo)體器件第八章mosfe-文庫吧資料
2025-05-18 23:29本頁面
【正文】 四種倒相器的比較 ? 在數(shù)字電路中應(yīng)用的倒相器和前面講的開關(guān)要求不完全相同。 VDS ? Ey ? 當(dāng) Ey ? Ec 時，溝道擊穿 電子：溝道 ? D 溝道 ? SiO2 空穴：溝道 ? B (3) 漏源勢壘穿通 n+ n+ pSi VGS VDS S B E(x) x 0 L DsAPT VLqNV ???22擴(kuò)散勢 V D MOSFET 的柵擊穿 SiO2 擊穿電場 Ec = (5~10)?106 V/cm Eg. Cox = 1 pF， tox = 100 nm， Q = (5~10)?10?11 C V / c m 105 6???oxoxox CtQE ? n+ n+ pSi G D n+ S 柵擊穿！ 齊納二極管 （隧道二極管） dtdVC GDGDdtdVC GSGSMOSFET 的電容 n+ n+ … … G S D iG iS iD CGSO CGDO CJS CJD CGB B MOSFET 的高頻等效電路 最高振蕩頻率 GSmimCgCgf?? 22m ax ??gmvGS + ? ? G S D CGS gD?1 S ? + CGD = 0（飽和區(qū)） vGS 其中（飽和區(qū)） ? ?TGSoxnm VVLWCg ?? ?WLCCC oxGGS 3232 ?? 考慮到實(shí)際 MOSFET 的寄生電容（尤其是柵漏交迭電容 CGDO）， CGDO 作為反饋電容耦合進(jìn) Ci， ? ?? ?? ? ? ? GD OVmGD OGDVGS OGS mim CGgCCGCCgCgf???????? 12122max ???減小 Overlap，降低寄生電容，可采用自對準(zhǔn)多晶硅柵工藝。max )()(其中 oxImoxBT CqNCQV ?????????????iAoxAoxssmsTn nNqkTCdqNCQV ln2max?Rp dmax ? PSi MOSFET 的輸出特性 線性區(qū) 飽和區(qū) 擊穿區(qū) IDS ~ VDS（ VGS為參量） NMOS（增強(qiáng)型） 輸入 G 輸出 S S D 簡化的 MOSFET ? 源區(qū)和漏區(qū)的電壓降可以忽略不計； ? 在溝道區(qū)不存在產(chǎn)生 復(fù)合電流； ? 溝道電流為漂移電流； ? 溝道內(nèi)載流子的遷移率為常數(shù) ?n (E) = C ； ? 緩變溝道近似 yyxExyxE yx?????? ),(),(為了計算方便作以下簡化假設(shè)： MOSFET 的可調(diào)電阻區(qū) (線性區(qū) ) 溝道中反型電子電荷面密度
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