復(fù)旦大學(xué)(微電子)半導(dǎo)體器件第八章mosfe-wenkub
2023-05-27 23:29:59 本頁面
【正文】 ?n (E) = C ； ? 緩變溝道近似 yyxExyxE yx?????? ),(),(為了計(jì)算方便作以下簡化假設(shè)： MOSFET 的可調(diào)電阻區(qū) (線性區(qū) ) 溝道中反型電子電荷面密度 y 0 L V(0) = 0 V(L) = VDS B ? ?TGSoxn VVCQ ??反型層薄層電阻 ? ?chchnnchsh ddQdR?? 1??? ?TGSoxnnn VVCQ ??? ??11? ? ? ? DSTGSnoxsh DSchDSDS VVVLWCWLRVRVI ???? ?可調(diào)電阻 嚴(yán)格推導(dǎo)（考慮到 VDS 對溝道中反型電子濃度的影響）： 強(qiáng)反型條件下（ VGS VT） VDS 較小時(shí) ? ? ?????? ??? 221 DSDSTGSnoxDS VVVVLWCI ? LWC nox ?? ?跨導(dǎo)參數(shù) (1) 當(dāng) VDS = VDSsat 時(shí) 定義 VDSsat ? VGS ? VT Qn(L) = 0 反型電子消失 溝道被 夾斷 ? ?? ? ? ? ?????? ????? 221 TGSTGSTGSnoxDS VVVVVVLWCI ?MOSFET 的飽和區(qū) Leff ?L y ? ? 22 2121 DSs atTGSnox VVVLWC ?? ???(2) 當(dāng) VDS VDS sat 時(shí) 夾斷點(diǎn)左移，有效溝道縮短 ?????? ?????? LLLLLL e ff 1221DSs atDSs atDS VII ???IDSsat 不飽和， 溝道長度調(diào)制效應(yīng) NMOS（增強(qiáng)型） NMOS（耗盡型） PMOS（增強(qiáng)型） PMOS（耗盡型） 四種 MOSFET 的輸出特性 溝道長度調(diào)制效應(yīng) ? 溝道長度調(diào)制效應(yīng)使輸出特性的飽和區(qū)發(fā)生傾斜。 ? Ioff ? 0（亞閾值電流） ； Von Voff 0 VDD 負(fù)載線 +VDD vDS(t) vGS(t) + ? RD C + ? 幾種 MOS 倒相器 +VDD RD C +VDD C M2 M1 +VDD C M2 M1 +VDD C M2 M1 電阻負(fù)載型 MOS 倒相器 EE MOS 倒相器 ED MOS 倒相器 CMOS 倒相器 MOS 倒相器負(fù)載線和電壓傳輸特性 IDS 0 VDD Ion VDS 電阻型負(fù)載 EE MOS ED MOS CMOS CMOS的結(jié)構(gòu) ? CMOS是一個(gè) N溝 MOS和一個(gè) P溝 MOS組成的倒相器，它的結(jié)構(gòu)示意圖為： NSi P N+ N+ p+ p+ CMOS 倒相器電傳輸特性 四種倒相器的比較 ? 在數(shù)字電路中應(yīng)用的倒相器和前面講的開關(guān)要求不完全相同。 MOSFET按比例
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