復(fù)旦大學(xué)(微電子)半導(dǎo)體器件第八章mosfe-文庫(kù)吧
2025-04-27 23:29 本頁(yè)面
【正文】 S 的影響 4. 離子注入調(diào)整閾值電壓 離子注入調(diào)整 閾值電壓 增強(qiáng)型 耗盡型 ? ? )()()()( maxmax0 39。max m a x dQdQdxxNNqdQ BBd AAtotalB ????? ?ImdAB qNdxxqNdQ ??? ?m a x039。max )()(其中 oxImoxBT CqNCQV ?????????????iAoxAoxssmsTn nNqkTCdqNCQV ln2max?Rp dmax ? PSi MOSFET 的輸出特性 線性區(qū) 飽和區(qū) 擊穿區(qū) IDS ~ VDS（ VGS為參量） NMOS（增強(qiáng)型） 輸入 G 輸出 S S D 簡(jiǎn)化的 MOSFET ? 源區(qū)和漏區(qū)的電壓降可以忽略不計(jì)； ? 在溝道區(qū)不存在產(chǎn)生 復(fù)合電流； ? 溝道電流為漂移電流； ? 溝道內(nèi)載流子的遷移率為常數(shù) ?n (E) = C ； ? 緩變溝道近似 yyxExyxE yx?????? ),(),(為了計(jì)算方便作以下簡(jiǎn)化假設(shè)： MOSFET 的可調(diào)電阻區(qū) (線性區(qū) ) 溝道中反型電子電荷面密度 y 0 L V(0) = 0 V(L) = VDS B ? ?TGSoxn VVCQ ??反型層薄層電阻 ? ?chchnnchsh ddQdR?? 1??? ?TGSoxnnn VVCQ ??? ??11? ? ? ? DSTGSnoxsh DSchDSDS VVVLWCWLRVRVI ???? ?可調(diào)電阻 嚴(yán)格推導(dǎo)（考慮到 VDS 對(duì)溝道中反型電子濃度的影響）： 強(qiáng)反型條件下（ VGS VT） VDS 較小時(shí) ? ? ?????? ??? 221 DSDSTGSnoxDS VVVVLWCI ? LWC nox ?? ?跨導(dǎo)參數(shù) (1) 當(dāng) VDS = VDSsat 時(shí) 定義 VDSsat ? VGS ? VT Qn(L) = 0 反型電子消失 溝道被 夾斷 ? ?? ? ? ? ?????? ????? 221 TGSTGSTGSnoxDS VVVVVVLWCI ?MOSFET 的飽和區(qū) Leff ?L y ? ? 22 2121 DSs atTGSnox VVVLWC ?? ???(2) 當(dāng) VDS VDS sat 時(shí) 夾斷點(diǎn)左移，有效溝道縮短 ?????? ?????? LLLLLL e ff 1221DSs atDSs atDS VII ???IDSsat 不飽和， 溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng) NMOS（增強(qiáng)型） NMOS（耗盡型） PMOS（增強(qiáng)型） PMOS（耗盡型） 四種 MOSFET 的輸出特性 溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng) ? 溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)使輸出特性的飽和區(qū)發(fā)生傾斜。 M
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