【摘要】微電子學(xué)概論第二章半導(dǎo)體物理與器件(SemiconductorPhysicsAndDevice)?《半導(dǎo)體物理學(xué)》劉恩科等著國防工業(yè)出版社?《半導(dǎo)體物理學(xué)》葉良修高等教育出版社?《半導(dǎo)體物理與器件》(第3版)(美)DonaldA.Neamen著,趙毅強等譯
2025-07-26 05:07
【摘要】半導(dǎo)體器件失效分析基礎(chǔ)內(nèi)部資料,注意保密課程說明?課程時長:4小時?授課方式:講授?必備條件:數(shù)投、便攜機、白板、擴音設(shè)備?課程簡介:通過對《半導(dǎo)體器件失效分析基礎(chǔ)》課程的講解,使學(xué)員體會到產(chǎn)品進行元器件失效分析的重要性和迫切性,本課程主要講授了器件常見失效模式、常見失效機理、失效分析流程、
2025-01-04 12:34
【摘要】微電子器件可靠性習(xí)題第一、二章數(shù)學(xué)基礎(chǔ)1.微電子器件的可靠性是指產(chǎn)品在 規(guī)定條件下和規(guī)定時間內(nèi);完成 規(guī)定功能的能力。2.產(chǎn)品的可靠度為R(t)、失效概率為F(t),則二者之間的關(guān)系式為R(t)+F(t)=1。3.描述微電子器件失效率和時間之間關(guān)系的曲線通常為一“浴盆”,該曲線明顯分為三個區(qū)域,分別是早期失效期、偶然失效期和耗損失效期
2025-03-31 01:56
【摘要】第二章可靠性的數(shù)學(xué)基礎(chǔ)介紹可靠性的定量表征,常用概率分布及可靠性系統(tǒng)?可靠性:是指產(chǎn)品在規(guī)定的條件下,在規(guī)定的時間內(nèi)完成規(guī)定功能的概率。?三個規(guī)定來描述可靠性——定性的?準(zhǔn)確地描述產(chǎn)品可靠性——定量的?產(chǎn)品的壽命是隨機的變量——數(shù)理統(tǒng)計來討論?可靠性的數(shù)學(xué)描述:可靠度、失效概率、失效概率密度、
2025-01-19 12:11
【摘要】半導(dǎo)體照明產(chǎn)品可靠性及失效機理分析報告人:錢誠半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室可靠性可靠性失效分析前提基礎(chǔ)目的需求-測試與評價?環(huán)境試驗?壽命試驗-可靠性設(shè)計?壽命預(yù)測?產(chǎn)品良率-失效模式?光衰?色漂?災(zāi)難性失效-失效
2025-01-12 03:45
【摘要】第二章半導(dǎo)體物理及器件物理基礎(chǔ)本節(jié)內(nèi)容?半導(dǎo)體材料、基本晶體結(jié)構(gòu)與共價鍵?能級與能帶?本征載流子濃度?施主和受主導(dǎo)電性:固態(tài)材料可分為三類,即絕緣體、半導(dǎo)體及導(dǎo)體。?絕緣體:電導(dǎo)率很低,約介于10-18S/cm~10-8S/cm,如熔融石英及玻璃;?導(dǎo)體:電導(dǎo)率較高,介于104S
2025-01-19 12:27
【摘要】1POTENTIALFAILUREMODEANDEFFECTSANALYSIS(FMEA)失效模式分析2FMEA概要何謂FMEA:是描述為一組系統(tǒng)化的活動,其目的是:A:發(fā)現(xiàn)和評價產(chǎn)品/過程中潛在的失效及其失效效應(yīng)B:找到能夠避免或減少這些潛在失
2025-03-04 15:28
【摘要】集成電路可靠性和可靠性物理P67SemiconductorReliability&ReliabilityPhysics集成電路可靠性與可靠性物理2目錄第一章概述3
2024-08-28 21:39
【摘要】第三章晶閘管§普通晶閘管Thyristor硅可控整流器,可控硅,SCR。一、結(jié)構(gòu):四層PNPN結(jié)構(gòu),三端器件符號正向阻斷:A—K接正電壓,J2反偏,漏電流很小。反向阻斷:A—K接負(fù)電壓,J1,J3反偏,漏電流很小。等效電路:由PN
2025-05-06 01:43
【摘要】第六章可關(guān)斷晶閘管(GTO)特點:是SCR的一種派生器件;具有SCR的全部優(yōu)點,耐壓高、電流大、耐浪涌能力強,造價便宜;為全控型器件,工作頻率高,控制功率小,線路簡單,使用方便?!霨TO結(jié)構(gòu)及工作原理GateTurn-offThyristor——GTO一、結(jié)構(gòu):四層PNPN結(jié)構(gòu),三端器件;特點:①
2025-05-07 06:14
【摘要】第七章雙極型晶體管?基本結(jié)構(gòu)?載流子流動情況及工作原理?理想晶體管的直流輸入輸出特性?二級效應(yīng)?擊穿特性?高頻特性?開關(guān)特性?晶體管模型雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)n+pnEBC發(fā)射區(qū)基區(qū)集電區(qū)p+npEBC發(fā)射區(qū)基區(qū)集電區(qū)
2025-05-05 05:33
【摘要】第五章結(jié)?平衡態(tài)PN結(jié);?PN結(jié)的伏安特性;?PN結(jié)的電容;?PN結(jié)的擊穿特性;?PN結(jié)二極管的開關(guān)特性;?金-半肖特基接觸和歐姆接觸;?異質(zhì)結(jié):半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)-PN結(jié)、金半結(jié)和異質(zhì)結(jié)PN結(jié)空間電荷區(qū)?由于PN結(jié)兩邊載流子濃度不同造成載流子擴散運動,載
2025-05-05 05:53
【摘要】第四章電力晶體管§GTR結(jié)構(gòu)雙極型大功率、高反壓晶體管——GTR(巨型晶體管)GiantTransistor三層半導(dǎo)體材料,兩個PN結(jié)(NPN型、PNP型)。一、工藝特點三重擴散;叉指型基極和發(fā)射極;特點:發(fā)射區(qū)高濃度摻雜基區(qū)很?。◣譽m—幾十um)N-摻雜
【摘要】SemiconductorReliabilityReliabilityPhysics集成電路可靠性與集成電路可靠性與可靠性物理可靠性物理1二兩種不同工作條件下的再結(jié)構(gòu)現(xiàn)象1,高溫少循環(huán)(例如:合金、燒結(jié)、熱壓等工藝過程)再結(jié)構(gòu)⑴再結(jié)構(gòu)表面出現(xiàn)的小丘、晶須和空洞往往覆蓋了整個晶?;蚍植荚诰чg三相點處。⑵小丘和空洞產(chǎn)生的原因—壓
2025-01-01 15:55
【摘要】共因失效系統(tǒng)可靠性2前言:系統(tǒng)可靠性分析是一項系統(tǒng)性的研究和分析工作,其作用對既有系統(tǒng)給出定量評價,揭示降低系統(tǒng)可靠性的原因,加以改進,提高其可靠性;傳統(tǒng)的可靠性分析常常忽視共因引起的系統(tǒng)失效,針對傳統(tǒng)方法的不足,隨著微機電技術(shù)的發(fā)展,在工程設(shè)計中采用大量的各種冗余方法,以提高系統(tǒng)可靠性,共因失效的存在顯著地降低
2025-08-11 03:17