復(fù)旦大學(xué)(微電子)半導(dǎo)體器件第七章_bj-文庫(kù)吧資料
2025-05-05 05:33本頁(yè)面
【正文】 epepe1 ,1 11?????????? ???????? ???? bsheshepebbepeneneRRWLWJJJ）（或???基區(qū)電流 電子： ne JJ ?空穴（復(fù)合電流）： 22*21 nbbnencLWJJ ????但 Jne略大于 Jnc nevb JJJ ??發(fā)射效率 （注入比） 基區(qū)輸運(yùn)系數(shù) （當(dāng) Wb Lnb 時(shí)） 共基極 輸入、輸出特性 Ie Ib Ic Vbe Vcb I E / mA VBE / V VCB 輸入特性 輸出特性 共發(fā)射極 輸入、輸出特性 Ib Ie Ic Vbe Vce VCE 輸入特性 輸出特性 發(fā)射極勢(shì)壘區(qū)復(fù)合的影響 發(fā)射極勢(shì)壘區(qū)復(fù)合 ? 發(fā)射極電流集邊效應(yīng) ?Seff ： 發(fā)射極有效半寬 z y x qkTSVVVeffyy ????? )()0(Se J (?Seff) = J (0) / e cebbpbe ff ILWNkTS ????… … E B rbb’ 基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)（ Early效應(yīng)） N+ P N Wb* Wb Vcb ? Wb* ? dnb/dx ? Ine ? Ic ? ? ?kTqVW nq A DII bebpbnbnec e x p*0??AccbbbccbbbccbcVIVWWIVWWIVI ?????????????Early 電壓 Early效應(yīng)對(duì) 共基極輸入、輸出特性影響 E B C Early 效應(yīng) 輸入特性 輸出特性 Vbe 不變， Vcb? ? Wb? ? npb0/Wb（斜率） ? ? Ine (? Ie) ? Early效應(yīng)對(duì) 共射極輸入、輸出特性影響 輸入特性 輸出特性 B E C Early 效應(yīng) Early 效應(yīng) Vbe 不變， Vcb ? ? Wb ? ? Ivb（復(fù)合） ? ? Ib ? Kirk 效應(yīng)（有效基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)） p n? x n+ E 集電區(qū)大注入： nc ~ Nc 集電極電流 Jc ? nc ? q ( Nb+ nc ) q ( Nc ? nc ) scc qvJn ?飽和漂移速度 ? Kirk 效應(yīng) Kirk 效應(yīng)（有效基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)） 中性 nc = Nc nc Nc 臨界 Jc0 nc = nc0 Emax Jc Jc0? Wb ? Wb + ?Wb ? ? ? ? ? ? Kirk 效應(yīng) Kirk效應(yīng)發(fā)生的條件 : C O s C s CJ q v n q v N??晶體管的擊穿特性 基區(qū)穿通 n+ n xc p n+ p n? n+ (Nc)
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