復(fù)旦大學(xué)(微電子)半導(dǎo)體器件第七章_bj(參考版)
2025-05-02 05:33本頁面
【正文】 。 ? 寫出特征頻率與晶體管結(jié)構(gòu)參數(shù)之間的關(guān)系，指出提高特征頻率的途徑？ ? 畫出特征頻率隨集電極電流變化的曲線。 ? 寫出理想共基極直流電流增益與晶體管結(jié)構(gòu)參數(shù)之間的關(guān)系。這時磷（或者砷）在多晶層很快擴(kuò)散而到單晶區(qū)擴(kuò)散速度減緩，形成淺、側(cè)向擴(kuò)散小而陡峭的雜質(zhì)分布 ? 特點(diǎn)：自對準(zhǔn)（有利于減小器件尺寸）、高發(fā)射系數(shù)。mrg反 向 跨 導(dǎo)mfgcmfqIgkT正 向 跨 導(dǎo)BJT的 EbersMoll 167。 第 四 項(xiàng) 是 和 Early 效 應(yīng) 有 關(guān) 的 項(xiàng) 。cbg39。第七章 雙極型晶體管 ? 基本結(jié)構(gòu) ? 載流子流動情況及工作原理 ? 理想晶體管的直流輸入輸出特性 ? 二級效應(yīng) ? 擊穿特性 ? 高頻特性 ? 開關(guān)特性 ? 晶體管模型 雙極型晶體管的結(jié)構(gòu) n+ p n E B C 發(fā)射區(qū) 基區(qū) 集電區(qū) p+ n p E B C 發(fā)射區(qū) 基區(qū) 集電區(qū) E C B npn E C B pnp 晶體管結(jié)構(gòu)示意舉例 合金管 平面管 晶體管的工作原理 放大條件： 2o Wb Lnb 3o 發(fā)射結(jié)正偏 4o 集電結(jié)反偏 n+ p n E B C Ie Ic Ib RE RL Vbe Vcb 熱平衡 放大偏置 1o Nb Ne 晶體管中的電流傳輸 1. 電流傳輸 penee III ??cboncc III ??cbovbpeb IIII ???Ine ? Inc cbe III ??共基極電流放大系數(shù) 0??cbVecII? 1 ? ? 1 nccnenceneecIIIIIIII ?????** ??? ???集電結(jié)倍增因子 基區(qū)傳輸系數(shù) 發(fā)射效率（注入比） nepepeneneeneIIIIIII????? 11? ? 1 （當(dāng) Ne / Nb 1 時） nevbncvbnenencIIIIIII ????? 1*? ? 1 （當(dāng) Wb Lnb 時） Ie Ib Ic Vbe Vcb 共發(fā)射極電流放大系數(shù) ???????? 1cecVbcIIIIIce 1 Ib Ie Ic Vbe Vce 例如： ? = ，則 ? ? 100 晶體管中的少子分布 ? ?kTqVnn bepbpb ex p)0( 0?? ?kTqVnWn bcpbbpb ex p)( 0?? 0 ? ?kTqVpxp benene e x p)( 01 ??? ?kTqVpxp bc e x p)( 02 ?? 0 N+ P N Wb 0 x x1 x2 x2 正偏 反偏 晶體管的直流特性 發(fā)射結(jié)電流 電子： ? ?kTqVW nqDJ bebpbnbne e x p0?空穴： ? ?? ?1ex p0?? kTqVL pqDJ bepen
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