復(fù)旦大學(xué)(微電子)半導(dǎo)體器件第五章pn結(jié)(參考版)
2025-05-02 05:53本頁(yè)面
【正文】 ? 試比較 PN結(jié)、金－半結(jié)、異質(zhì)結(jié)。 ? 用二維電子氣制造高電子遷移率晶體管的突出優(yōu)點(diǎn)： 減少散射、可在低溫下工作。 ? 金－半肖特基二極管的突出優(yōu)點(diǎn)：正向閾值電壓低、沒(méi)有非平衡載流子儲(chǔ)存效應(yīng)（沒(méi)有擴(kuò)散電容）。 ? 隧道擊穿和雪崩擊穿的機(jī)制及發(fā)生的條件。 ? 勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容的表達(dá)式。 鏡象效應(yīng)和隧道效應(yīng) ? 鏡象效應(yīng) ? 隧道效應(yīng) 平衡異質(zhì)結(jié)能帶圖 應(yīng)用舉例 ? 提高發(fā)射系數(shù)： 1 210 2012e xp 1pf nnppnD qVDj q p nL L k T?? ?? ??? ? ??? ?? ????????211101e x p ginDEnpN k T??? ? ?????222202e x p gipAEnnN k T??? ? ?????21e x p ????? ????ggnpEEjj k TH EM T??遷 移 率 高低 溫 工 作?高電子遷移率晶體管 重點(diǎn)內(nèi)容 ? Ek能帶圖 (本征特性 )， E能帶圖（均勻半導(dǎo)體雜質(zhì)缺陷能級(jí)）， Ex能帶圖（非均勻半導(dǎo)體，包括同質(zhì)結(jié)、異質(zhì)結(jié)等。 ? 平衡情況下表面和體內(nèi)有統(tǒng)一的費(fèi) 米能級(jí)。 ? ? ? ?*2( ) e x p e x p 1nsJ V A T q k T q V k T?? ? ?????? ?e xp 1STJ qV k T??????A* = 120 (mn*/m0) Acm2K2 表面能級(jí) ? 半導(dǎo)體表面存在懸掛鍵，有表面態(tài)。 ? 增大結(jié)面積：增大工作電流、降低開(kāi)關(guān)速度。 ? 低摻雜區(qū)厚度薄：大電流時(shí)串聯(lián)電阻小、儲(chǔ)存電荷少、開(kāi)關(guān)速度快、如果比擊穿電壓時(shí)耗盡層寬度薄就會(huì)降低擊穿電壓。 ? 二極管導(dǎo)通狀態(tài)是大電流工作區(qū)，它的正向電壓包括：結(jié)壓降、非平衡載流子擴(kuò)散區(qū)壓降和電中性區(qū)體電阻壓降。但是它導(dǎo)通的時(shí)后兩端有電壓降，截止?fàn)顟B(tài)還有電流，狀態(tài)的切換過(guò)程有一定的時(shí)間延遲，反向電壓高了會(huì)擊穿，導(dǎo)通電流大了會(huì)燒壞 開(kāi)關(guān)過(guò)程 Vbe ViL ViH t I
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