第七章半導體電子論(參考版)
2025-08-04 12:47本頁面
【正文】 /2 .gE k Tn p N N e ?????因此有： 帶隙寬度 .gE E E????29 The End 30 。 ? ? ? ? /1.1 DDDD E E k TNn n f En e N? ? ?? ? ??????因此有： 引入施主電離能 .iDE E E???? ? 12 2 .iE k TDn N N e ????28 本征激發(fā) 在足夠高的溫度下 ， 由滿帶激發(fā)到導帶的電子 (稱為本征激發(fā) ) 將成為主要載流子 。 27 雜質(zhì)激發(fā) 考慮含有一種施主的 N 型半導體 ， 在足夠低的溫度下 ， 載流子主要是由施主激發(fā)到導帶的電子 。 滿帶中空穴的情況類似 ， 占據(jù)幾率為： ? ? ? ?1. FE E k Tf E e ???? 空穴能量越低 ， 電子占據(jù)幾率越高；空穴出現(xiàn)幾率隨能量增加按 Boltzmann統(tǒng)計的指數(shù)規(guī)律減小 。 23 金屬中的電子處于簡并化的狀態(tài) ， Fermi 能級在導帶中間 ， Fermi 能級一下幾乎全滿 。 039。 極值點不是 Γ 點時可以做類似討論，有 : ? ? ? ?200239。 22 這時求和項中可以近似只保留價帶貢獻。 01 1 2.* 0 0ini n nn p nm m m E E???? 求和項中通常只有一個態(tài)的貢獻是重要的。 39。 0 39。 39。 0 39。 39。 20 kp? 微擾方法 Γ 點： ? ? ? ? ? ?2 2 200 n n npkV u r E u rmm? ? ? ?? ? ??? ??? ? ? ?取0nu為零級近似波函數(shù) , 把kpm?作為微擾 。 在 極值點 k0 附近 ， 把能量展開到二階： ? ? ? ?2200 .2*kkE E km??????? ?有效質(zhì)量由二次項決定。 Ge、 Si材 料都是間接帶隙半導體 ； GaAs、 InSb是直接帶隙半導體 ； αSn的帶隙寬度為 0， 稱為 零帶隙半導體 。 17 帶隙寬度是半導體能帶的一個基本參數(shù) ， 可以用本征光吸收實驗測定 ， 也可以用電導率 隨溫度變化的實驗來測定 。 因此制作電子 空穴發(fā)光器件時，一般要用直 接帶隙半導體。 通常情
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