第七章半導(dǎo)體存儲(chǔ)器(參考版)
2025-07-23 15:06本頁(yè)面
【正文】 19 ROM的簡(jiǎn)化表示方法。 各片地址分配情況： 000H 0FFH 100H 1FFH 2FFH 3FFH 200H 300H 18 用存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù) ROM的每個(gè)輸出都是由地址輸入的最小項(xiàng)之和的形式給出的，因此可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù)。 N= 目標(biāo)存儲(chǔ)器容量 已有存儲(chǔ)器容量 需要片數(shù) N=8 例：用 1024字 1位 RAM構(gòu)成 1024字 8位 RAM. 17 例：用 256字 8位 RAM組成 1024字 8位存儲(chǔ)器。 13 14 圖 六管 NMOS靜態(tài)存儲(chǔ)單元 15 二、 SRAM的靜態(tài)存儲(chǔ)單元 NMOS靜態(tài)存儲(chǔ)單元 CMOS靜態(tài)存儲(chǔ)單元 16 方法：所有輸入信號(hào)都并聯(lián)（地址信號(hào)、片選信號(hào)和讀寫信號(hào)）。 ： 片選信號(hào) CS： 控制 I/O端是否處在高阻狀態(tài)。也可稱為讀寫存儲(chǔ)器。但切斷電源后，所存信息就會(huì)丟失。 ?該管特點(diǎn)： 12 （ RAM） SRAM 特點(diǎn)： RAM在工作時(shí) 可隨時(shí)對(duì)任意指定單元進(jìn)行讀或?qū)懖僮鳌? ； －－ 10～ 15nm。 三、快閃存儲(chǔ)器 (Flash Memory） 采用新型隧道氧化層 MOS管。 GC Gf 漏極 當(dāng)隧道區(qū)的等效電容極小時(shí)，加在控制柵和漏極間的電壓
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