【正文】 RTC USB 超級 I/O IDE1 COM1 COM2 LPT1 550MHz L1 Cache L2 Cache 處理機總線 100MHz 100MHz PCI 總線 33MHz PCI 插槽 ISA 插槽 ISA總線 8MHz 內存條 ROM BIOS 顯 示 器 硬盤 光驅 軟驅 鍵盤鼠標 打印機 MODEM 66MHz 顯卡 IBM PC機的發(fā)展簡史 名稱 推出年代 采用 CP U 特點IB M PC 1981 8088 準 16 位微機 內存尋址 1MB DOS 操作系統(tǒng)IB M PC /XT 1983 8088 比 IB M PC 多一個 10M B 硬盤IB M PC /A T 1984 80286 內存尋址增至 1 6MB 具有虛擬存儲器功能 W indow s 操作系統(tǒng)386 機486 機PentiumPentium IIPentium III198619901993199719998038680486PentiumPentium IIPentiumIII 內存容量更大 3 2MB 、 64 MB 支持虛擬 8086 模式 可執(zhí)行多任務 支持多媒體、網(wǎng)絡技術。 要求： 由 2片 8K 4位和 1片 8K 8位的 ROM芯片組成 16KB的 ROM空間 。 6000H 67FFH 6800H 6BFFH 2K 8位 ROM 1K 4位 RAM 1K 4位 RAM … … … amp。地址線 A13～ A11與 38譯碼器的 C,B,A引腳相連， 38譯碼器的輸出 /Y4接到 ROM的片選； /Y5和 A10經(jīng)或門接到 2片 RAM的片選。 其余的與 /MREQ共同產生存儲芯片的片選信號。 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 …… 0 1 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 系統(tǒng)程序區(qū)2kX8位 用戶程序區(qū)1kX8位 (2)選器件：系統(tǒng)程序區(qū)用 1片 2KX8位 ROM；用戶程序區(qū) 2片 1KX4位 RAM。 ② 合理選用上述存儲芯片，說明各選幾片？ ③ 詳細畫出存儲芯片的片選邏輯圖。 以及 74LS138譯碼器和各種門電路（非門、與非門、或門）。 綜合舉例 : 設 CPU有 16根地址線， 8根數(shù)據(jù)線，并用 MREQ作訪存控制信號（低電平有效），用 /WE作讀寫控制信號（高電平為讀，低電平為寫）。 例： CPU的地址線是 16位，用 16K 8位的芯片組成32KB的內存。 WR A0～ A10 CS WE D7～ D0 A0～ A10 CS WE D7～ D0 A0～ A10 CS WE D7～ D0 A0～ A10 CS WE D7～ D0 A11～ A 12 A0～ A 10 D7～ D 0 2:4譯碼器 CPU 0 6116② 6116① 6116③ 6116④ 1 2 3 A13～ A 15 ≥1 部分譯碼方式 部分譯碼的特點是： 每片 (或組 )芯片的地址范圍不再唯一的。 全譯碼法將除片內尋址外的全部高位地址線都作為地址譯碼器的輸入，譯碼器的輸出作為各芯片的片選信號，將它們分別接到存儲芯片的片選端，以實現(xiàn)對存儲芯片的選擇。 線選法的優(yōu)點是不需要地址譯碼器，線路簡單，選擇芯片無須外加邏輯電路，但僅適用于連接存儲芯片較少的場合。 三、存儲芯片的地址分配和片選 線選法就是用除片內尋址外的高位地址線直接（或經(jīng)反相器）分別接至各個存儲芯片的片選端，當某地址線信息為“ 0”時，就選中與之對應的存儲芯片。而存儲芯片的片選信號則大多是通過高位地址譯碼后產生的。 ＋ 5 7 3 8 譯碼 2 1 0 … A 20 18 A 20 0 A 17 0 G 2A G 2B G 1 MREQ W E CPU D 7 ~D 0 D 7 ~D 0 D 7 ~D 0 D 7 ~D 0 D 7 ~D 0 WE A C S 256K 8 D WE A C S 256K 8 D WE A C S 256K 8 D WE A C S 256K 8 D CPU要實現(xiàn)對存儲單元的訪問，首先要選擇存儲芯片，即進行片選；然后再從選中的芯片中依地址碼選擇出相應的存儲單元，以進行數(shù)據(jù)的存取，這稱為字選。這樣 ,高 3位用于芯片選擇，低 18位作為每個存儲器芯片的地址輸入。 解： (1) 該存儲器需要 2048K/256K = 8片 SRAM芯片； (2) 因為 221=2048K，需要 21條地址線。 1K 8位 1K 8位 D7 D0 ??? ??? ???? ??? ???? WE A1 A0 ??? A9 CS0 A10 1 CS1 位 位例如：設計主存 4K 16位 ,芯片 2K 8位 需芯片數(shù) = (4K 16)/(2K 8 ) = 4(片 ) 2K 8 2K 8 2K 8 2K 8 4K 16位 片內地址 A10～ A0， A11為片選，同時選中的兩片分別為主存的高 8位和低 8位。 例如： 主存設計容量 64K 8 位，芯片 16K 8 需要芯片個數(shù) : = (64K 8)/(16K 8) = 4 (片 ) 片內地址： 14位 (A0～ A13) 直接尋址： 16位 (A0～ A15) A1 A14作為譯碼器的輸入，以產生片選信號。 二、主存容量的擴展 位擴展方式 字擴展方式 字位同時擴展方式 當芯片的字數(shù)與主存容量的字數(shù)一致，但芯片字的位數(shù)不夠時，采用多個芯片組成主存的情況。 存儲容量的大小，決定地址碼的位數(shù) 由于單個芯片的容量有限，主存需要一定數(shù)量的存儲芯片構成。 （ 3）需要刷新。 各類存儲器應用表 存儲器 目前主要應用 SRAM DRAM ROM PROM EPROM E2PROM Flash Memory Cache 計算機主存儲器 (內存 ) 固定程序，微程序控制器存儲器 用戶自編程序，用于工業(yè)控制機或電器中 用戶編寫并修改程序或產品試制階段編程序 IC卡存儲器 固態(tài)盤（優(yōu)盤）、 IC卡 舉例：如圖所示是某芯片的引腳圖，請回答： （ 1）該芯片的類型（是 RAM還是 ROM）？該芯片的容量是大？ （ 2）若地址線增加一條，存儲芯片的容量將變?yōu)槎嗌伲? （ 3）該芯片是否需要刷新？為什么？ NC DIN /WE /RAS A2 A1 A0 GND VCC /CAS /DOUT A7 A6 A5 A4 A3 解： （ 1）該圖為 DRAM芯片引腳圖， 64K 1位容量。 。在現(xiàn)階段 ,它除了取代 EPROM和EEPROM來保存主板等部件的 BIOS外，還廣泛應用于便攜式計算機的 PC卡存儲器、 USB電子盤、數(shù)碼相機等。它突破了傳統(tǒng)的存儲體系 ,改善了現(xiàn)有存儲器的特性，因而是一種全新的存儲技術。 2816 sn nPSiO 2+ +d（多晶硅）g （多晶硅）g薄氧化層ggds2211E2PROM的結構圖 T1(a) 寫 1 g2g1dsZD20Vg220VZ(b) 寫 0 g1sTd1+3Vg1(c) 讀 1 g2sZdTD1(d) 讀 0 g2g1Zsd1DTVpp Vpp5V+3VVpp5VDE2PROM讀寫電路 五、快擦寫可編程只讀存儲器 FLASH 是 Intel公司推出的一種新型半導體存儲器。 這種電路的擦除操作分為字節(jié)擦除和全片擦除兩種。 四、電可擦除可編程只讀存儲器 (E2PROM) 為了不拔下 EPROM芯片實現(xiàn)在線擦除改寫的要求，又研制了利用電子方法擦除其中內容的 E2PROM電路。 EPROM在使用時有兩個方面的不便： 由于是用紫外光照射進行擦除 ， 所以只能對整個芯片擦除 ， 而不能按需要對指定單元單獨進行擦除 。 該芯片采用 24引腳，存儲容量 2K 8位， DIP封裝。編程和擦除的次數(shù)一般在 100次以上。 2716 浮空多晶硅柵S DP+ N基 體SiO 2TTT312字線(Z)位線(W)EPROMEDP+EPROM結構示意圖 編程工作原理： 原始狀態(tài)，浮柵上無電荷， DS兩極間無導電溝道，管子不導通，此時定義存儲的 “ 1”，若設法（利用雪崩效應）向浮柵注入電子電荷，就會在 DS間感應出 P型溝道，管子導通，此時存儲的 “ 0” 擦除工作原理 ： 用紫外光照射電路，使浮柵上的電荷形成光電流泄漏掉，使電路恢復原始狀態(tài)。 方法： 利用雪崩擊穿，采用特殊的雪崩注入 MOS管或疊柵注入 MOS管。 三、可擦除可編程只讀存儲器（