4-半導(dǎo)體存儲器(參考版)
2024-08-15 09:14本頁面
【正文】 Y7 WR RD RD RD A13~A1 A12~A1 A12~A1 A12~A1 A12~A1 WR RD RD RD D7~D0 D15~D8 圖 8086 CPU與存儲器連接的舉例 A14 A15 A16 A0 M/IO A14 A15 A16 BHE A13 。 amp。 A13~A1 CE 6264 3 偶體 CE 2732 2 偶體 CE 2732 1 偶體 CE 6264 3 奇體 CE 2732 1 奇體 CE 2732 2 奇體 amp。 Y7 A B C G2A G2B 74LS138 G1 Y0 Y1 由于 ROM芯片容量為 4K 8位， 用 A13和 Y0輸出進行二次譯碼 ， 來選擇兩組 ROM芯片 ， 如圖 。 芯片選擇由 74LS138譯碼器輸出 Y0、 Y1完成 。 ROM芯片 ， 8K字用 4片 2732芯片組成 ， 片內(nèi)用 12根地址線 A1~A12尋址 。 圖 存儲體與總線的連接 DB D15~D8 D7~D0 奇存儲體 A0 AB BHE A19~ A1 偶存儲體 CS A19~A1 D7~D0 CS A19~A1 D7~D0 8086CPU訪問 (讀或?qū)?)存儲器由 信號 BHE和 A0組合形成，見表 。 (3) A1～ A19用來同時訪問兩個存儲體的字節(jié)單元。 34H 12H 字節(jié)變量 78H 56H 字節(jié)變量 (1) 偶數(shù)存儲體與 8086的 D0～ D7相連。 (1) 字的地址： 字的 高字節(jié) 放 高地址 ， 低字節(jié) 放 低地址 ， 低字節(jié)的地址作為 字的地址 (2) 字的存放方式 ： a. 非規(guī)則存放 : 若一個字從 奇數(shù)地址開始 存放 b. 規(guī)則存放 : 若一個字從 偶數(shù)地址開始 存放 (3) 字的存放原則 ： 規(guī)則存放 二、簡單的 8086存儲器子系統(tǒng)的設(shè)計 圖 字的規(guī)則存放和非規(guī)則存放 字的規(guī)則存放 字的非規(guī)則存放 存儲器 地址 00200H 00201H 00202H 00203H 00204H 00205H 00206H 所以，每個芯片將同時具有 23=8個可用且不同的地址范圍（即重疊區(qū)）。 特點： (局部譯碼法 )： 圖 4. 22所示的電路，采用部分譯碼對 4個 2732芯片（ 4K 8位，EPROM）進行尋址。 在譯碼法中 ， 只對 剩余的高位 地址線的 某幾根 進行譯碼 ， 稱為 部分譯碼法 。 圖 全譯碼法 G1 G2A G2B Y6 74LS138 a. 譯碼電路較復(fù)雜 。CBA=000時， Y0有效， CBA=001時， Y1有效，依此類推。 3~8譯碼器有 3個控制端： G1， G2A， G2B，只有當(dāng) G1=1， G2A=0， G2B=0，同時滿足時，譯碼輸出才有效。 特點： ： 圖 2個例子。 a. 譯碼電路復(fù)雜。 圖 線選法 A19~A15因未參與對 2個 2764的片選控制，故 其值可以是 0或 1（用 x表示任?。?，這里，假定取為全 0，則得到了兩片 2764的地址范圍如圖中所示，顯然 2片 2764的重疊區(qū) 各有 25=32個 。 如下圖所示 ： 芯片 A19 ~ A15 A14 A13 A12 ~ A0 一個可用的地址范圍 甲 1 0 全 0~全 1 04000H~05FFFH 乙 0 1 全 0~全 1 02022H~03FFFH A12~A0 2764 （甲） 2764 （乙） A14 A13 CE CE 圖 ，令 A13和 A14分別接芯片甲和乙的片選端。 1. 低位 片內(nèi)選址 2. 高位 選擇芯片 (片選 ) 1. 線選法： 片選信號產(chǎn)生的方法 （ 1） 單線雙選 ： CPU中用于 “ 選片 ” 的高位地址線 (即存儲器芯片未用完地址線 )若一根連一組芯片片選端， 經(jīng)反相后 ， 該線還可選通另一組芯片 ， 這樣單線可選中兩組芯片 ， 這是 線選法之一 。 存儲器空間的劃分和地址編碼是靠地址線來實現(xiàn)的 。 4. 控制信號的連接 (二 ) 片選信號的產(chǎn)生 單片的存儲器芯片的容量是有限的 ， 整機的存儲器由若干芯片組成 ， 應(yīng)考慮到： 1. 地址的分配。 (4) 劃分 RAM、 ROM區(qū)，地址分配，畫出 地址分配圖。 (2) 整機存儲容量在整個存儲空間的位置。 3. 存儲器的地址分配和選片問題。 2. CPU的時序和存儲器芯片存取速度的配合 選擇存儲器芯片要盡可能 滿足 CPU取指令和讀寫存儲器的時序要求 。 (1) 直流負(fù)載能力 一個 TTL電平 (2) 電容負(fù)載能力 100PF 由于存儲器芯片是 MOS器件 ， 直流負(fù)載很小 ， 它的輸入電容為 5－ 10PF。 有可能取代現(xiàn)在所用的磁介質(zhì)輔存 .已廣泛用在數(shù)字相機、 PDA、 MP、筆記本電腦。 (4)固態(tài) 性能 閃速存儲器是一種低功耗、高密度且沒有移動部分的半導(dǎo)體技術(shù)。閃速存儲器的成本僅比容量相同的動態(tài) RAM稍高，但卻節(jié)省了輔助存儲器（磁盤）的額外費用和空間。 特點： (1) 固有的 非易失性 它不同于靜態(tài) RAM，不需要備用電池來確保數(shù)據(jù)存留，也不需要磁盤作為動態(tài) RAM的后備存儲器。 而編程與擦除所用的電流是極小的 ， 可用極普通的電源供給VG。 E2PROM的另一個優(yōu)點是 擦除可以按字節(jié)分別進行 （ 不像 EPROM擦除時把整個片子的內(nèi)容全變?yōu)?“ 1”） 。 2764結(jié)構(gòu)框圖 VCC PGM NC A8 A9 A11 OE A10 CE D7 D6 D5 D4 D3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 2764 VPP A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND 封裝及引腳 2764封裝圖 ? A0～ A12 地址輸入， 213=8192=8K ? D0～ D7 雙向數(shù)據(jù)線 ? VPP 編程電壓輸入端 ? OE 輸出允許信號 ? CE 片選信號 ? PGM 編程脈沖輸入端，讀數(shù)據(jù) 時， PGM=1 操作方式 讀 輸出禁止 備用 (功率下降 ) 編程禁止 編程 Intel 編程 校驗 Intel 標(biāo)識符 CE OE PGM A9 Vpp Vcc 輸出 L L H H L L L L L H X X H H L L H H X X L L H H X X X X X
高考資料相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1