復(fù)旦大學(xué)(微電子)半導(dǎo)體器件第七章_bj-資料下載頁(yè)
2025-04-29 05:33本頁(yè)面
【正文】 g g g g? ? ? ?和 前 面 類 似 ，不 同 的 是 ： 由 于 集 電 極 是 反 向 偏 置 的 ，所 以 前 三 項(xiàng) 是 是 和 非 平 衡 載 流 子 產(chǎn) 生 率相 關(guān) 的 。 第 四 項(xiàng) 是 和 Early 效 應(yīng) 有 關(guān) 的 項(xiàng) 。mrg也 是 和 Early 效 應(yīng) 有 關(guān) 的 項(xiàng) 。mrg反 向 跨 導(dǎo)mfgcmfqIgkT正 向 跨 導(dǎo)BJT的 EbersMoll 167。 晶體管的模型 一 . EbersMoll 方程 （本征晶體管） ?????? ?????????????? ???????? 1ex p1ex p 1211 kTqVakTqVaI bcbee?????? ?????????????? ???????? 1ex p1ex p 2221 kTqVakTqVaI bcbec其中 ?????? ?????????penepenbbnbpbnbLpDLWLnDqAa 0011 c o t h????????nbbnbpbnbLWLnq A Daa hc s c02112?????? ?????????pcncpcnbbnbpbnbLpDLWLnDqAa 0022 c o t h? ? ?RIR ?FIF IF IR Ie Ic Ib E B C RRFe III ????FFRc III ????? ? ? ? RRFFb III ?? ???? 11其中 ? ?? ?1e x p0 ?? kTqVII beFF ? ?? ?1e x p0 ?? kTqVII bcRR規(guī)定：端電流流入為正 011 FIa ??002112 RRFF IIaa ?? ???022 RIa ??EbersMoll方程： ? ?? ? ? ?? ?1e x p1e x p 00 ????? kTqVIkTqVII bcRRbeFe ?? ?? ? ? ?? ?1e x p1e x p 00 ???? kTqVIkTqVII bcRbeFFc ?多晶硅發(fā)射極 BJT ? 工藝：在發(fā)射區(qū)窗口淀積多晶硅，然后進(jìn)行發(fā)射極擴(kuò)散。這時(shí)磷（或者砷）在多晶層很快擴(kuò)散而到單晶區(qū)擴(kuò)散速度減緩，形成淺、側(cè)向擴(kuò)散小而陡峭的雜質(zhì)分布 ? 特點(diǎn)：自對(duì)準(zhǔn)（有利于減小器件尺寸）、高發(fā)射系數(shù)。 場(chǎng)氧化 場(chǎng)氧化 多晶發(fā)射區(qū) N N阱（集電極） P型外延層 p?p?襯 底peb c重點(diǎn)內(nèi)容 ? 決定電流增益的因素 ? 提高頻率特性的途徑 ? 提高開關(guān)速度的途徑 ? 改善小電流特性的途徑 ? 改善大電流特性的途徑 ? 比較 MOSFET和 BJT 習(xí)題 ? 列出理想晶體管的限制條件。 ? 寫出理想共基極直流電流增益與晶體管結(jié)構(gòu)參數(shù)之間的關(guān)系。 ? 有那些非理想因素影響共基極直流電流增益。 ? 寫出特征頻率與晶體管結(jié)構(gòu)參數(shù)之間的關(guān)系，指出提高特征頻率的途徑？ ? 畫出特征頻率隨集電極電流變化的曲線。 ? 提高晶體管開關(guān)特性的途徑。
環(huán)評(píng)公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1