【正文】 集電極電流 IC大到一定程度時，會導致三極管的 ?值下降，當 ?值下降到正常值的三分之二時的集電極電流即為 ICM。 UCBO：發(fā)射極開路時 集電極 基極間的反向擊穿電壓 UCEO：基極開路時集電極 發(fā)射極間的反向擊穿電壓 UEBO：集電極開路時發(fā)射極 基極間的反向擊穿電壓 64 6. 集電極最大允許功耗 PCM 集電極電流 IC 流過三極管所產(chǎn)生的功耗為 PC =ICUCE PC太大必定導致結溫上升 ,所以 PC 有限制。 PC?PCM IC UCE PCM=ICUCE=常數(shù) ICM U(BR)CEO 安全工作區(qū) 65 溫度對晶體管特性及參數(shù)的影響 對 ICBO的影響： 溫度升高， ICBO增大 對輸入特性的影響 對輸出特性的影響 66 例：單管放大電路中，電源電壓為 30V，已知三只管子的參數(shù)，請選擇合適的管子。 晶體管參數(shù) T1 T2 T3 ICBO/181。A UCEO/V 50 50 20 223。 15 100 100 T2最合適 67 由 PNP型三極管組成的基本放大電路： IC IB VCC Rb VBB c b e RC IE IC U CE 0 UBE IB 電源電壓為負。同樣具有三個區(qū)： 放大區(qū) ： 發(fā)射結正偏，集電結反偏 飽和區(qū) ： 發(fā)射結，集電結均正偏 截止區(qū)： |UBE| VON P N P 特性曲線 68 光電三極管 光電三極管根據(jù)光照的強度來控制集電極電流的大小 光電三極管的等效電路、符號和外形 69 光電三極管的輸出特性曲線 作業(yè)： ， ， ， 70 167。 場效應管 場效應管是利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，它僅靠多數(shù)載流子導電 ,又稱單極型晶體管。 場效應管不但具有雙極型晶體管體積小、重量輕、壽命長等優(yōu)點，而且具有 輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強、能耗低 等優(yōu)點。 結型場效應管 :JFET 絕緣柵型場效應管 :MOS 場效應管有兩種 : 71 結型場效應管 結型場效應管的結構 柵極 源極 漏極 結構示意圖和符號： N型導電溝道 兩邊是 P區(qū) 基底 ： N型半導體 柵極 源極 漏極 d g S d g S 72 一、工作原理（以 N溝道為例） 為使 N溝道結型場效應管正常工作，應在柵源之間加負電壓，以保證耗盡層反偏；在漏源之間加正電壓，以形成 iD UDS=0V時， UGS對導電溝道的控制作用 UGS=0有導電溝道R較小 UGS(off)UGS0 溝道變窄 R增大 UGS?UGS(off) 溝道夾斷 R≈∞ 耗盡層閉合，溝道消失時的 UGS稱為 夾斷電壓 UGS(off) 73 UGS(off)UGS0 時， UDS對漏極電流 iD的影響 UDS=0,iD=0 UDS增加（未夾斷） iD增加UGDUGS(off) 寬 UDS再增加到UGD=UGS(off)預夾斷 UDS再增加，夾斷區(qū)加長 , iD不再增加UGDUGS(off) DSDSD RUi????74 UGDUGS(off) 時， UGS對漏極電流 iD的控制作用 UGD= UGS UDS UGS(off) 時， UDS再增加，夾斷區(qū)加長 , iD不再增加 — → 恒流區(qū)。此時，可通過 改變UGS來控制 iD的大小。 ∣ UGS∣ 減小， iD增加。故稱場效應管為電壓控制元件。 低頻跨導 gm： 場效應管用 gm來描述動態(tài)柵源電壓對漏極電流的控制作用。 GSDm Uig???75 二、場效應管的輸出特性和轉移特性曲線 ? ? 常數(shù)??GSUDSDufi? ? 常數(shù)??DSUGSDufi UGD=UGS(off) UGS(off) = 4V 飽和漏極電流 76 P溝道結型場效應管 d g S d g S P N N g柵極 S源極 d漏極 結構示意圖： 符號 77 預夾斷曲線 ID U DS 2V UGS=0V 1V 3V 4V 5V 可變電阻區(qū) 夾斷區(qū) 恒流區(qū) 輸出特性曲線 0 轉移特性曲線 UGS 0 ID IDSS VP 78 結型場效應管的缺點： 1. 柵源極間的電阻雖然可達 107Ω以上，但在某些場合仍嫌不夠高。 3. 柵源極間的 PN結加正向電壓時，將出現(xiàn)較大的柵極電流。 絕緣柵型場效應管可以很好地解決這些問題 2. 在高溫下， PN結的反向電流增大，柵源極間的電阻會顯著下降。 79 絕緣柵型場效應管 絕緣柵型場效應管 (IGFET)又稱 MOS管，輸入電阻可達1010?以上，溫度穩(wěn)定性好，集成度高，廣泛的應用于大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路中。 分類： N 溝道增強型場效應管 N 溝道耗盡型場效應管 P 溝道增強型場效應管 P 溝道耗盡型場效應管 一、 N 溝道增強型場效應管 80 MOS管的工作原理 以 N 溝道增強型為例 UDS=0且 UGS=0時 ID=0 UDS=0且 UGS0時 產(chǎn)生導電溝道時的柵源電壓 UGS稱為 開啟電壓 ，用 UGS(th)表示 。 81 UDS增加（未夾斷） iD增加UGDUGS(th) UDS再增加到UGD=UGS(th)預夾斷 UDS再增加，夾斷區(qū)加長 , iD不再增加。 UGDUGS(th) UGSUGS(th) 時 82 N溝道增強型 MOS管的特性曲線 轉移特性曲線 輸出特性曲線 UGD=UGS(off) 電流方程： ? ?21 ??????????thGSGSDOD UUIi83 N 溝道耗盡型 P 溝道增強型 P 溝道耗盡型 g s d g s d 84 場效應管的符號及特性 N 溝道增強型 N 溝道耗盡型 N 溝道結型 P 溝道增強型 P 溝道耗盡型 P 溝道結型 85 五、 場效應 管的 主要參數(shù) 1. 開啟電壓 UGS(th) ： UDS 一定時，使 iD 大于零所需的最小|UGS|值。 2. 夾斷電壓 UGS(off)： UDS 一定時，使 iD近似為零時的 UGS值。 3. 飽和漏極電流 IDSS：對于耗盡型管，在 UGS=0情況下產(chǎn)生預夾斷時的漏極電流。 gm： 用來描述動態(tài)柵源電壓對漏極電流的控制作用 常數(shù)????DSUGSDm Uig IDM PDM 86 場效應管與晶體管的比較 場效應管不但具有雙極型晶體管體積小、重量輕、壽命長等優(yōu)點，而且具有 輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強、能耗低、 使用靈活、集成度高等 優(yōu)點。 單結晶體管和晶閘管 集成電路中的元件