半導(dǎo)體器件與工藝ppt課件-資料下載頁
2025-01-12 09:19本頁面
【正文】 晶體管的開關(guān)作用是通過基極輸入脈沖控制集電極回路的通斷來實現(xiàn)的。 晶體管的開關(guān)特性 晶體管的開關(guān)工作區(qū)域 晶體管做開關(guān)運用時，它的 “ 開 ” 與 “ 關(guān) ” 兩種工作狀態(tài)分別對應(yīng)子輸出特性曲線中的飽和區(qū)和截止區(qū)。 晶體管的開關(guān)特性 飽和區(qū) 在飽和狀態(tài)時 ， 晶體管的發(fā)射結(jié)處于正向偏置 ， 發(fā)射結(jié)偏壓約為 ， 而 C， E間的壓降約為 。 這表明 C極電位低于 B極 ， 即集電結(jié)也處于正向偏置 ， 這是晶體管飽和的重要特點之一 。 使晶體管由放大區(qū)進入飽和區(qū)的臨界基極電流稱為臨界飽和基極電流 。 晶體管的開關(guān)特性 截止區(qū) 晶體管的發(fā)射結(jié)加上反向偏壓 （ 或零偏壓 ） ， 集電結(jié)也加上反向偏壓 ， 晶體管就處于截止區(qū) ， 這時晶體管內(nèi)只有反向漏電流流過 ，其數(shù)值極小 。 晶體管的開關(guān)特性 理想晶體管的開關(guān)波形 晶體管的開關(guān)特性 實際晶體管的開關(guān)波形 晶體管的開關(guān)特性 延遲過程 在晶體管開啟以前 ， 晶體管處于截止態(tài) ， 發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都處于反向偏置 ， 因此它們的勢壘區(qū)是比較寬的 ，勢壘區(qū)中有比較多的空間電荷 。 在輸入電壓剛剛變正時 ，發(fā)射結(jié)的勢壘區(qū)還保持在原來的狀態(tài) ， 即勢壘區(qū)有比較多的空間電荷 ， 勢壘區(qū)還很寬 。 由于發(fā)射結(jié)勢壘電容電壓不能突變 ， 也就是發(fā)射結(jié)仍然保持在負偏壓或零偏壓的狀態(tài) ， 所以沒有析從發(fā)射區(qū)注入到基區(qū) 。 晶體管的開關(guān)特性 上升過程 在延遲過程結(jié)束后 ， 晶體管的發(fā)射結(jié)偏壓將繼續(xù)上升 ，從 V變到 ， 于是發(fā)射區(qū)就向基區(qū)注人較多的電子 ，電子在基區(qū)中積累 ， 形成一定的濃度梯度 ， 其中一部分在 基區(qū)中復(fù)合掉 ， 其余的輸運到集電結(jié) ， 形成集電極電流 。 隨著發(fā)射結(jié)偏壓的上升 ， 注入到基區(qū)的電子增多 ， 電子的濃度梯度增大 ， 集電極電流也隨著增大 ， 這就是上升過程 。 晶體管的開關(guān)特性 在上升過程結(jié)束以后 ， 由于晶體管處于過驅(qū)動狀態(tài) ，集電結(jié)從零偏變?yōu)檎?， 集電區(qū)除了要向基區(qū)注入電子外 ， 基區(qū)也要向集電區(qū)注入空穴 ， 所以在集電區(qū)中也有一部分空穴電荷累量 — 超量貯存電荷 。 貯存電荷 晶體管的開關(guān)特性 下降過程 在貯存過程結(jié)束后 ， 晶體管中的電荷分布又回到和上升過程結(jié)束時相同的情況 ， 在下降過程中 ， 集電結(jié)從零偏壓降到負偏壓 ， 發(fā)射結(jié)的正向偏壓從 開始下降 。 晶體管的開關(guān)特性 提高晶體管開關(guān)速度的途徑 ① 摻金可有效地減小集電區(qū)少子（空穴）壽命，進而減少飽和時超量貯存電荷，同時加速超量貯存電荷的復(fù)合。 ③減小結(jié)面積，這可有效地縮短 、 、 。結(jié)面積最小尺寸受集電極最大電流及工藝水平的限制。 ④ 減小基區(qū)寬度，可使 和 時間大大降低。 ② 在保證集電結(jié)耐壓的情況下，盡量減薄外延層厚度，降低外延層電阻率。這樣既可以減小集電區(qū)少子壽命。 dt rtftrtft晶體管的開關(guān)特性 開關(guān)晶體管的正向壓降 晶體管的共發(fā)射極正向壓降是指將晶體管驅(qū)動到飽和狀態(tài)時，基極和發(fā)射極之間的電壓降。 晶體管的開關(guān)特性 開關(guān)晶體管的飽和壓降 晶體管的共發(fā)射極飽和壓降是晶體管處于飽和狀態(tài)時，集電極和發(fā)射極之間的電壓降。 課堂習(xí)題 課堂習(xí)題 三極管的國標型號是如何規(guī)定的？ 國家標準對半導(dǎo)體三極管的命名如下 3D G 1 10B 用字母表示同一型號中的不同規(guī)格用數(shù)字表示同種器件型號的序號用字母表示器件的種類用字母表示材料代表 三極管 ， 2 代表二極管3第一位： 2代表二極管， 3代表三極管。 第二位： A為鍺 PNP管、 B為鍺 NPN管、 C為硅 PNP管、 D為硅 NPN管。 第三位： X表示低頻小功率管、 D表示低頻大功率管、 G表示高頻小功率管、 A表示高頻小功率管、 K表示開關(guān)管。 補充內(nèi)容
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1