半導(dǎo)體元件zxmppt課件(參考版)
2025-05-15 06:37本頁面
【正文】 當(dāng)晶體管因受熱而引起的參數(shù)變化不超過允許值時，集電極所消耗的最大功率。 _β5 集 — 射極反向擊穿電壓 U（ BR） CEO 基極開路時，加在集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓。當(dāng) _β 值下降到正常值的三分之二時的集電極電流。因此，在選管子 時，要求 ICBO盡可能小些，而 _β 以不超過 100為宜。 EC 181。在室溫下，小功率鍺管的ICBO約為幾微安到幾十微安，小功率硅管在一微安以下。在估算時，常用 ββ_ ? 近似關(guān)系 （ 1） （ 2） β對于同一型號的晶體管， 值有差別，常用晶體管的 β值在 20100之間。 1 3 4 3 6 9 12 IC/mA 100 80 60 40 20181。A IB=0 0 截止區(qū) UCE/V 返回 （ 3）飽和區(qū) 飽和時， UCE=~，（鍺管為 ~） ,C、 E之間相當(dāng)于一個閉合的開關(guān)。 對 NPN型硅管而言，當(dāng) UBE〈 ，即已開始截止，為了截止可靠，常使 UBE小于等于零。A IB=0 0 放大區(qū) UCE/V 輸出特性曲線的近似水平部分。 UCE/V 1 3 4 3 6 9 12 IC/mA 100 80 60 40 20181。 0 UBE/V IB/181。 正常工作時，發(fā)射結(jié)的壓降： NPN型硅管 UBE=~。 輸入特性曲線 ：指當(dāng)集 射極電壓 UCE為常數(shù)時，輸入回路 （基極回路） IB與基 射極電壓 UBE之間的關(guān)系曲線。 181。 返回 電流分配和放大原理 2 電子在基區(qū)中的擴(kuò)散與復(fù)合，形成基極電流 IB E區(qū)電子到基區(qū) B后，有兩種運(yùn)動 擴(kuò)散 IEC 復(fù)合 IEB 同時基區(qū)中的電子被 EB拉走形成 IB IEB=IB時達(dá)到動態(tài)平衡 形成穩(wěn)定的基極電流 IB IB是由復(fù)合運(yùn)動形成的 返回 電流分配和放大原理 3 集電極收集電子，形成集電極電流 IC 集電結(jié)反偏 阻礙 C區(qū)中的多子（自由電子）擴(kuò)散，同時收集 E區(qū)擴(kuò)散過來的電子 有助于少子的漂移運(yùn)動，有反向飽和電流 ICBO 形成集電極電流 IC 返回 RB EC + + _ _ EB E B C IC IB IE ICBO IBE IEC 電流分配和放大原理 返回 特性曲線 用來表示該晶體管各極電壓和電流之間相互關(guān)系、反映晶體管的性能，是分析放大電路的重要依據(jù)。集電區(qū)收集從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散過來的電子。 由于基區(qū)很薄，大部分電子能擴(kuò)散到集電結(jié)邊緣，少部分與空穴復(fù)合掉。 結(jié)論：大量電子將越過發(fā)射結(jié)進(jìn)入基區(qū)。 RB EC + + _ _ EB E B C N N P 返回 RB EC + + _ _ EB E B C N N P 電流分配和放大原理 1）由于發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)向基區(qū)擴(kuò)散電子，同時基區(qū)空穴向發(fā)射擴(kuò)散。 （ 3）當(dāng) IB=0（將基極開路）時， IE=ICEO， ICEO 返回 用載流子在晶體管內(nèi)部的運(yùn)動規(guī)律來解釋上述結(jié)論。 電流分配和放大原理 晶體管電流測量數(shù)據(jù) IB/mA 0 IC/mA IE/mA 由此實驗及測量結(jié)果可得出如下結(jié)論： （ 1） IE=IC+IB 符合基爾霍夫電流定律。 兩個回路：基極回路及集電極回路 電流分配和放大原理 EC RC 181。 基本結(jié)構(gòu) 電流分配和放大原理 共發(fā)射極接法 返回 181。 （ 3）最大整流電流 IZMAX 穩(wěn)壓管正常工作時允許達(dá)到的最大電流。 穩(wěn)壓管 4 主要參數(shù) （ 1）穩(wěn)定電壓 UZ 穩(wěn)壓管在正常工作下管子兩端的電壓。 反向擊穿 是可逆的。利用這一特性，穩(wěn)壓管在電路中能起穩(wěn)壓作用。 1 穩(wěn)壓管表示符號 ： 返回 正向 + 反向 + IZ ΔΔ UZ 2 穩(wěn)壓管的伏安特性： 3 穩(wěn)壓管穩(wěn)壓原理： 穩(wěn)壓管工作于反向擊穿區(qū)。 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性 PN結(jié) 半導(dǎo)體二極管 穩(wěn)壓管 半導(dǎo)體三極管 目 錄 返回 穩(wěn)壓管 是 一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅二極管。 特點(diǎn)：電流越大，發(fā)光二極管越亮。 工作原理：當(dāng) PN結(jié)加正向電壓時，從 N區(qū)擴(kuò)散到 P區(qū)的電子和由 P區(qū)擴(kuò)散到N區(qū)的空穴，在 PN結(jié)附近數(shù)微米區(qū)域內(nèi)分別與 P區(qū)的空穴和 N區(qū)的電子復(fù)合，復(fù)合時放出能量，進(jìn)而發(fā)光。 DA起鉗位作用， DB起隔離作用。電阻 R接負(fù)電源 12V?？捎糜谡?、檢波、限幅、元件保護(hù)以及在數(shù)字電路中作為開關(guān)元件。 說明管子質(zhì)量的好壞，反向電流大說明其單向?qū)щ娦圆?，受溫度影響大? 2 反向工作峰值電壓 URM: 保證二極管不被擊穿而給出的最高反向工作電壓，一般是反向擊穿電壓的一半。 2）處于強(qiáng)電場中的載流子又因獲得了獲得能量加速，將其它電子撞擊出來，形成連鎖反應(yīng)。 這一電壓稱為 反向擊穿電壓 U（ BR）。 伏安特性 正向 O U/V I/mA 80 60 40 20 50 25 I/181。 伏安特性 正向 O U/V I/mA 80 60 40 20 50 25 I
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