【摘要】半導(dǎo)體照明照明領(lǐng)域的又一次革命一、人類照明的歷史火—人類的文明燈—延續(xù)歷史幾千年燈—延續(xù)歷史幾千年二、電光源的歷史1879年愛迪生發(fā)明白熾燈熒光燈將電光源帶入新天地三、半導(dǎo)體發(fā)光二極管半導(dǎo)體發(fā)光二極管照明的革命四、第三代半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體材料的分代1.以硅Si為代表的
2025-01-13 00:43
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段
2025-05-24 20:53
【摘要】第五章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)二極管的單相導(dǎo)電特性特殊二極管三極管的基本結(jié)構(gòu)和電流放大特性場效應(yīng)管簡介電子技術(shù)是利用半導(dǎo)體器件完成對電信號處理的技術(shù)。它包括模擬電子和數(shù)字電子。處理的電信號為連續(xù)變化的信號時,我們使用的電路為模擬電路。處理的信號為不連續(xù)變化、只有在其高低電
2025-05-15 12:43
【摘要】半導(dǎo)體材料?半導(dǎo)體材料的發(fā)展簡史?半導(dǎo)體材料的發(fā)展趨勢?半導(dǎo)體材料的分類什么是半導(dǎo)體?按照不同的標準,有不同的分類方式。按固體的導(dǎo)電能力區(qū)分,可以區(qū)分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體的電阻率范圍材料導(dǎo)體半導(dǎo)體絕緣體電阻率(歐姆)﹤10-310-3109﹥10
2025-01-23 10:05
【摘要】集成電路版圖設(shè)計與驗證第三章半導(dǎo)體制造工藝簡介學(xué)習(xí)目的?(1)了解晶體管工作原理,特別是MOS管的工作原理?(2)了解集成電路制造工藝?(3)了解COMS工藝流程主要內(nèi)容??工藝流程?工藝集成?半導(dǎo)體硅原子結(jié)構(gòu):4個共價鍵,比較穩(wěn)定,沒有明顯的自由電子。
2025-05-08 04:54
【摘要】半導(dǎo)體器件原理與工藝半導(dǎo)體器件原理與工藝?概述?半導(dǎo)體襯底?熱氧化?擴散?離子注入?光刻?刻蝕?薄膜淀積?CMOS半導(dǎo)體器件原理與工藝摻雜摻雜擴散離子注入擴散的基本原理擴散方法擴散層的主要參數(shù)及檢測離子注
2025-03-02 15:11
【摘要】IntroductionofICAssemblyProcessIC封裝工藝簡介艾ICProcessFlowCustomer客戶ICDesignIC設(shè)計WaferFab晶圓制造WaferProbe晶圓測試Assembly&TestIC封裝測試SMTIC組裝
2025-05-09 23:06
【摘要】哈爾濱工業(yè)大學(xué)電工學(xué)教研室第11章常用半導(dǎo)體器件返回半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性PN結(jié)半導(dǎo)體二極管穩(wěn)壓管半導(dǎo)體三極管目錄返回電工和電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展史?一、電學(xué)的早期發(fā)展?1.摩
2025-05-21 06:37
【摘要】半導(dǎo)體器件習(xí)題-PN結(jié)和三極管田野3月14日作業(yè)?1、討論影響共射極電流增益的因素;?2、比較多晶硅發(fā)射極晶體管與擴散晶體管的優(yōu)越性。1、討論影響共射極電流增益的因素??出現(xiàn)在P278表?其中NB、NE為基極、發(fā)射極摻雜濃度DB、
2025-05-15 12:44
【摘要】1預(yù)祝各位同學(xué)在本門課程的學(xué)習(xí)中取得優(yōu)異成績!盧健康老師愿為大家學(xué)好本門課程盡心盡力!2課程名稱:模擬與數(shù)字電子技術(shù)教材:電子技術(shù)(電工學(xué)II比電工技術(shù)難但更有趣)史儀凱主編緒論一、內(nèi)容體系:1、模擬電子技術(shù)(教材第1~5章)重點:第
【摘要】現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝天津工業(yè)大學(xué)光電器件1光電器件現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝PhysicsandTechnologyofModernSemiconductorDevices現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝天津工業(yè)大學(xué)光電器件2本章內(nèi)容?輻射躍遷與光的吸收?發(fā)光二極管?半導(dǎo)體激光?光
2025-01-23 10:23
【摘要】上頁返回1-1電子技術(shù)電工學(xué)II主講孫媛第一章半導(dǎo)體器件上頁返回1-3第一章半導(dǎo)體器件§半導(dǎo)體的基本知識與PN結(jié)§二極管§穩(wěn)壓二極管§雙極結(jié)型晶體管§場效晶體管
2025-01-28 01:25
【摘要】第4章對半導(dǎo)體材料的技術(shù)要求材料學(xué)院徐桂英半導(dǎo)體材料第4章對半導(dǎo)體材料的技術(shù)要求?半導(dǎo)體材料的實際應(yīng)用是以其作出的器件來實現(xiàn)的。?器件對材料的要求總的說來有兩個方面:?一方面是根據(jù)器件的功能來選擇能滿足其性能的材料,這包括材料的能帶結(jié)構(gòu)、晶體結(jié)構(gòu)、遷移率、光學(xué)性質(zhì)等;?另一方面,在材料選定后,要使材料具有
2025-05-15 12:45
【摘要】西安電子科技大學(xué)計算機學(xué)院吳自力202221第一章半導(dǎo)體器件本章是本課程的基礎(chǔ),應(yīng)著重掌握以下要點:(1)半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。(2)PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦裕?)三極管的結(jié)構(gòu)、類型及其電流放大原理(4)三極管的特性及其主要參數(shù)本章內(nèi)容:§半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識§PN結(jié)
2025-05-15 12:41
【摘要】noneguilibriumcarriersG-R(非平衡載流子的產(chǎn)生與復(fù)合)Chapter5NoneguilibriumCarriers(非平衡載流子)產(chǎn)生率G復(fù)合率R如果在外界作用下,平衡條件破壞,偏離了熱平衡的狀態(tài)非平衡狀態(tài)。外界作用光
2025-05-15 12:47