【正文】 其它： MOS管電阻 集成電路中電容 1 SiO2 A P+ PSUB B+ N+BL N+E P+ N P+I A B+ Cjs 發(fā)射區(qū)擴(kuò)散層 —隔離層 —隱埋層擴(kuò)散層 PN電容 集成電路中電容 2 MOS電容 Al SiO2 AL P+ PSUB Nepi P+ N+ N+ 主要制程介紹 矽晶圓材料（ Wafer） 圓晶是制作矽半導(dǎo)體 IC所用之矽晶片，狀似圓形，故稱晶圓。 PSG NSi P+ P P+ N+ N+ CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 13。 PSG NSi P+ P P+ N+ N+ CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 12。 光刻膠 NSi P As CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 11。 NSi P B+ CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 10。光 Ⅴ IP+區(qū)光刻， P+區(qū)注入。 NSi P B+ CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 8。 NSi P CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 7。 光刻膠 NSi P B+ CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 6。光 II有源區(qū)光刻 NSi P Si3N4 CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 5。阱區(qū)注入及推進(jìn)，形成阱區(qū) NSi P CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 3。 ? Al—NSi 歐姆接觸： ND≥1019cm3， SiO2 N+BL PSUB Nepi N+BL P+ P+ P+ P P N+ 去 SiO2—氧化 涂膠 —烘烤 掩膜（曝光） 顯影 堅(jiān)膜 —蝕刻 —清洗 —去膜 —清洗 —擴(kuò)散 第五次光刻 —引線接觸孔 ? SiO2 N+ N+BL PSUB Nepi N+BL P+ P+ P+ P P Nepi 去 SiO2—氧化 涂膠 —烘烤 掩膜（曝光） 顯影 堅(jiān)膜 —蝕刻 —清洗 —去膜 —清洗 第六次光刻 —金屬化內(nèi)連線：反刻鋁 ? SiO2 AL N+ N+BL PSUB Nepi N+BL P+ P+ P+ P P Nepi 去 SiO2—氧化 涂膠 —烘烤 掩膜（曝光） 顯影 堅(jiān)膜 —蝕刻 —清洗 —去膜 —清洗 —蒸鋁 CMOS工藝集成電路 CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ? 1。 VPE（ Vaporous phase epitaxy) 氣相外延生長(zhǎng)硅 SiCl4+H2→Si+HCl 2。高溫時(shí)在 Si中的擴(kuò)散系數(shù)小， 以減小上推 3。減小寄生 PNP管的影響 SiO2 PSUB N+BL 要求： 1。經(jīng)研磨、拋光、切片后，即成半導(dǎo)體之原料 晶圓片 第一次光刻 —N+埋層擴(kuò)散孔 ? 1。一般晶圓制造廠，將多晶硅融解 后，再利用硅晶種慢慢拉出單晶硅晶棒。電流驅(qū)動(dòng)能力低 半導(dǎo)體制造環(huán)境要求 ? 主要污染源：微塵顆粒、中金屬離子、有機(jī)物殘留物和鈉離子等輕金屬例子。然後晶圓將依晶粒 為單位分割成一粒粒獨(dú)立的晶粒 三、 IC構(gòu)裝制程 ? IC構(gòu)裝製程（ Packaging）：利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路 ? 目的：是為了製造出所生產(chǎn)的電路的保護(hù)層，避免電路受到機(jī)械性刮傷或是高溫破壞。半導(dǎo)體制造工藝流程 半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí) ? 本征材料：純硅 910個(gè) 9 ? N型硅： 摻入 V族元素 磷 P、砷 As、銻Sb ? P型硅： 摻入 III族元素 —鎵 Ga、硼 B ? PN結(jié)： N P + + + + + 半 導(dǎo)體元件制造過(guò)程可分為 ? 前段（ Front End）制程 晶圓處理制程（ Wafer Fabrication；簡(jiǎn)稱 Wafer Fab）、 晶圓針測(cè)制程（ Wafer Probe）； ? 後段（ Back End） 構(gòu)裝（ Packaging）、 測(cè)試制程（ Initial Test and Final Test） 一、晶圓處理制程 ? 晶圓處理制程之主要工作為在矽晶圓上制作電路與電子元件（如電晶體、電容體、邏輯閘等），為上述各制程中所需技術(shù)最復(fù)雜且資金投入最多的過(guò)程 ，以微處理器（ Microprocessor）為例，其所需處理步驟可達(dá) 數(shù)百道 ，而其所需加工機(jī)臺(tái)先進(jìn)且昂貴，動(dòng)輒數(shù)千萬(wàn)一臺(tái)，其所需制造環(huán)境為為一溫度、濕度與 含塵（ Particle）均需控制的無(wú)塵室（ CleanRoom），雖然詳細(xì)的處理程序是隨著產(chǎn)品種類與所使用的技術(shù)有關(guān)；不過(guò)其基本處理步驟通常是晶圓先經(jīng)過(guò)適 當(dāng)?shù)那逑矗?Cleaning）之後，接著進(jìn)行氧化（ Oxidation）及沈積，最後進(jìn)行微影、蝕刻及離子植入等反覆步驟，以完成晶圓上電路的加工與制作。 二、晶圓針測(cè)制程 ? 經(jīng)過(guò) Wafer Fab之制程後，晶圓上即形成一格格的小格 ，我們稱之為晶方或是晶粒（ Die），在一般情形下，同一片晶圓上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圓 上制作不同規(guī)格的產(chǎn)品；這些晶圓必須通過(guò)晶片允收測(cè)試，晶粒將會(huì)一一經(jīng)過(guò)針測(cè)（ Probe）儀器以測(cè)試其電氣特性， 而不合格的的晶粒將會(huì)被標(biāo)上記號(hào)（ Ink Dot），此程序即 稱之為晶圓針測(cè)制程（ Wafer Probe）。 半導(dǎo)體制造工藝分類 PMOS型 雙極型 MOS型 CMOS型 NMOS型 BiMOS 飽和型 非飽和型 TTL I2L ECL/CML 半導(dǎo)體制造工藝分類 ? 一 雙極型 IC的基本制造工藝： ? A 在元器件間要做電隔離區(qū)（ PN結(jié)隔離、全介質(zhì)隔離及 PN結(jié)介質(zhì)混合隔離） ECL（不摻金） （非飽和型） 、TTL/DTL （飽和型） 、 STTL （飽和型） B 在元器件間自然隔離 I2L（飽和型） 半導(dǎo)體制造工藝分類 ? 二 MOSIC的基本制造工藝： 根據(jù) 柵工藝分類 ? A 鋁柵工藝 ? B 硅 柵工藝 ? 其他分類 1 、（根據(jù)溝道） PMOS、 NMOS、 CMOS 2 、（根據(jù)負(fù)載元件） E/R、 E/E、 E/D 半導(dǎo)體制造工藝分類 ? 三 BiCMOS工藝： A 以 CMOS工藝為基礎(chǔ) P阱 N阱 B 以雙極型工藝為基礎(chǔ) 雙極型集成電路和 MOS集成電路優(yōu)缺點(diǎn) 雙極型集成電路 中等速度、驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)、模擬精度高、功耗比較大 CMOS集成電路 低的靜態(tài)功耗、寬的電源電壓范圍、寬的輸出電壓幅度（無(wú)閾值損失），具有高速度、高密度潛力；可與TTL電路兼容。 ? 超凈間：潔凈等級(jí)主要由 微塵顆粒數(shù) /m3 I級(jí)