半導(dǎo)體元件zxmppt課件-展示頁
2025-05-21 06:37本頁面
【正文】 ： 電阻率 1 3 21 0 ~ 1 0 /m m m? ?? 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性 半導(dǎo)體： 導(dǎo)電能力介乎于導(dǎo)體和絕緣體之 間的 物質(zhì)。模擬信號(hào)在時(shí)間上是連續(xù)的 (不間斷 )，數(shù)值幅度大小也是連續(xù)不間斷變化的信號(hào) (傳統(tǒng)的音頻信號(hào)、視頻信號(hào)都是這種信號(hào) )。 模擬電子電路初步 ? 模擬電子電路 就是處理模擬信號(hào)的電子電路。 ? MEMS是英文 Micro Electron Mechanical systems的縮寫，即微電子機(jī)械系統(tǒng)。 ? 集成電路從 20世紀(jì) 50年代末出現(xiàn)至今，其發(fā)展速度之快，對(duì)社會(huì)生產(chǎn)、生活的影響之大是人們始料未及的，以集成電路為核心的微電子技術(shù)已經(jīng)滲透到現(xiàn)代通信、信息技術(shù)、計(jì)算機(jī)、醫(yī)療、能源、交通、自動(dòng)化、教育傳播等各個(gè)方面，尤其是對(duì)現(xiàn)代電子和信息技術(shù)的發(fā)展起了巨大的作用。這就是著名的摩爾定律。 ? 仙童公司的創(chuàng)始人之一 高登 .摩爾于 1965年 對(duì)微電子技術(shù)的發(fā)展做了一個(gè)預(yù)言。并于 1956年 肖克利、布拉頓、巴丁共同獲得諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。 ? 1906年 ，美國人德弗雷斯特發(fā)明電子三極管，并在研究中發(fā)現(xiàn)，三極管可以通過級(jí)聯(lián)使放大倍數(shù)大增，這使得三極管的實(shí)用價(jià)值大大提高，從而促成了無線電通信技術(shù)的迅速發(fā)展。真空電子二極管的發(fā)明使人類打開了電子文明的大門，而電子三極管的發(fā)明及其放大原理的發(fā)現(xiàn)，標(biāo)志著人類科技史進(jìn)入了一個(gè)新的時(shí)代： 電子時(shí)代。諾意曼。 ? 3．電視，人物：尼普科、茲沃里金。 ? 四、電子技術(shù)與信息時(shí)代（第三次工業(yè)技術(shù)革命 (第三次浪潮 ) ? 1．電子管、晶體管和集成電路，人物：弗萊明、德福雷斯特、肖克萊、基爾比。 ? 5．電話，人物：貝爾。 ? 3電燈、電影，人物：愛迪生。 ? 三、電力革命與電氣時(shí)代（第二次工業(yè)技術(shù)革命） ? 1．電動(dòng)機(jī)與發(fā)電機(jī)，人物：皮克希、惠斯通、西門子。 ? 4．電磁理論之集大成 ——麥克斯韋，人物：麥克斯韋。 ? 2．歐姆定律，人物：歐姆。 ? 3．靜電的定量研究，人物：卡文迪許、庫侖。哈爾濱工業(yè)大學(xué) 電工學(xué)教研室 第 11章 常用半導(dǎo)體器件 返回 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性 PN結(jié) 半導(dǎo)體二極管 穩(wěn)壓管 半導(dǎo)體三極管 目 錄 返回 電工和電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展史 ? 一、電學(xué)的早期發(fā)展 ? 1. 摩擦電研究，人物：迪費(fèi)、馬森布羅克、富蘭克林。 ? 2．流電研究，人物；伽伐尼、伏打。 ? 二、 19世紀(jì)的電磁學(xué) ? 1．電流的磁效應(yīng)，人物：奧斯特、安培。 ? 3．法拉第的電磁感應(yīng)定律，人物：法拉第。 ? 5．電磁波的實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，人物：赫茲。 ? 2．發(fā)電站與遠(yuǎn)距輸電，人物：德波里。 ? 4．電報(bào)，人物：亨利、莫爾斯。 ? 6．無線電，人物：馬可尼、波波夫。 ? 2．無線廣播，人物：費(fèi)森登。 ? 4．電子計(jì)算機(jī)，人物：巴比奇、莫克萊、馮 模擬電子技術(shù)簡(jiǎn)介 ? 電子二極管 和 三極管 在 20世紀(jì)頭幾年相繼問世。 發(fā)展史 ? 1904年 ，英國人弗萊明發(fā)明真空電子二極管。 ? 1945年 ，二次世界大戰(zhàn)剛結(jié)束，貝爾實(shí)驗(yàn)室成立了一個(gè)固體物理研究組，主要成員有：物理學(xué)家肖克利、布拉頓、巴丁，還有一些電子線路專家、物理化學(xué)家、冶金學(xué)家的參與，在大家的共同努力下，終于在 1947午 12月 23日研制成功了以鍺為材料的第一只晶體管。 ? 1958年美國科學(xué)家基爾比在德州儀器半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室發(fā)明的集成電路改變了整個(gè)電子世界，標(biāo)志著微電子時(shí)代的到來。他認(rèn)為，每過 16個(gè)月．集成電路的價(jià)格降低一半而性能增加一倍。 ? 集成電路由小規(guī)模、中規(guī)模， 70年代發(fā)展到大規(guī)模集成電路，超大規(guī)模集成電路， 日前已開始向巨大規(guī)模集成電路進(jìn)軍，今天的集成電路面積可達(dá) 400—500mm2，線寬可達(dá) ，集成電路存儲(chǔ)器芯片能存儲(chǔ)一部百科全書。 ? IC卡、電子表、錄音機(jī)、 DVD、 MP電視機(jī)、電子玩具、電子游戲、計(jì)算機(jī)、手機(jī)、機(jī)器人、互聯(lián)網(wǎng)等，進(jìn)入人們的生活。微電子機(jī)械系統(tǒng) (MEMS)技術(shù)是建立在微米 /納米技術(shù)（ micro/nanotechnology）基礎(chǔ)上的21世紀(jì)前沿技術(shù)，是指對(duì)微米 /納米材料進(jìn)行設(shè)計(jì)、加工、制造、測(cè)量和控制的技術(shù)。模擬電路中的電信號(hào)稱模擬信號(hào)，它與變換成電信號(hào)前的信息信號(hào)在波形上幾乎“一模一樣”，所以稱模擬信號(hào)。 ? 模擬電子電路通常由一些電阻、電容和電感和一些半導(dǎo)體器件所組成，所以在討論和介紹模擬電子電路之前，先介紹一下一些 常用的半導(dǎo)體器件。 半導(dǎo)體特性： 熱敏特性、光敏特性、摻雜特性 返回 半導(dǎo)體的種類 ? 本征半導(dǎo)體 就是完全純凈的半導(dǎo)體。 本征半導(dǎo)體就是完全純凈的半導(dǎo)體。 ? ：除價(jià)電子以外的原子及原子核。 ? ：獲得一定的能量（高溫或光照）后，共價(jià)鍵中的電子即可掙脫共價(jià)鍵的束縛，成為自由電子。 純凈的半導(dǎo)體其所有的原子基本上整齊排列，形成晶體結(jié)構(gòu)，所以半導(dǎo)體也稱為晶體 ——晶體管名稱的由來 本征半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)中的共價(jià)健結(jié)構(gòu) 本征半導(dǎo)體 Si Si Si Si 共價(jià)鍵 價(jià)電子 返回 自由電子與空穴 本征半導(dǎo)體 共價(jià)鍵中的電子在獲得一定能量后，即可掙脫原子核的束縛，成為自由電子 同時(shí)在共價(jià)鍵中 留下一個(gè)空穴。溫度愈高，自由電子 —空穴對(duì)數(shù)目越多 。 載流子 自由電子和空穴 因?yàn)椋瑴囟扔?，載流子數(shù)目愈多，導(dǎo)電性能也就愈好，所以，溫度對(duì)半導(dǎo)體器件性能的影響很大。 自由電子 能在晶體中自由運(yùn)動(dòng)； 空穴的移動(dòng) 是正離子吸引鄰近的價(jià)電子造 成的，即空穴的運(yùn)動(dòng)只能從一個(gè)束縛狀態(tài) 到另一個(gè)束縛狀態(tài)。 ? 雜質(zhì)半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻雜其它的微量元素，
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