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《半導(dǎo)體的熱電性質(zhì)》ppt課件(文件)

2025-05-24 12:49 上一頁面

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【正文】 與空穴的濃度梯度 、 擴(kuò)散系數(shù) 、 遷移率等物理參量不同 , 理論上 Θp與 Θn大小不同 , 因此樣品兩端的總溫差電動勢大小應(yīng)為 |ΘpΘn |, 方向則由 Θp與 Θn的大小決定 。 顯然 A、 B兩端溫度相同時 , εA=εB , 此時整個回路的電勢差因兩者相互抵消而為 0。 若給整個回路加上外加電源 , 回路中便有如圖所示的電流流過 , 電子的漂移運(yùn)動方向與電場相反 。因此 , 需要采用濃度不同的兩種半導(dǎo)體或者兩種不同的導(dǎo)體材料 。 這種現(xiàn)象即為 湯姆遜效應(yīng) 。 五、半導(dǎo)體的 湯姆遜效應(yīng) 考慮下圖所示的均勻溫度梯度的 n型半導(dǎo)體 , 兩端會產(chǎn)生如圖所示的溫差電動勢 。 這種在接頭 A、 B處分別發(fā)生的吸熱和放熱的現(xiàn)象稱為 珀爾帖效應(yīng) , 是于 1834年由珀爾帖首次發(fā)現(xiàn)的 。 這種效應(yīng)是于 1821年由塞貝克發(fā)現(xiàn)的 , 故稱為 塞貝克效應(yīng) , 產(chǎn)生的溫差電動勢也稱為 塞貝克電動勢 。 設(shè) A、 B兩處的接觸電勢分別為 εA、 εB 。 因此 , 低溫端附近載流子濃度均比高溫端附近低 ,空穴與電子均從高溫端向低溫端擴(kuò)散 。 這時在半導(dǎo)體內(nèi)部有穩(wěn)定的電場 , 兩端形成
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