半導(dǎo)體制造技術(shù)--離子注入工藝(文件)
【正文】 高到 2400井區(qū) P/600/2?1013 P/400/2?1013 P/300/1?1013抗接面擊穿 P/100/5?1013 As/100/5?1012 As/50/2?1012臨界電壓 B/10/7?1012 B/5/3?1012 B/2/4?1012多晶硅注入 P/30/2?1015 B/20/2?1015 B/20/3?1015多晶硅擴(kuò)散阻隔 N2/20/3?1015低摻雜漏極 (LDD) B/7/5?1013 B/5/1?1014 B/2/8?1013Halo井區(qū) B/225/3?1013 B/200/1?1013 B/175/1?1013抗接面擊穿 B/30/2?1013 B/50/5?1012 B/45/5?1012臨界電壓 B/10/7?1012 B/5/3?1012 B/2/4?1012多晶硅注入 P/30/5?1015 P/20/2?1015 As/40/3?1015多晶硅擴(kuò)散阻隔 N2/20/3?1015低摻雜漏極 (LDD) P/20/5?1013 P/12/5?1013 P/5/3?1013HaloMeV),低劑量 (10keV),低劑量 高 197。30到 ratio)? 可以高到 100,000： 1? 天線比例越大，越容易使匣極氧化層崩潰101天線比例多晶硅場(chǎng)區(qū)氧化層 匣極氧化層硅基片俯視圖測(cè)試圖102粒子污染物? 大型粒子會(huì)阻擋注離子束，特別是在低能量離子注入制程 相同的質(zhì)荷比 (m/q==Rs和 P3,V/I四點(diǎn)探針測(cè)量108熱波系統(tǒng)? 氬幫浦在晶圓表面上產(chǎn)生熱脈沖? HeNe探針雷射會(huì)在同一地點(diǎn)量測(cè)由幫浦雷射所造成的直流反射系數(shù) PH3,Sb? 一般常識(shí)：先離開現(xiàn)場(chǎng)，讓受過訓(xùn)練的人入內(nèi)調(diào)查 .115離子注入：電磁安全? 高壓 :kV.? 接地放電 ,做為摻雜氣體? 氟和氫反應(yīng)生成 HF? 任何物品在束線都可以夾帶 HF? 當(dāng)以濕式清洗這些零件時(shí)，必須佩帶雙重手套118離子注入：機(jī)械安全? 移動(dòng)的零件、門、閥和機(jī)械手臂? 旋轉(zhuǎn)輪或圓盤? 熱表面? ……119技術(shù)的趨勢(shì)? 超淺型接面 )針對(duì) 將組件與主體硅基片完全隔絕122a粒子造成的電子 — 電洞對(duì)+ +?a?源極 漏極匣極氧化層124形成硅覆蓋絕緣層結(jié)構(gòu)? 晶圓注入– 注入富含氧離子的硅膜層– 高溫退火? 晶圓接合 (Bonded單晶硅二氧化硅巨體硅127電漿浸置型離子注入? DRAM具有深溝槽電容器? 溝槽變的更深也更窄? 標(biāo)準(zhǔn)離子注入制程很難在深溝槽的兩側(cè)與底部進(jìn)行重度摻雜? 電漿浸置型離子注入 (PIII)? 沒有離子種類與離子能量選擇的離子注入制程128介電質(zhì)層重度摻雜硅硅基片深溝槽式電容器多晶硅129電子回旋共振電漿浸置型離子注入系統(tǒng)氦射頻偏壓磁力線微波磁鐵線圈電子回旋共振電漿晶圓靜電吸附承座130離子注入概要? 摻雜半導(dǎo)體? 比擴(kuò)散好的摻雜方法? 容易控制接面深度 高能量 ,低劑量? 源極 低劑量? 低摻雜漏極 低能量 ,01,AM? 1以我獨(dú)沈久，愧君相 見頻 。01,2023? 1他 鄉(xiāng) 生白 發(fā) ，舊國(guó) 見 青山。上午 04:52:25二月 21? 1比不了得就不比，得不到的就不要。上午 二月 2104:52February4:52:2504:52:2501上午 4:5201,AM? 1成功就是日復(fù)一日那一點(diǎn)點(diǎn)小小努力的 積 累。01,2023? 1意志 堅(jiān) 強(qiáng) 的人能把世界放在手中像泥 塊 一 樣 任意揉捏。上午 04:52:25二月 21? 1楚塞三湘接， 荊門 九派通。上午 二月 2104:52February4:52:2504:52:2501上午 4:5201,AM? 1越是沒有本 領(lǐng) 的就越加自命不凡。01,01,20234:52:25上午 二月 2104:52February4:52:2504:52:2501上午 4:522023? 1一個(gè)人即使已登上 頂 峰，也仍要自 強(qiáng) 不息。2023? 1 業(yè) 余生活要有意 義 ，不要越 軌 。 二月 01 勝 人者有力，自 勝 者 強(qiáng) 。 04:52:2504:52:2504:52Monday, 04:52:2504:52:2504:522/1/2023 二月 21二月 21Monday,2023? 1空山新雨后，天氣晚來秋。2023? 1少年十五二十 時(shí) ，步行 奪 得胡 馬騎 。 二月 二月 二月 21二月 2104:52:2504:52:25February 04:52:2504:52:2504:52Monday, 04:52:2504:52:2504:522/1/2023 二月 21二月 21Monday,2023? 1做前，能 夠環(huán)視 四周；做 時(shí) ，你只能或者最好沿著以腳 為 起點(diǎn)的射 線 向前。2023? 1行 動(dòng) 出成果，工作出 財(cái) 富。 二月 二月 二月 21二月 2104:52:2504:52:25February 04:52:2504:52:2504:52Monday, 04:52:2504:52:2504:522/1/2023 二月 21二月 21Monday,漏極 低能量 ,摻雜物濃度 125漏極 p+源極 +硅基片 + ++ ??keV? USJ的要求– 淺度– 低的薄片電阻– 低的接觸
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1