【摘要】等離子體化工導(dǎo)論講義印永祥四川大學(xué)化工學(xué)院前言等離子體化工是利用氣體放電的方式產(chǎn)生等離子體作為化學(xué)性生產(chǎn)手段的一門科學(xué)。因其在原理與應(yīng)用方面都與傳統(tǒng)的化學(xué)方法有著完全不同的規(guī)律而引起廣泛的興趣,自20世紀(jì)70年代以來(lái)該學(xué)科迅速發(fā)展,已經(jīng)成為人們十分關(guān)注的新興科學(xué)領(lǐng)域之一。特別是,近年來(lái)低溫等離子體技術(shù)以迅猛的勢(shì)頭在化工合成、材料制備、環(huán)境保護(hù)、集成電路制造等許
2025-06-25 05:16
【摘要】集成電路版圖設(shè)計(jì)與驗(yàn)證第三章半導(dǎo)體制造工藝簡(jiǎn)介學(xué)習(xí)目的v(1)了解晶體管工作原理,特別是MOS管的工作原理v(2)了解集成電路制造工藝v(3)了解COMS工藝流程主要內(nèi)容工藝流程工藝集成v半導(dǎo)體硅原子結(jié)構(gòu):4個(gè)共價(jià)鍵,比較穩(wěn)定,沒(méi)有明顯的自由電子。v1、半導(dǎo)體能帶v禁帶帶隙介于導(dǎo)體和絕緣體之間v2
2025-03-01 12:21
【摘要】制程及原理概述半導(dǎo)體工業(yè)的制造方法是在硅半導(dǎo)體上制造電子元件(產(chǎn)品包括:動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器、靜態(tài)記億體、微虛理器…等),而電子元件之完成則由精密復(fù)雜的集成電路(IntegratedCircuit,簡(jiǎn)稱IC)所組成;IC之制作過(guò)程是應(yīng)用芯片氧化層成長(zhǎng)、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴(kuò)散、離子植入及薄膜沉積等技術(shù),所須制程多達(dá)二百至三百個(gè)步驟。隨著電子信息產(chǎn)品朝輕薄短小化的方向發(fā)展,半導(dǎo)體制造方法亦朝著高
2025-06-16 15:39
【摘要】第2章等離子體基本概念?介紹一些等離子體物理的基本概念,為進(jìn)一步學(xué)習(xí)等離子體物理做些引導(dǎo)。等離子體與等離子體物理學(xué)?等離子體:當(dāng)物質(zhì)的溫度從低到高變化時(shí),物質(zhì)將經(jīng)歷固體、液體和氣體三種狀態(tài),當(dāng)溫度再升高,氣體中的原子、分子出現(xiàn)電離狀態(tài),形成電子、離子組成的體系,這種由大量帶電粒子(有時(shí)還有中性粒子
2025-07-20 09:15
【摘要】低溫等離子體(děnglízǐtǐ)消毒,第一頁(yè),共四十三頁(yè)。,低溫(dīwēn)等離子體消毒,1.消毒(xiāodú)滅菌的定義2.低溫等離子體滅菌技術(shù)3.低溫等離子體的消毒機(jī)理4.低溫等離子滅菌的...
2025-10-23 17:00
【摘要】酒泉鋼鐵(集團(tuán))有限責(zé)任公司嘉峪關(guān)2×350MW自備熱電聯(lián)產(chǎn)工程鍋爐等離子體點(diǎn)火系統(tǒng)調(diào)試措施煙臺(tái)龍?jiān)措娏夹g(shù)股份有限公司2020年12月1措施名稱:嘉峪關(guān)2
2025-08-21 02:28
【摘要】低溫等離子體技術(shù)在炭材料改性方面的應(yīng)用匯報(bào)人:李景明時(shí)間:?發(fā)表者:邱介山?發(fā)表時(shí)間:2022年09月?發(fā)表期刊:新型炭材料?作者介紹?邱介山,大連理工大學(xué)化工學(xué)院教授、博士生導(dǎo)師,國(guó)家“有突出貢獻(xiàn)中青年專家”及國(guó)家“百千萬(wàn)人才工程”人選、全國(guó)化工優(yōu)秀科技工作者、全國(guó)百篇優(yōu)秀博士論文指導(dǎo)教
2025-01-18 16:36
【摘要】半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻(上)光刻的作用和目的圖形的產(chǎn)生和布局1半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻(上)光刻的定義光刻是一種圖形復(fù)印和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術(shù)。用照相復(fù)印的方法將掩模版上的圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面的光刻膠上,以實(shí)現(xiàn)后續(xù)的有選擇刻蝕或注入摻雜光刻的目的:光
2025-03-01 04:28
【摘要】等離子體物理習(xí)題與思考題第1章習(xí)題與思考題1、聚變能利用的基本原理和重要意義。2、實(shí)現(xiàn)聚變能利用的困難及解決的途徑。3、實(shí)現(xiàn)受控?zé)岷朔磻?yīng)能源利用的勞孫條件和自持燃燒條件(點(diǎn)火條件)第2章習(xí)題與思考題1、等離子體電荷屏蔽現(xiàn)象與準(zhǔn)電中性2、屏蔽庫(kù)侖勢(shì)與德拜屏蔽長(zhǎng)度的意義3、試驗(yàn)證
2025-08-01 13:42
【摘要】1某市某某制藥有限公司制藥車間廢氣治理初步設(shè)計(jì)方案有限公司2020年12月17日2某市某某制藥有限公司制藥車間廢氣治理初步設(shè)計(jì)方案目錄一、項(xiàng)目概述
2025-10-11 04:17
【摘要】第三章,等離子體診斷?概述?靜電探針和其它固體探針?磁探圈?電磁波散射?電磁波干涉和Faraday旋轉(zhuǎn)測(cè)量?電磁波發(fā)射?粒子束測(cè)量?漲落測(cè)量1,概述診斷的作用(對(duì)ITER而言)?保證安全運(yùn)轉(zhuǎn)和等離子體控制(電流、電壓、位置、雜質(zhì)水平、硬X射線等)?為維持先進(jìn)等離子體控制而提
2025-10-08 12:47
2025-10-29 16:58
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝第4章 氧 化第4章 氧 化 引言 二氧化硅膜的性質(zhì) 二氧化硅膜的用途 熱氧化原理 氧化設(shè)備 氧化膜的質(zhì)量控制 氧化工藝模擬 引言二氧化硅(SiO2)是一種絕緣介質(zhì)。它在半導(dǎo)體器件中起著十分重要的作用。硅暴露在空氣中,即使在室溫條件下,其表面也能生長(zhǎng)一層4nm左右的氧化膜。這一層氧化膜結(jié)構(gòu)致密,能防止硅表面繼續(xù)被氧
2025-03-01 04:31
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料:純硅9-10個(gè)9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP+++++半導(dǎo)體元件制造過(guò)程可分為?前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(Wa
2025-03-01 04:29
【摘要】雙頻容性耦合等離子體物理特性的研究*王友年大連理工大學(xué)物理與光電工程學(xué)院
2025-03-05 09:23