半導(dǎo)體制造工藝第2章半導(dǎo)體制造工藝概況-展示頁
2025-03-07 04:30本頁面
【正文】 表 21 雙極型集成電路的工藝過程 雙極型集成電路制造工藝表 21 雙極型集成電路的工藝過程 雙極型集成電路制造工藝表 21 雙極型集成電路的工藝過程 CMOS器件制造工藝 20世紀(jì) 80年代的 CMOS工藝技術(shù)20世紀(jì) 80年代的 CMOS工藝技術(shù)具有以下特點(diǎn) :1)采用場氧化 (LOCOS)工藝進(jìn)行器件間的隔離。7)二氧化硅表面平坦化 (CMP)。5)刻蝕露出隔離區(qū)的硅，形成硅槽。3)刻蝕氮化硅，露出隔離區(qū)的硅。圖 23 LOCOS工藝的示意圖 器件的隔離圖 2?4 局部氧化產(chǎn)生的鳥嘴效應(yīng) 器件的隔離1)熱生長一層薄的墊氧層，用來降低氮化物與硅之間的應(yīng)力。4)熱氧化，氮化硅作為氧化阻擋層保護(hù)下面的硅不被氧化，隔離區(qū)的硅被氧化。2)淀積氮化物膜 (Si3N4)，作為氧化阻擋層。深度達(dá)到襯底的 V型溝槽內(nèi)側(cè)形成二氧化硅，再用多晶硅填滿，達(dá)到絕緣隔離的目的?！〗^緣體隔離絕緣體隔離法通常用于 MOS集成電路的隔離，用二氧化硅作為絕緣體，該二氧化硅作為隔離墻，一般來說，二氧化硅隔離用于器件區(qū)域的側(cè)面，器件區(qū)域底部的隔離則用 PN結(jié)來實(shí)現(xiàn)。圖 21 PN結(jié)隔離 器件的隔離2)在外延層上淀積二氧化硅 (SiO2)，并進(jìn)行光刻和刻蝕。圖 2?1所示為利用 PN結(jié)隔離形成器件區(qū)域的工藝，其工藝過程如下。由于每個器件彼此之間需要相互絕緣，即需要隔離，因此在介紹這兩種工藝之前先對器件隔離技術(shù)做簡單介紹。集成電路種類很多 ， 以構(gòu)成電路的晶體管來區(qū)分有雙極型集成電路和 MOS集成電路兩類，前者以雙極型平面晶體管為主要器件，有晶體管 ? 晶體管邏輯（ TTL）電路、高速發(fā)射極耦合邏輯（ ECL）電路、高速低功耗肖特基晶體管 ? 晶體管邏輯（ SLTTL）電路和集成注入邏輯電路（ I2L）幾種，后者以 MOS管為基礎(chǔ)，有 N溝道 MOS電路（ NMOS）、 P溝道 MOS電路（ PMOS）、互補(bǔ) MOS電路（ CMOS）等電路結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體制造工藝第 2章 半導(dǎo)體制造工藝概況第 2章 半導(dǎo)體制造工藝概況 引言 器件的隔離 雙極型集成電路制造工藝 CMOS器件制造工藝 引言集成電路的制造要經(jīng)過大約 450道工序，消耗 6~8周的時間，看似復(fù)雜，而實(shí)際上是將幾大工藝技術(shù)順序、重復(fù)運(yùn)用的過程，最終在硅片上實(shí)現(xiàn)所設(shè)計的圖形和電學(xué)結(jié)構(gòu)。在講述各個工藝之前，介紹一下集成電路芯片的加工工藝過程，使學(xué)生對半導(dǎo)體制造的全局有一個認(rèn)識，并對各個工藝在整個工藝流程中的作用和意義有所了解?！∫杂捎?CMOS技術(shù)在 MOS器件工藝中最有代表性，在綜合尺寸縮小和工作電壓降低的同時獲
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