第4章ic工藝之離子注入-在線瀏覽
2025-03-22 08:10本頁面
【正文】 MMMRR32– 平均射程 pRPage 107 – 多能量、多劑量注入 – . 設備 Analyzing Mag Graphite Ion source Analyzing mag Ion beam Extraction assembly Lighter ions Heavy ions Neutrals Figure . 溝道效應和盧瑟福背散射 6. 2. （ page 101） 溝道峰 – 溝道效應的消除 (臨界角） – 4. 2. RBSC 作用？。 111） 與什么因素有關？ 如何則量？ Annealing of Silicon Crystal Repaired Si lattice structure and activated dopantsilicon bonds b) Si lattice after annealing a) Damaged Si lattice during implant Ion Beam Figure – 熱退 – P107 等時退火 Isochronal Annealing 等溫退火 Isothermal Annealing ??? ?/exp()( 0 tNTtN 、 )/exp( kTEA e??1）激活率 (成活率 )（ %） Si： P、 B?100%， As ?50% 2）臨界通量 ?C(cm2) 與注入離子種類、大小，能量有關 與注入時的襯底溫度有關 3）退火后的雜質再分布 （ P。離子源：汽化 ?高壓電離 多價問題 分子態(tài) —原子態(tài)問題 （產(chǎn)額問題） 2。遮擋 (注入陰影效應 Implant Shadowing)（ P119） 4. 硅片充電 Resist a) Mechanical scanning with no tilt Ion beam b) Electrostatic scanning with normal tilt Resist Electron Shower for Wafer Charging Control Adapted from Eaton NV10 ion implanter, circa 1983 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + Biased aperture Electron gun Secondary electron target Secondary electrons +Ion electron rebination Wafer Figure 一次電子 (幾百 eV) 二次電子 (20eV) 不能有高能電子 ! Plasma Flood to Control Wafer Charging Biased aperture Ion beam Neutralized atoms Wafer scan direction Current (dose) monitor Plasma electron flood chamber Argon gas inlet Electron emission Chamber wall + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + S N S N + + + + + + +
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鄂ICP備17016276號-1