第9章ic工藝薄膜物理淀積技術-在線瀏覽
2025-04-03 20:18本頁面
【正文】 operator interface Exhaust Chuck Electrode Target Substrate Blocking capacitor Roughing pump Pressure controller Gas panel – 射頻濺射： 解決絕緣靶材料上的電荷堆積問題和合金材料的組分問題 – 等離子體濺射：低壓（電壓、氣壓） – 磁控濺射：提高離化率、分離非離化離子 – 優(yōu)點：？ –工藝： （組分的控制，界面態(tài)） – 臺階覆蓋： （ 301， Morphology and Step Coverage） (臺階的應用 ) ? . PVD的主要應用 PVD技術主要用于金屬膜的制備 （也可以用于非金屬薄膜材料的生長） 主要金屬材料 連線材料（鋁 Al、鋁銅合金、銅 Cu） 阻擋層金屬（ W、 Ti、 Mo、 Ta等） 硅化物（ Pt、 W、 Ti等） 金屬填充物（ W等） 其它 *真空度對生長膜質(zhì)量的影響 **材料純度對生長膜質(zhì)量的影響 ***技術方法對生長膜質(zhì)量的影響 Silicon and Select Wafer Fab Metals (at 20176。 歐姆電極和連線材料的要求： 電阻率低、穩(wěn)定抗氧化、與基質(zhì)材料的粘接性好、能與各型硅材料形成良好的歐姆接觸、易于光刻、易于鍵合 金屬（ Al）的電阻率、粘附性和可光刻性 幾個物理問題 1）合金的形成 相圖 固溶度 金屬化合金溫度 的選擇 557176。C 金屬化時， Al/Si界面的滲透主要是Si向 Al內(nèi)擴散。 Al/SiO2界面的在低溫下可形成一極薄的Al2O3層 3） Al/Si接觸中的尖刺現(xiàn)象 Al向硅中擴散，（ 100）方向的擴散系數(shù)大，所以 MOS IC器件中明顯。 Al/多晶 Si雙層金屬化結構 ——重摻雜（ P、As）多晶硅具有低阻、互連性好、多晶粒不易在低溫下再結晶等特點。 Al阻擋層結構 ——用?。◣资{米）金屬膜（ ~、 TiN ） 作 Al/Si間的阻擋層（可在 600176。 TiW的壓應力大，因而目前多用 TiN。 4）電遷移現(xiàn)象： 表觀現(xiàn)象為， Al電
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