第9章ic工藝薄膜物理淀積技術(shù)(編輯修改稿)
2025-03-20 20:18 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 um (A l ) 660 2. 65Co ppe r (Cu ) 1083 1. 678T u n gs t e n (W ) 3417 8T i t a ni um ( T i ) 1670 60T a nt a l um ( T a ) 2996 13 – 16M o l y b de n um (M o ) 2620 5P l a t i n u m (P t ) 1772 10 ? . 器件中的金屬膜 在器件中的作用： —?dú)W姆電極、連線、肖特基接觸 （半導(dǎo)體物理） 金屬功函數(shù)與半導(dǎo)體親合能對金 —半接觸時(shí)的界面空間電荷區(qū)的影響 阻擋層和反阻擋層的形成 界面態(tài)的影響 ？ 費(fèi)米能級釘扎 隧穿效應(yīng) 與半導(dǎo)體載流子濃度的關(guān)系 eF W ?? ?? 實(shí)現(xiàn)低歐姆接觸的途徑 高摻雜（正面） 粗表面（背面） 合金（雙面）：合金層和擴(kuò)散層 表面態(tài)的形成 實(shí)現(xiàn)肖特基接觸的途徑 表面態(tài)的處理 —— 金屬的選擇 表面的處理 鍍膜溫度和速率 表面 費(fèi)米能級的工藝調(diào)制 . Al在硅器件中的特點(diǎn) Al是硅平面器件中的三種基本材料之一 主要做歐姆電極和連線，也能與 p型硅形成歐姆接觸。 歐姆電極和連線材料的要求： 電阻率低、穩(wěn)定抗氧化、與基質(zhì)材料的粘接性好、能與各型硅材料形成良好的歐姆接觸、易于光刻、易于鍵合 金屬（ Al）的電阻率、粘附性和可光刻性 幾個(gè)物理問題 1）合金的形成 相圖 固溶度 金屬化合金溫度 的選擇 557176。C 合金處理也將改 變界面態(tài) 2）界面滲透 557176。C 金屬化時(shí)， Al/Si界面的滲透主要是Si向 Al內(nèi)擴(kuò)散。 金屬 /半導(dǎo)體界面的低溫相互滲透，將使界面的機(jī)械強(qiáng)度增加，但也可能影響界面態(tài)的穩(wěn)定。 Al/SiO2界面的在低溫下可形成一極薄的Al2O3層 3） Al/Si接觸中的尖刺現(xiàn)象 Al向硅中擴(kuò)散，（ 100）方向的擴(kuò)散系數(shù)大，所以 MOS IC器件中明顯。 Junction Spiking Junction short Shallow junction 尖刺現(xiàn)象的抑制：
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