第9章ic工藝薄膜物理淀積技術(shù)-wenkub
2023-03-21 20:18:26 本頁(yè)面
【正文】 chamber (bell jar) Crucible Evaporating metal Wafer carrier 2）電子束蒸發(fā)： 純度高 鍍膜速率易控制 誘生軟 x射線： 輻照損傷問(wèn)題 3）濺射沉積 ()(~) 直流濺射 RF Sputtering System Argon Gas flow controller Turbo pump RF generator Matching work Microcontroller operator interface Exhaust Chuck Electrode Target Substrate Blocking capacitor Roughing pump Pressure controller Gas panel – 射頻濺射： 解決絕緣靶材料上的電荷堆積問(wèn)題和合金材料的組分問(wèn)題 – 等離子體濺射：低壓（電壓、氣壓） – 磁控濺射：提高離化率、分離非離化離子 – 優(yōu)點(diǎn)：？ –工藝： （組分的控制，界面態(tài)） – 臺(tái)階覆蓋： （ 301， Morphology and Step Coverage） (臺(tái)階的應(yīng)用 ) ? . PVD的主要應(yīng)用 PVD技術(shù)主要用于金屬膜的制備 （也可以用于非金屬薄膜材料的生長(zhǎng)） 主要金屬材料 連線材料（鋁 Al、鋁銅合金、銅 Cu） 阻擋層金屬（ W、 Ti、 Mo、 Ta等） 硅化物（ Pt、 W、 Ti等） 金屬填充物（ W等） 其它 *真空度對(duì)生長(zhǎng)膜質(zhì)量的影響 **材料純度對(duì)生長(zhǎng)膜質(zhì)量的影響 ***技術(shù)方法對(duì)生長(zhǎng)膜質(zhì)量的影響 Silicon and Select Wafer Fab Metals (at 20176。第九章：薄膜物理淀積技術(shù) Metal Layers in a Chip Multilevel Metallization on a ULSI Wafer Passivation layer Bonding pad metal p+ Silicon substrate Via ILD2 ILD3 ILD4 ILD5 M1 M2 M3 M4 p Epitaxial layer p+ ILD6 LI o
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