第9章ic工藝薄膜物理淀積技術(shù)-wenkub.com
2025-02-28 20:18 本頁(yè)面
【正文】 第五層金屬 Ni在前面幾層金屬與第六層的 Au之間形成一層阻擋層防止過(guò)多的 As擴(kuò)散進(jìn)入頂層的 Au[7]。）， Au（ 2200 197。）， Ge（ 40 197。 nInGaAs帽層 Au 660 197。 Ge 400 197。 Ge在一定溫度下通過(guò)擴(kuò)散進(jìn)入 InGaAs并占據(jù) Ga空位，成為施主雜質(zhì)，因而在合金層下形成一層高摻的 n+層 [6]， 這是形成歐姆接觸的關(guān)鍵。）， Ge（ 400197。 nInGaAs帽層 Au 660 197。 Ge 400 197。 對(duì)策包括， Al膜多晶化、 AlCu等合金、夾心結(jié)構(gòu)、介質(zhì)膜覆蓋和 Cu基材料。 TiW的壓應(yīng)力大，因而目前多用 TiN。 Al/多晶 Si雙層金屬化結(jié)構(gòu) ——重?fù)诫s（ P、As）多晶硅具有低阻、互連性好、多晶粒不易在低溫下再結(jié)晶等特點(diǎn)。C 金屬化時(shí)， Al/Si界面的滲透主要是Si向 Al內(nèi)擴(kuò)散。 晶粒自由能對(duì)成核的影響： 臨界半徑 —表面能的約束 界面親和能對(duì)成核的影響： 浸潤(rùn)濕夾角 —界面鍵的形成 晶粒間界的形成與多晶膜的生長(zhǎng)： 雜質(zhì)的影響： 非晶膜的形成： （ Si非晶膜、多晶膜和外延層的形成） （ PVD）方法 1）熱阻加熱蒸發(fā)鍍膜 常規(guī)真空系統(tǒng)： （ Ch 12） 油擴(kuò)散泵原理 :() 無(wú)油真空系統(tǒng)： 分子泵 低溫吸附泵 濺射離子泵 （ Ti升華泵） ? 真空的測(cè)量 , 熱偶規(guī) 電離規(guī) ? 坩堝 : 與蒸發(fā)材料的粘潤(rùn)性和互溶度 鎢、剛玉等 P302~303 – 優(yōu)點(diǎn)與缺點(diǎn)： 系統(tǒng)簡(jiǎn)單、可蒸鍍各種材料、易做厚膜 純度不夠高、鍍膜速率不易控制、均勻性較差（星型夾具） – 平衡蒸氣壓： – 合金與化合物蒸發(fā)： P305 無(wú)分解蒸發(fā)、分解蒸發(fā)；不同蒸氣壓的蒸發(fā) – 膜厚的實(shí)時(shí)測(cè)量： 石英振蕩法（原理？） 精度可達(dá) ~ Simple Evaporator Roughing pump HiVac valve HiVac pump Process
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