ic工藝技術(shù)11-ic制造中的質(zhì)量控制(編輯修改稿)
2025-01-26 19:31 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 化和蒸發(fā)金屬導(dǎo)體連線，擊穿氧化層? 積累電荷的硅片能吸引帶電顆粒和中性顆粒靜電釋放 (ESD)的防止? 防靜電的凈化間材料? 人員和設(shè)備接地? 離子發(fā)射器－使空氣電離－中和硅片上靜電荷（三）工藝設(shè)計(jì)優(yōu)化－試驗(yàn)設(shè)計(jì)試驗(yàn)設(shè)計(jì)? 試驗(yàn)設(shè)計(jì) DOE, Design of Experiments * 在諸多工藝參數(shù)中找出主要因素 * 用較少的工藝試驗(yàn)次數(shù)決定工藝條件? Taguchi法刻蝕試驗(yàn)的全因素試驗(yàn)輸入?yún)?shù) (w) (mTorr) (?C) % (Torr) (slpm)結(jié)果：刻蝕速率全因素試驗(yàn) 每個(gè)參數(shù)（因子）取三個(gè)值，需做 37即 2187次試驗(yàn)刻蝕試驗(yàn)的正交矩陣 (OA)因素 1 2 3 4 5 6 7試 1 L L L L L L L試 2 L L L H H H H試 3 L H H L L H H試 4 L H H H H L L試 5 H L H L H L H試 6 H L H H L H L試 7 H H L L H H L試 8 H H L H L L H刻蝕試驗(yàn)的試驗(yàn)參數(shù)變量 H級(jí) L級(jí)1 RF功率 (w) 500 1002 壓力 (mTorr) 50 103 腔室溫度 (?C) 80 404 CF4% 75 505 本底壓力 (Torr) 1x104 1x1056 硅片數(shù)量 4 17 總氣流量 (slpm) L8 OA試驗(yàn)刻蝕結(jié)果1 2 3 4 5 6 7 Etch rate(kA/min)試 1 L L L L L L L 試 2 L L L H H H H 試 3 L H H L L H H 試 4 L H H H H L L 試 5 H L H L H L H 試 6 H L H H L H L 試 7 H H L L H H L 試 8 H H L H L L H 方差分析? 試驗(yàn)偏差? SS=[?(H) ?(L)]2/8? 以因素 1（射頻功率）為例? SSpower=()2/8＝ 數(shù)據(jù)分析例變量 SS df V F1 功率 . 1 99%顯著2 壓力 1 99%顯著3 腔室溫度 * * *4 CF4 % 1 99%顯著5 本底壓力 0 * * *6 硅片數(shù)量 1 90%顯著7 總氣流量 * * *（四）統(tǒng)計(jì)過程控制 (SPC)Statistical Process Control工藝受控的概念? 生產(chǎn)中即使原料和工藝條件 ‘保持不變 ’，工藝結(jié)果也存在起伏．原因分兩類： （不可避免）－服從統(tǒng)計(jì)規(guī)律 如過失誤差，條件改變，變化突然異常大，或有一定趨勢(shì)．? 若只存在隨機(jī)原因引起的起伏稱工藝處于統(tǒng)計(jì)受控狀態(tài)正態(tài)分布函數(shù)T=6?TL
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