第8章ic工藝晶體外延生長技術(shù)(編輯修改稿)
2025-03-16 12:03 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 – 3）生長速率與襯底取向的關(guān)系 v(110)v(100)v(111) ? – 4)氣相質(zhì)量轉(zhuǎn)移 進一步分析可得： 由這一公式可得出什么？ xUPDh rGG?? 0331? – 外延堆垛層錯 CCAAAAAAAAAAAAACC BBBCCCCCCCCCCCCCBBB AAABBBBBBBBBBBAAAAA CCCAAAAAAAAACCCCC BBBBCCCCCCCCCBBBBB AAAAABBBBBBBAAAAAA CCCCCCAAAAACCCCCCC BBBBBBBBCCCBBBBBBBB AAAAAAAABAAAAAAAAA 層錯 (失配晶核 )產(chǎn)生的原因：晶面的缺陷(機械損傷、位錯、微缺陷、氧化斑點、雜質(zhì)沉陷區(qū) )和表面污染（灰塵、雜質(zhì)等），氣體和反應劑的純度不夠，溫度過低或起伏過大，生長速率過快等。 HCl汽相拋光 ? （汽相）外延生長工藝 – 外延層中的摻雜 在外延反應劑中加入摻雜劑 （如： PH PCl PCl AsCl AsHSbCl SbH3和 BBr BCl B2H6等） – 1）摻雜濃度受汽相中的摻雜劑分氣壓控制 00)/( GSifSifPHNPNN?? – 2）生長速率和溫度的影響 為什么溫度升高會使?jié)舛冉档停? Silicon Vapor Phase Epitaxy Reactors Exhaust Exhaust Exhaust RF heating RF heating Gas inlet Gas inlet Horizontal reactor Barrel reactor Vertical reactor – 外延過程中的雜質(zhì)再分布和自摻雜 – 1）襯底雜質(zhì)的再分布 N1 （見 page 228） – 在外延區(qū)：
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