半導(dǎo)體ic制造流程(編輯修改稿)
2025-05-04 20:43 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 蝕刻后清洗技術(shù)，銅導(dǎo)線兼容之光阻去除技術(shù)、低介電常數(shù)材料兼容之光阻去除技術(shù)、銅污染去除技術(shù)等。 經(jīng)過黃光定義出我們所需要的電路圖，把不要的部份去除掉，此去除的 步驟就稱之為蝕刻，因為它好像雕刻，一刀一刀的削去不必要不必要的木屑，完成作品，期間又利用酸液來腐蝕的，所以叫做「蝕刻區(qū)」。濕式蝕刻: 酸堿溶液(化學(xué)方式) 選擇性高等向蝕刻1. Throughput 高2. 設(shè)備價格低3. 溶液更新頻率=成本4. 溶液本身的污染優(yōu)點1.(throughput)高成本干式蝕刻: 電漿蝕刻(Plasma Etching),活性離子蝕刻(R I E)(物理方式) 選擇性低非等向蝕刻撞擊損傷(damages)224。負面影響:晶格排列因撞擊而偏移撞擊 能量傳遞 活化能降低 反應(yīng)加速蝕刻考慮因素:1. 選擇性(Selectivity) 3. 蝕刻速率(Etching Rate)2. 等向性(Isotropy) 4. 芯片損傷(Damags)3）擴散本區(qū)的制造過程都在高溫中進行，又稱為「高溫區(qū)」，利用高溫給予物 質(zhì)能量而產(chǎn)生運動，因為本區(qū)的機臺大都為一根根的爐管，所以也有人稱為「爐管區(qū)」，每一根爐管都有不同的作用。氧 化影響熱氧化速率的因素: SiO2良好的絕緣特性導(dǎo)至硅半導(dǎo)體及MOS結(jié)構(gòu)能夠盛行的主要原因.第一個做出的是Ge半導(dǎo)體Ge(鍺)無良好的氧化物所以分展硅o化合物半導(dǎo)體GaAS Inp常用在光電因會發(fā)光，n和p的濃度提高空乏區(qū)寬度變窄,所以要提高濃度o倍率高:TEM 穿透式 電子顯微鏡SEM 掃瞄式 電子顯微鏡熱(高溫)氧化:(Thermal oxidation): O2+si 一 sio2: H2O + Si 一sio2 + 2H2成長速率:CVD Sio2 Wet Sio2 DRY Sio2品質(zhì)CVD Sio2 Wet SIO2 Dry Sio2CVD Sio2:今屬間介電層Wet Sio2:場氧化層Dry Sio2:閘極氧化層熱氧化層 == CVD 氧化層高溫 900度 低溫 700~800 以下結(jié)構(gòu)致密 HF去吃很慢 結(jié)構(gòu)松散 HF去吃很快高絕緣強度 低絕緣強度4）薄膜 ，ULSI制程所需之成膜沈積技術(shù)，涵蓋金屬導(dǎo)線技術(shù)、介電層技術(shù)以及平坦化技術(shù)等三項子技術(shù)。以金屬導(dǎo)線技術(shù)而言，以銅導(dǎo)線沈積技術(shù)研發(fā)為主，依據(jù)半導(dǎo)體制程發(fā)展趨勢將開發(fā)高電漿密度物理性金屬沈積技術(shù)、電化學(xué)沈積技術(shù)以及化學(xué)氣相沈積技術(shù)。以介電層技術(shù)而言，主要分為先進介電值沈積技術(shù)及低介電常數(shù)薄膜成膜技術(shù)，先進介電質(zhì)沈積技術(shù)為開發(fā)高密度電漿化學(xué)氣相沈積，；而低介電常數(shù)膜主要應(yīng)用于高速組件傳遞延遲、功率消耗及干擾，本計劃將針對此新材料之成膜應(yīng)用加以研究。平坦化技術(shù)主要開發(fā)化學(xué)機械研磨相關(guān)技術(shù)，針對金屬及介電質(zhì)進行研磨及研磨后清潔技術(shù)之研發(fā)，并針對研磨終點檢測技術(shù)平坦化模擬、研磨后腐蝕及氧化之防治進行研究。本區(qū)機器操作時，機器中都需要抽成真空，所以又稱之為真空區(qū)，真空區(qū)的機器多用來作沈積暨離子植入，也就是在Wafer上覆蓋一層薄薄的薄膜，所以稱之為「薄膜區(qū)」。在真空區(qū)中有一站稱為晶圓允收區(qū)，可接受芯片的測試，針對我們所制造的芯片，其過程是否有缺陷，電性的流 通上是否有問題，由工程師根據(jù)其經(jīng)驗與電子學(xué)上知識做一全程的檢測，由某一電性量測值的變異判斷某一道相關(guān)制程是否發(fā)生任何異常。此 檢測不同于測試區(qū)（Wafer Probe）的檢測，前者是細部的電子特性測試 與物理特性測試，后者所做的測試是針對產(chǎn)品的電性功能作檢測?！毒A針測制程介紹》 晶圓針測（Chip Probing；CP）之目的在于針對芯片作電性功能上的 測試（Test），使 IC 在進入構(gòu)裝前先行過濾出電性功能不良的芯片，以避免對不良品增加制造成本。 半導(dǎo)體制程中，針測制程只要換上不同的測試配件，便可與測試制程共享相同的測試機臺（Tester）。所以一般測試廠為提高測試機臺的使用率，除了 提供最終測試的服務(wù)亦接受芯片測試的訂單。以下將此針測制程作一描述。 上圖為晶圓針測之流程圖，其流程包括下面幾道作業(yè)： （1）晶圓針測并作產(chǎn)品分類（Sorting） 晶圓針測的主要目的是測試晶圓中每一顆晶粒的電氣特性，線路的 連接，檢查其是否為不良品，若為不良品，則點上一點紅墨水，作為識別之用。除此之外，另一個目的是測試產(chǎn)品的良率，依良率的高低來判斷晶圓制造的過程是否有誤。良品率高時表示晶圓制造過程一切正常， 若良品率過低，表示在晶圓制造的過程中，有某些步驟出現(xiàn)問題，必須盡快通知工程師檢查。 （2）雷射修補（Laser Repairing） 雷射修補的目的是修補那些尚可被修復(fù)的不良品（有設(shè)計備份電路 在其中者），提高產(chǎn)品的良品率。當晶圓針測完成后，擁有備份電路的產(chǎn)品會與其在晶圓針測時所產(chǎn)生的測試結(jié)果數(shù)據(jù)一同送往雷射修補機中 ，這些數(shù)據(jù)包括不良品的位置，線路的配置等。雷射修補機的控制計算機可依這些數(shù)據(jù)，嘗試將晶圓中的不良品修復(fù)。 （3）加溫烘烤（Baking） 加溫烘烤是針測流程中的最后一項作業(yè)，加溫烘烤的目的有二： （一）將點在晶粒上的紅墨水烤干。 （二）清理晶圓表面。經(jīng)過加溫烘烤的產(chǎn)品，只要有需求便可以出貨。 【半導(dǎo)體構(gòu)裝制程】 隨著IC產(chǎn)品需求量的日益提升，推動了電子構(gòu)裝產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。而電子制造技術(shù)的不斷發(fā)展演進，在IC芯片「輕、薄、短、小、高功能」的要求下 ，亦使得構(gòu)裝技術(shù)不斷推陳出新，以符合電子產(chǎn)品之需要并進而充分發(fā)揮其功能。構(gòu)裝之目的主要有下列四種： （1）電力傳送 （2）訊號輸送 （3）熱的去除 （4）電路
公司管理相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1