【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料：純硅9-10個(gè)9?N型硅：摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅：摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié)：NP+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段（FrontEnd）制程晶圓處理制程（Wafe
2025-03-01 04:30
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第六章擴(kuò)散原理(下)上節(jié)課主要內(nèi)容1、摻雜工藝一般分為哪兩步？結(jié)深？薄層電阻？固溶度？2、兩種特殊條件下的費(fèi)克第二定律的解及其特點(diǎn)？特征擴(kuò)散長度？預(yù)淀積＋退火。預(yù)淀積：氣固相預(yù)淀積擴(kuò)散或離子注入。Rs：表面為正方形的半導(dǎo)體薄層（結(jié)深），在平行電流方向所呈現(xiàn)的電阻，單位為?/?，反映擴(kuò)散入硅
2025-03-03 14:53
【總結(jié)】學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院學(xué)習(xí)情景三：薄膜制備子情景4：物理氣相淀積學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院半導(dǎo)體制造工藝第2版?書名：半導(dǎo)體制造工藝第2版?書號(hào)：978-7-111-50757-4?作者：張淵?出版社：機(jī)械工業(yè)出版社學(xué)習(xí)情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院物理氣相淀積?概念：物
【總結(jié)】半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻原理(下)光刻膠的一些問題1、由于硅片表面高低起伏，可能造成曝光不足或過曝光。線條寬度改變！1半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻原理(下)2、下層反射造成駐波，下層散射降低圖像分辨率。DUV膠—ARCg線和i線膠—使用添加劑，吸光并
2025-02-28 12:03
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第六章擴(kuò)散原理(上)摻雜（doping）：將一定數(shù)量和一定種類的雜質(zhì)摻入硅中，并獲得精確的雜質(zhì)分布形狀（dopingprofile）。MOSFET：阱、柵、源/漏、溝道等BJT：基極、發(fā)射極、集電極等摻雜應(yīng)用：BECppn+n-p+p+n+n+B
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料：純硅9-10個(gè)9?N型硅：摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅：摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié)：NP+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段（FrontEnd）制程晶圓處理制程（Wa
2025-03-01 04:28
【總結(jié)】手機(jī)設(shè)計(jì)、研發(fā)與制造全過程現(xiàn)在的手機(jī)已經(jīng)漸漸脫離了單純通訊工具的身份，逐漸轉(zhuǎn)變成為一個(gè)多媒體和信息的終端設(shè)備，未來日常的溝通、娛樂、理財(cái)?shù)然顒?dòng)，都是可以透過手機(jī)來進(jìn)行。當(dāng)大家在每一次看到一部新奇而又擁有高性能、鮮亮的外觀設(shè)計(jì)的手機(jī)出現(xiàn)時(shí)，各位是否有這樣的好奇心，這樣的手機(jī)到底是怎么設(shè)計(jì)和制造出來的呢？所以今天我們嘗試用一個(gè)技術(shù)的客觀角度，來簡單描述手機(jī)設(shè)計(jì)部門的構(gòu)造與及部門與部門之間的關(guān)
2025-06-30 00:47
【總結(jié)】完美WORD格式手機(jī)設(shè)計(jì)、研發(fā)與制造全過程現(xiàn)在的手機(jī)已經(jīng)漸漸脫離了單純通訊工具的身份，逐漸轉(zhuǎn)變成為一個(gè)多媒體和信息的終端設(shè)備，未來日常的溝通、娛樂、理財(cái)?shù)然顒?dòng)，都是可以透過手機(jī)來進(jìn)行。當(dāng)大家在每一次看到一部新奇而又擁有高性能、鮮亮的外觀設(shè)計(jì)的手機(jī)出現(xiàn)時(shí)，各位是否有這樣的好奇心，
2025-06-30 01:10
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第五章刻蝕原理兩大關(guān)鍵問題：?選擇性?方向性：各向同性/各向異性21rrS?待刻材料的刻蝕速率掩膜或下層材料的刻蝕速率vertlatrrA??1橫向刻蝕速率縱向刻蝕速率圖形轉(zhuǎn)移過程演示圖形轉(zhuǎn)移＝光刻＋刻蝕
2025-03-04 15:10
2025-03-01 04:29
【總結(jié)】手機(jī)設(shè)計(jì)與制造全過程手機(jī)的設(shè)計(jì)流程n手機(jī)設(shè)計(jì)公司是需要最基本有7個(gè)部:nIDnMDnHWnSWnPMnSourcingnQAID(IndustryDesign)工業(yè)設(shè)計(jì)n包括手機(jī)的外觀、材質(zhì)、手感、顏色配搭，主要界面的實(shí)現(xiàn)與及色彩等方面的設(shè)計(jì)。例如摩托羅拉“明”翻蓋的半透明，諾基亞7610的圓弧形
2025-02-24 22:07
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝張淵主編張淵主編半導(dǎo)體制造工藝高職高?！笆濉彪娮有畔㈩悓I(yè)規(guī)劃教材第1章 緒 論第1章 緒 論 引言 基本半導(dǎo)體元器件結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體器件工藝的發(fā)展歷史 集成電路制造階段 半導(dǎo)體制造企業(yè) 基本的半導(dǎo)體材料 半導(dǎo)體制造中使用的化學(xué)品 芯片制造的生產(chǎn)環(huán)境 引言圖1-1 集成電路組成的抽象結(jié)構(gòu)圖
2025-03-01 12:19
【總結(jié)】通信與電子工程學(xué)院第三章第三章硅的硅的氧化氧化v緒論vSiO2的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)vSiO2的掩蔽作用v硅的熱氧化生長動(dòng)力學(xué)v決定氧化速度常數(shù)和影響氧化速率的各種因素v熱氧化過程中的雜質(zhì)再分布v初始氧化階段以及薄氧化層的生長vSi-SiO2界面特性下一頁通信與電子工程學(xué)院二氧化硅是上帝賜給二氧化硅是上帝賜給IC的材料。的材料。通信與電
2025-02-28 12:01
【總結(jié)】半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長1半導(dǎo)體器件與工藝半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長2一、襯底材料的類型1.元素半導(dǎo)體Si、Ge….2.化合物半導(dǎo)體GaAs、SiC、GaN…半導(dǎo)體制備工藝原理第一章晶體生長3二、對(duì)襯底材料的要求?導(dǎo)電
2025-02-28 15:09
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