【總結(jié)】半導體制造工藝流程半導體相關(guān)知識?本征材料：純硅9-10個9?N型硅：摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅：摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié)：NP+++++半導體元件制造過程可分為?前段（FrontEnd）制程晶圓處理制程（Wafe
2025-03-01 04:30
【總結(jié)】半導體制造工藝基礎(chǔ)第六章擴散原理(下)上節(jié)課主要內(nèi)容1、摻雜工藝一般分為哪兩步？結(jié)深？薄層電阻？固溶度？2、兩種特殊條件下的費克第二定律的解及其特點？特征擴散長度？預淀積＋退火。預淀積：氣固相預淀積擴散或離子注入。Rs：表面為正方形的半導體薄層（結(jié)深），在平行電流方向所呈現(xiàn)的電阻，單位為?/?，反映擴散入硅
2025-03-03 14:53
【總結(jié)】學習情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學院學習情景三：薄膜制備子情景4：物理氣相淀積學習情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學院半導體制造工藝第2版?書名：半導體制造工藝第2版?書號：978-7-111-50757-4?作者：張淵?出版社：機械工業(yè)出版社學習情景三常州信息職業(yè)技術(shù)學院物理氣相淀積?概念：物
【總結(jié)】半導體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻原理(下)光刻膠的一些問題1、由于硅片表面高低起伏，可能造成曝光不足或過曝光。線條寬度改變！1半導體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻原理(下)2、下層反射造成駐波，下層散射降低圖像分辨率。DUV膠—ARCg線和i線膠—使用添加劑，吸光并
2025-02-28 12:03
【總結(jié)】半導體制造工藝基礎(chǔ)第六章擴散原理(上)摻雜（doping）：將一定數(shù)量和一定種類的雜質(zhì)摻入硅中，并獲得精確的雜質(zhì)分布形狀（dopingprofile）。MOSFET：阱、柵、源/漏、溝道等BJT：基極、發(fā)射極、集電極等摻雜應用：BECppn+n-p+p+n+n+B
【總結(jié)】半導體制造工藝流程半導體相關(guān)知識?本征材料：純硅9-10個9?N型硅：摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅：摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié)：NP+++++半導體元件制造過程可分為?前段（FrontEnd）制程晶圓處理制程（Wa
2025-03-01 04:28
【總結(jié)】手機設(shè)計、研發(fā)與制造全過程現(xiàn)在的手機已經(jīng)漸漸脫離了單純通訊工具的身份，逐漸轉(zhuǎn)變成為一個多媒體和信息的終端設(shè)備，未來日常的溝通、娛樂、理財?shù)然顒樱际强梢酝高^手機來進行。當大家在每一次看到一部新奇而又擁有高性能、鮮亮的外觀設(shè)計的手機出現(xiàn)時，各位是否有這樣的好奇心，這樣的手機到底是怎么設(shè)計和制造出來的呢？所以今天我們嘗試用一個技術(shù)的客觀角度，來簡單描述手機設(shè)計部門的構(gòu)造與及部門與部門之間的關(guān)
2025-06-30 00:47
【總結(jié)】完美WORD格式手機設(shè)計、研發(fā)與制造全過程現(xiàn)在的手機已經(jīng)漸漸脫離了單純通訊工具的身份，逐漸轉(zhuǎn)變成為一個多媒體和信息的終端設(shè)備，未來日常的溝通、娛樂、理財?shù)然顒樱际强梢酝高^手機來進行。當大家在每一次看到一部新奇而又擁有高性能、鮮亮的外觀設(shè)計的手機出現(xiàn)時，各位是否有這樣的好奇心，
2025-06-30 01:10
【總結(jié)】半導體制造工藝基礎(chǔ)第五章刻蝕原理兩大關(guān)鍵問題：?選擇性?方向性：各向同性/各向異性21rrS?待刻材料的刻蝕速率掩膜或下層材料的刻蝕速率vertlatrrA??1橫向刻蝕速率縱向刻蝕速率圖形轉(zhuǎn)移過程演示圖形轉(zhuǎn)移＝光刻＋刻蝕
2025-03-04 15:10
2025-03-01 04:29
【總結(jié)】手機設(shè)計與制造全過程手機的設(shè)計流程n手機設(shè)計公司是需要最基本有7個部:nIDnMDnHWnSWnPMnSourcingnQAID(IndustryDesign)工業(yè)設(shè)計n包括手機的外觀、材質(zhì)、手感、顏色配搭，主要界面的實現(xiàn)與及色彩等方面的設(shè)計。例如摩托羅拉“明”翻蓋的半透明，諾基亞7610的圓弧形
2025-02-24 22:07
【總結(jié)】半導體制造工藝張淵主編張淵主編半導體制造工藝高職高?！笆濉彪娮有畔㈩悓I(yè)規(guī)劃教材第1章 緒 論第1章 緒 論 引言 基本半導體元器件結(jié)構(gòu) 半導體器件工藝的發(fā)展歷史 集成電路制造階段 半導體制造企業(yè) 基本的半導體材料 半導體制造中使用的化學品 芯片制造的生產(chǎn)環(huán)境 引言圖1-1 集成電路組成的抽象結(jié)構(gòu)圖
2025-03-01 12:19
【總結(jié)】通信與電子工程學院第三章第三章硅的硅的氧化氧化v緒論vSiO2的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)vSiO2的掩蔽作用v硅的熱氧化生長動力學v決定氧化速度常數(shù)和影響氧化速率的各種因素v熱氧化過程中的雜質(zhì)再分布v初始氧化階段以及薄氧化層的生長vSi-SiO2界面特性下一頁通信與電子工程學院二氧化硅是上帝賜給二氧化硅是上帝賜給IC的材料。的材料。通信與電
2025-02-28 12:01
【總結(jié)】半導體制備工藝原理第一章晶體生長1半導體器件與工藝半導體制備工藝原理第一章晶體生長2一、襯底材料的類型1.元素半導體Si、Ge….2.化合物半導體GaAs、SiC、GaN…半導體制備工藝原理第一章晶體生長3二、對襯底材料的要求?導電
2025-02-28 15:09
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