ic芯片封裝工藝介紹(編輯修改稿)
2025-01-19 00:32 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 216。通過 Saw Blade將整片 Wafer切割成一個個獨立的 Dice，方便后面的 Die Attach等工序；216。Wafer Wash主要清洗 Saw時候產(chǎn)生的各種粉塵，清潔 Wafer；Company LogoLogoFOL– Wafer Saw晶圓切割Wafer Saw MachineSaw Blade(切割刀片 )：Life Time： 900~1500M；Spindlier Speed： 30~50K rpm：Feed Speed： 30~50/s。Company LogoLogoFOL– 2nd Optical Inspection二光檢查主要是針對 Wafer Saw之后在顯微鏡下進(jìn)行 Wafer的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品 。Chipping Die 崩 邊Company LogoLogoFOL– Die Attach 芯片粘接Write Epoxy點銀漿Die Attach芯片粘接Epoxy Cure銀漿固化Epoxy Storage：零下 50度存放；Epoxy Aging：使用之前回溫，除去氣泡；Epoxy Writing：點銀漿于 L/F的 Pad上， Pattern可選 ；Company LogoLogoFOL– Die Attach 芯片粘接芯片拾取過程： Ejector Pin從 wafer下方的 Mylar頂起芯片，使之便于 脫離藍(lán)膜； Collect/Pick up head從上方吸起芯片，完成從 Wafer 到 L/F的運輸過程； Collect以一定的力將芯片 Bond在點有銀漿的 L/F 的 Pad上，具體位置可控； Bond Head Resolution： ； ； ； Bond Head Speed： ；Company LogoLogoFOL– Die Attach 芯片粘接Epoxy Write：Coverage 75%。Die Attach：Placement。Company LogoLogoFOL– Epoxy Cure 銀漿固化銀漿固化：175176。C， 1個小時；N2環(huán)境，防止氧化：Die Attach質(zhì)量檢查：Die Shear（芯片剪切力）Company LogoLogoFOL– Wire Bonding 引線焊接※ 利用高純度的金線（ Au） 、銅線（ Cu）或鋁線（ Al）把 Pad 和 Lead通過焊接的方法連接起來。 Pad是芯片上電路的外接 點， Lead是 Lead Frame上的 連接點。 W/B是封裝工藝中最為關(guān)鍵的一部工藝。Company LogoLogoFOL– Wire Bonding 引線焊接Key Words：Capillary：陶瓷劈刀。 W/B工藝中最核心的一個 Bonding Tool，內(nèi)部為空心，中間穿上金線，并分別在芯片的 Pad和 Lead Frame的 Lead上形成第一和第二焊點；EFO：打火桿。用于在形成第一焊點時的燒球。打火桿打火形成高溫，將外露于 Capillary前端的金線高溫熔化成球形，以便在 Pad上形成第一焊點（ Bond Ball）；Bond Ball：第一焊點。指金線在 Cap的作用下，在 Pad上形成的焊接點，一般為一個球形；Wedge：第
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