閃存芯片封裝技術(shù)和存儲原理技術(shù)介紹(編輯修改稿)
2025-08-10 02:20 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 封裝方式也將逐漸為業(yè)界廣為應(yīng)用.U盤的一個大特點便是它的寫入速度遠不如讀取速度快,但這并不不是所有U盤的共同問題,只是較大范圍內(nèi)存在這樣的問題,其根源在于受于成本和體積的限制,大多數(shù)大容量USB閃存盤均采用MLC的閃存顆粒,只有極少數(shù)采用SLC的閃存顆粒,那么究竟MLC和SLC有什么本質(zhì)的區(qū)別呢？ SLC和MLC均是NAND Flash的存儲原理級技術(shù),也可以理解為目前NAND Flash在存儲數(shù)據(jù)原理方面分道揚鑣的一個表現(xiàn). SLC全稱單層式儲存 (Single Level Cell）,是指一個Block（塊,Flash的基本存儲單元,也可稱為Cell）只有兩種電荷值,高低不同的電荷值表明0或者1,因為只需要一組高低電壓就可以區(qū)分出0或者1信號,所以SLC最大的驅(qū)動電壓可以做到很低,傳統(tǒng)的雙電壓卡或者低電壓版本卡片肯定采用SLC類型的NAND Flash芯片. SLC因為結(jié)構(gòu)簡單,在寫入數(shù)據(jù)時電壓變化的區(qū)間小,所以壽命較長,傳統(tǒng)的SLC Flash
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