集成電路芯片封裝講座(編輯修改稿)
2025-04-16 06:10 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 的一種互連工藝。 TAB技術(shù)分類 TAB按其結(jié)構(gòu)和形狀可分為 Cu箔單層帶、 CuPI雙層帶、 Cu粘接劑 PI三層帶和 CuPICu雙金屬帶等四種。 TAB技術(shù) 首先在高聚物上做好元件引腳的引線框架， 然后將芯片按其鍵合區(qū)對應(yīng)放在上面，然后通過熱電極一次將所有的引線進(jìn)行鍵合。 TAB工藝主要是先在芯片上形成凸點，將芯片上的凸點同載帶上的焊點通過引線壓焊機自動的鍵合在一起，然后對芯片進(jìn)行密封保護。 載帶自動鍵合（ TAB）技術(shù) TAB技術(shù)工藝流程 TAB技術(shù)工藝流程 TAB技術(shù)工藝流程 TAB關(guān)鍵技術(shù) TAB工藝 關(guān)鍵部分有： 芯片凸點制作、 TAB載帶制作和內(nèi)、外引線焊接 等。 TAB關(guān)鍵技術(shù) 凸點制作 載帶制作工藝實例 — Cu箔單層帶 沖制標(biāo)準(zhǔn)定位傳送孔 Cu箔清洗 Cu箔疊層 Cu箔涂光刻膠（雙面） 刻蝕形成 Cu線圖樣 導(dǎo)電圖樣 Cu鍍錫 退火 內(nèi)引線鍵合 (ILB) 內(nèi)引線鍵合是將裸芯片組裝到 TAB載帶上的技術(shù)，通常采用熱壓焊方法。焊接工具是由硬質(zhì)金屬或鉆石制成的熱電極。當(dāng)芯片凸點是軟金屬，而載帶 Cu箔引線也鍍這類金屬時，則用 “ 群壓焊 ” 。 TAB關(guān)鍵技術(shù) 封膠保護 然后，篩選與測試 外引線鍵合 OLB 測試完成 TAB技術(shù)的關(guān)鍵材料 1）基帶材料 基帶材料要求高溫性能好、熱匹配性好、收縮率小、機械強度高等，聚酰亞胺（ PI）是良好的基帶材料，但成本較高，此外，可采用聚酯類材料作為基帶。 2） TAB金屬材料 制作 TAB引線圖形的金屬材料常用 Cu箔 ，少數(shù)采用
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