關于芯片和芯片設計的科普——集成電路設計人員給家人的科普(編輯修改稿)
2025-02-03 03:31 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 的硅的導電性。經(jīng)過電場加速后，注入的離子流的速度可以超過 30萬千米每小時。 清除光刻膠 清除光刻膠：離子注入完成后，光刻膠也被清除，而注入?yún)^(qū)域 (綠色部分 )也已摻雜，注入了不同的原子。注意這時候的綠色和之前已經(jīng)有所不同。 晶體管就緒 晶體管就緒：至此，晶體管已經(jīng)基本完成。在絕緣材 (品紅色 )上蝕刻出三個孔洞，并填充銅，以便和其它晶體管互連。 電鍍 電鍍：在晶圓上電鍍一層硫酸銅，將銅離子沉淀到晶體管上。銅離子會從正極 (陽極 )走向負極(陰極 )。 電鍍 銅層：電鍍完成后，銅離子沉積在晶圓表面，形成一個薄薄的銅層。 拋光 拋光：將多余的銅拋光掉，也就是磨光晶圓表面。 金屬層 金屬層：晶體管級別，六個晶體管的組合，大約 500納米。在不同晶體管之間形成復合互連金屬層，具體布局取決于相應處理器所需要的不同功能性。芯片表面看起來異常平滑，但事實上可能包含 20多層復雜的電路，放大之后可以看到極其復雜的電路網(wǎng)絡，形如未來派的多層高速公路系統(tǒng)。 晶圓測試 晶圓測試 ：內(nèi)核級別，大約 10毫米/。圖中是晶圓的局部，正在接受第一次功能性測試，使用參考電路圖案和每一塊芯片進行對比。 晶圓分割 晶圓切片 (Slicing)：晶圓級別， 300毫米 /12英寸。將晶圓切割成塊，每一塊就是一個處理器的內(nèi)核 (Die)。 分選 丟棄瑕疵內(nèi)核 ：晶圓級別。測試過程中發(fā)現(xiàn)的有瑕疵的內(nèi)核被拋棄，留下完好的準備進入下一步。 內(nèi)核 單個內(nèi)核 ：內(nèi)核級別。從晶圓上切割下來的單個內(nèi)核，這里展示的是 Core i7的核心。 封裝 封裝 ：封裝級別， 20毫米/1英寸。 襯底 (基片 )、內(nèi)核、散熱片 堆疊在一起，就形成了我們看到的處理器的樣子。襯底 (綠色 )相當于一個底座，并為處理器內(nèi)核提供電氣與機械界面，便于與 PC系統(tǒng)的其它部分交互。散熱片 (銀色 )就是負責內(nèi)核散熱的了。 成品 處理器 ：至此就得到完整的處理器了 (這里是一顆Core i7)。這種在世界上最干凈的房間里制造出來的最復雜的產(chǎn)品實際
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